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FQAF33N10

2000年4月

QFET

FQAF33N10

100V N沟道MOSFET

概述

这些N沟道增强型功率场效应

晶体管采用飞兆半导体专有的，

平面条形， DMOS技术。

这种先进的技术已特别针对

最大限度地减少通态电阻，优越的开关

性能，并能承受高能量脉冲

雪崩和减刑模式。这些装置是公

适用于低电压应用，例如音频放大器，

高效率的开关型DC / DC转换器和DC马达

控制权。

TM

特点

25.8A ， 100V ，R

DS （ ON）

= 0.052 @V

GS

= 10 V

低栅极电荷（典型的38 NC）

低的Crss （典型值62 pF的）

快速开关

100％的雪崩测试

改进的dv / dt能力

175°C最高结温额定值

D

!

＆ QUOT ;

G

!

摹 S

！ "

＆ QUOT ;

＆ QUOT ;

TO-3PF

FQAF系列

!

S

绝对最大额定值？

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GSS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

T

J

, T

英镑

T

L

T

C

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源电压

- 连续（T

C

= 25°C)

漏电流

- 连续（T

C

= 100°C)

漏电流

- 脉冲

（注1 ）

FQAF33N10

100

25.8

18.2

103.2

±25

（注2 ）

（注1 ）

（注1 ）

（注3）

单位

V

A

A

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W / ℃，

°C

°C

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

C

= 25°C)

430

25.8

8.3

7.0

83

0.55

-55到+175

300

- 减免上述25℃

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

1/8 ？从案例5秒

热特性

符号

R

θJC

R

θJA

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

典型值

--

--

最大

1.80

40

单位

？°C W

？°C W

2000仙童半导体国际

版本A ， 2000年4月

FQAF33N10

电气特性?????

T

符号

参数

C

= 25 ° C除非另有说明

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

/

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

A

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= 100 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 80 V，T

C

= 150°C

V

GS

= 25 V, V

DS

= 0 V

V

GS

= -25 V, V

DS

= 0 V

100

--

--

--

--

--

--

0.11

--

--

--

--

--

--

1

10

100

-100

V

V /°C的

A

A

nA

nA

基本特征

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

正向跨导

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

A

V

GS

= 10 V，I

D

= 12.9 A

V

DS

= 40 V，I

D

= 12.9 A

（注4 ）

2.0

--

--

--

0.040

20

4.0

0.052

--

V

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

--

--

--

1150

320

62

1500

420

80

pF

pF

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DS

= 80 V，I

D

= 33 A,

V

GS

= 10 V

（注4,5）

V

DD

= 50 V，I

D

= 33 A,

R

G

= 25

（注4,5）

--

--

--

--

--

--

--

15

195

80

110

38

7.5

18

40

400

170

230

51

--

--

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

V

GS

= 0 V，I

S

= 25.8 A

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0 V，I

S

= 33 A,

dI

F

/ DT = 100 A / μs的

（注4 ）

--

--

--

--

--

--

--

--

80

0.22

25.8

103.2

1.5

--

--

A

A

V

ns

C

注意事项：

1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 0.97mH ，我

AS

= 25.8A ，V

DD

= 25V ，R

G

= 25

,

起始物为

J

= 25°C

3. I

SD

33A ， di / dt的

300A / μs的，V

DD

BV

DSS ，

起始物为

J

= 25°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

300μS ，占空比

2%

5.基本上是独立工作温度

2000仙童半导体国际

版本A ， 2000年4月

FQAF33N10

典型特征

10

2

I

D

，漏电流[ A]

10

1

I

D

，漏电流[ A]

V

GS

15.0 V

10.0 V

8.0 V

7.0 V

6.0 V

5.5 V

5.0 V

底部： 4.5 V

上图：

10

2

10

1

175

25

-55

注意事项：

1. V

DS

= 40V

2. 250 ？脉冲测试

s

10

0

注意事项：

1. 250 ？脉冲测试

s

2. T

C

= 25

0

10

-1

10

0

10

1

10

2

4

6

8

10

V

DS

，漏源电压[V]

V

GS

，栅源电压[V]

图1.区域特征

图2.传输特性

0.20

10

2

0.15

漏源导通电阻

V

GS

= 10V

0.10

V

GS

= 20V

I

DR

，反向漏电流[ A]

R

DS （ ON）

[

],

10

1

0.05

注：t

J

= 25

175

0

25

注意事项：

1. V

GS

= 0V

2. 250 ？脉冲测试

s

0.00

0

20

40

60

80

100

120

10

I

D

，漏电流[ A]

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图3.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度

3000

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

(C

ds

=短路）

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

C

RSS

= C

gd

12

2500

10

V

DS

= 50V

V

DS

= 80V

V

GS

，栅源电压[V]

2000

电容[ pF的]

C

国际空间站

C

OSS

8

1500

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

2. F = 1 MHz的

6

1000

4

C

RSS

500

2

注：我

D

= 33A

0

-1

10

0

10

0

10

1

0

5

10

15

20

25

30

35

40

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

图5.电容特性

图6.栅极电荷特性

2000仙童半导体国际

版本A ， 2000年4月

FQAF33N10

典型特征

（续）

1.2

3.0

2.5

BV

DSS

（范

alized ）

漏源击穿电压

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

1.1

2.0

1.0

1.5

1.0

注意事项：

1. V

GS

= 10 V

2. I

D

= 16.5 A

0.9

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

2. I

D

= 250

A

0.5

0.8

-100

-50

0

50

100

o

150

200

0.0

-100

-50

0

50

100

o

150

200

T

J

，结TEM

规律[ C]

T

J

，结温[C]

图7.击穿电压变化

与温度的关系

图8.导通电阻变化

与温度的关系

30

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

25

10

2

1毫秒

10毫秒

1

I

D

，漏电流[ A]

I

D

，漏电流[ A]

100

s

20

15

10

DC

10

注意事项：

0

5

o

10

1. T

C

= 25 C

o

2. T

J

= 175 C

3.单脉冲

0

1

2

0

25

50

75

100

125

150

175

10

10

10

V

DS

，漏源电压[V]

T

C

，外壳温度[

]

图9.最高安全工作区

图10.最大漏极电流

与外壳温度

（T ）和T H的ê马币一l研究（E S） P 0：N发E

10

0

D = 0 .5

0 .2

0 .1

10

-1

OTES ：

1 . Z

J·C

( t ) = 1 . 8

/ W M A X 。

2 。 ü吨和Y F是C T O服务R，D = T

1

/t

2

3 . T

J·M

- T

C

= P

D M

* Z

J·C

( t )

0 .0 5

0 .0 2

0 .0 1

S IN克乐P ü LS ê

P

DM

t

1

t

2

Z

JC

10

-2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

t

1

，S单方W AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]

图11.瞬态热响应曲线

2000仙童半导体国际

版本A ， 2000年4月

FQAF33N10

栅极电荷测试电路波形&

50K

12V

200nF

300nF

同一类型

作为DUT

V

DS

V

GS

Q

g

10V

Q

gs

Q

gd

V

GS

DUT

3mA

收费

电阻开关测试电路波形&

V

DS

V

GS

R

G

R

L

V

DD

V

DS

90%

10V

DUT

V

GS

10%

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

非钳位感应开关测试电路波形&

L

V

DS

I

D

R

G

V

DD

DUT

t

p

BV

DSS

1

---- L I

AS2

--------------------

E

AS

=

2

BV

DSS

- V

DD

BV

DSS

I

AS

I

D

(t)

V

DD

t

p

10V

V

DS

(t)

时间

2000仙童半导体国际

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