FQH90N15 / FQA90N15 N沟道功率MOSFET
QFET
FQH90N15 / FQA90N15
N沟道功率MOSFET
特点
90A ， 150V ，R
DS （ ON）
= 0.018 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型值220 NC）
低C
RSS
（典型200 pF的）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
175°C最高结温额定值
描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管
器都采用飞兆半导体专有的，平面条形制作，
DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对微型
迈兹的导通电阻，优越的开关perfor-
曼斯，并能承受高能量脉冲雪崩和
换流模式。这些装置非常适用于低电压
年龄的应用，如音频amplifire ，高效率开关
荷兰国际集团为直流/直流转换器，直流电动机控制的，不间断的
电源。
D
!
＆ QUOT ;
G
!
克
S
！ "
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
TO-247
FQH系列
TO-3P
g DS的
常见问题解答系列
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
参数
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
- 脉冲
（注1 ）
FQH90N15/FQA90N15
150
90
63.5
360
±25
1400
90
37.5
6.0
375
2.5
-55到+175
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到环境
分钟。
--
0.24
--
马克斯。
0.4
--
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2004仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FQH90N15 / FQA90N15版本B
FQH90N15 / FQA90N15 N沟道功率MOSFET
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
DS
= 120V ，T
C
= 150°C
V
GS
= 25V, V
DS
= 0V
V
GS
= -25V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 45A
V
DS
= 40V ，我
D
= 45A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
（注4 ）
分钟。
150
--
--
--
--
--
典型值。
--
0.15
--
--
--
--
最大单位
--
--
1
10
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
2.0
--
--
--
0.014
68
4.0
0.018
--
V
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
--
--
--
6700
1400
200
8700
1800
260
pF
pF
pF
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 120V ，我
D
= 90A
V
GS
= 10V
（注4,5）
（注4,5）
V
DD
= 75V ，我
D
= 90A
R
G
= 25
--
--
--
--
--
--
--
105
760
470
410
220
43
110
220
1500
950
830
285
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 0.29mH ，我
AS
= 90A ，V
DD
= 25V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
90A ， di / dt的
≤
300A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 90A
V
GS
= 0V时，我
S
= 90A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
175
0.97
90
360
1.5
--
--
A
A
V
ns
C
2
FQH90N15 / FQA90N15版本B
www.fairchildsemi.com
FQH90N15 / FQA90N15 N沟道功率MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
V
GS
上图：
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
图2.传输特性
10
2
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
2
10
1
175 C
o
25 C
10
0
o
10
1
-55 C
注意事项：
1. V
DS
= 30V
2. 250
s脉冲测试
o
注意事项：
1. 250
s脉冲测试
o
2. T
C
= 25 C
-1
0
1
10
-1
10
10
10
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
0.12
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
I
DR
，反向漏电流[ A]
漏源导通电阻
10
2
0.09
V
GS
= 10V
0.06
R
DS （ ON）
[
],
10
1
V
GS
= 20V
0.03
o
10
0
175 C 25
o
C
o
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250
s脉冲测试
注：t
J
= 25 C
0.00
0
50
100
150
200
250
300
10
-1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
18000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
图6.栅极电荷特性
12
15000
C
RSS
= C
gd
10
V
DS
= 30V
V
DS
= 75V
V
GS
，栅源电压[V]
电容[ pF的]
12000
C
国际空间站
C
OSS
8
V
DS
= 120V
9000
6
6000
4
C
RSS
3000
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
2
注：我
D
= 90 A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
50
100
150
200
250
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
3
FQH90N15 / FQA90N15版本B
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FQH90N15 / FQA90N15 N沟道功率MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
1.1
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
A
0.5
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 45 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
100
10
3
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
80
I
D
，漏电流[ A]
10
2
1毫秒
DC
10毫秒
I
D
，漏电流[ A]
100
s
10
s
60
10
1
40
10
0
注意事项：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 175 C
3.单脉冲
o
20
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
o
150
175
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[C]
图11.瞬态热响应曲线
（T ） ，热响应
D = 0 .5
10
-1
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
N 2 O TE S：
1 . Z
？ JC
( t) = 0 .4
o
C / W M A X 。
(t)
2 。 ü吨和Y F是C T O服务R，D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
?
JC
P
DM
S IN克乐P ü LS ê
θ
JC
10
-2
0 .0 1
t
1
t
2
Z
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]
4
FQH90N15 / FQA90N15版本B
www.fairchildsemi.com
FQH90N15 / FQA90N15 N沟道功率MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
50KΩ
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
DS
V
GS
Q
g
10V
Q
gs
Q
gd
V
GS
DUT
3mA
收费
电阻开关测试电路波形&
V
DS
V
GS
R
G
R
L
V
DD
V
DS
90%
10V
DUT
V
GS
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
非钳位感应开关测试电路波形&
L
V
DS
I
D
R
G
10V
t
p
BV
DSS
1
2
--------------------
E
AS
= ---- L I
AS
2
BV
DSS
- V
DD
BV
DSS
I
AS
V
DD
I
D
(t)
V
DD
t
p
DUT
V
DS
(t)
时间
5
FQH90N15 / FQA90N15版本B
www.fairchildsemi.com
FQH90N15 / FQA90N15 N沟道功率MOSFET
FQH90N15 / FQA90N15
N沟道功率MOSFET
特点
90A ， 150V ，R
DS （ ON）
= 0.018Ω @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型值220 NC）
低C
RSS
（典型200 pF的）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
175°C最高结温额定值
QFET
描述
2006年10月
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面出品
条纹， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。这些装置非常适用于低
电压应用，例如音频amplifire ，高效率
切换为DC / DC变换器和DC电机控制，
不间断电源。
D
G
克
S
TO-247
FQH系列
TO-3P
g DS的
常见问题解答系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
参数
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
- 脉冲
（注1 ）
FQH90N15/FQA90N15
150
90
63.5
360
±25
1400
90
37.5
6.0
375
2.5
-55到+175
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到环境
分钟。
--
0.24
--
马克斯。
0.4
--
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FQH90N15 / FQA90N15版本C
FQH90N15 / FQA90N15 N沟道功率MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FQH90N15
FQA90N15
FQA90N15
设备
FQH90N15
FQA90N15
FQA90N15_F109
包
TO-247
TO-3P
TO-3PN
带尺寸
--
--
--
胶带宽度
--
--
--
QUANTITY
30
30
30
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
ΔT
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
DS
= 120V ，T
C
= 150°C
V
GS
= 25V, V
DS
= 0V
V
GS
= -25V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 45A
V
DS
= 40V ，我
D
= 45A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
（注4 ）
分钟。
150
--
--
--
--
--
2.0
--
--
--
--
--
典型值。
--
0.15
--
--
--
--
--
0.014
68
6700
1400
200
105
760
470
410
220
43
110
最大单位
--
--
1
10
100
-100
4.0
0.018
--
8700
1800
260
220
1500
950
830
285
--
--
V
V /°C的
μA
μA
nA
nA
V
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
基本特征
动态特性
开关特性
V
DD
= 75V ，我
D
= 90A
R
G
= 25Ω
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
（注4,5）
V
DS
= 120V ，我
D
= 90A
V
GS
= 10V
--
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 90A
V
GS
= 0V时，我
S
= 90A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
175
0.97
90
360
1.5
--
--
A
A
V
ns
μC
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 0.29mH ，我
AS
= 90A ，V
DD
= 25V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
90A ， di / dt的
≤
300A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
2
FQH90N15 / FQA90N15版本C
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FQH90N15 / FQA90N15 N沟道功率MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
V
GS
上图：
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
图2.传输特性
10
2
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
2
10
1
175 C
o
25 C
10
0
o
10
1
-55 C
注意事项：
1. V
DS
= 30V
2. 250
μ
s脉冲测试
o
注意事项：
1. 250
μ
s脉冲测试
o
2. T
C
= 25 C
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
0.12
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
I
DR
，反向漏电流[ A]
漏源导通电阻
10
2
0.09
V
GS
= 10V
0.06
R
DS （ ON）
[
Ω
],
10
1
V
GS
= 20V
0.03
o
10
0
175 C 25
o
C
o
注：t
J
= 25 C
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s脉冲测试
0.00
0
50
100
150
200
250
300
10
-1
I
D
，漏电流[ A]
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
18000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
图6.栅极电荷特性
12
15000
10
V
DS
= 30V
V
DS
= 75V
V
GS
，栅源电压[V]
电容[ pF的]
12000
C
国际空间站
C
OSS
8
V
DS
= 120V
9000
6
6000
C
RSS
3000
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
4
2
注：我
D
= 90 A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
50
100
150
200
250
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
3
FQH90N15 / FQA90N15版本C
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FQH90N15 / FQA90N15 N沟道功率MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
1.1
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
0.5
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 45 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
100
10
3
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
80
I
D
，漏电流[ A]
10
2
1毫秒
DC
10毫秒
I
D
，漏电流[ A]
100
μ
s
10
μ
s
60
10
1
40
10
0
注意事项：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 175 C
3.单脉冲
o
20
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
o
150
175
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[C]
图11.瞬态热响应曲线
（T ） ，热响应
D = 0 .5
10
-1
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
N 2 O TE S：
1 . Z
？ JC
( t) = 0 .4
o
C / W M A X 。
(t)
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
?
JC
P
DM
S IN克乐P ü LS ê
θ
JC
10
-2
0 .0 1
t
1
t
2
Z
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]
4
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FQH90N15 / FQA90N15 N沟道功率MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
非钳位感应开关测试电路波形&
5
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D+
D+
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G
G
G
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