FQA8N100C 1000V N沟道MOSFET
QFET
FQA8N100C
1000V N沟道MOSFET
特点
8A ， 1000V ，R
DS （ ON）
= 1.45 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型的53 NC）
低C
RSS
（典型16 pF的）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
2005年9月
描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管
器都采用飞兆半导体专有的，平面条形制作，
DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对微型
迈兹的导通电阻，优越的开关perfor-
曼斯，并能承受高能量脉冲雪崩和
换流模式。这些装置非常适用于高艾菲
cient开关电源。
D
!
＆ QUOT ;
G
!
！ "
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
TO-3P
g DS的
常见问题解答系列
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
参数
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
- 脉冲
（注1 ）
FQA8N100C
1000
8
5
32
±30
850
8
22.5
4.0
225
1.79
-55到+150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到环境
分钟。
--
0.24
--
马克斯。
0.56
--
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2005仙童半导体公司
1
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FQA8N100C版本A
FQA8N100C 1000V N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FQA8N100C
设备
FQA8N100C
包
TO-3P
T
C
= 25 ° C除非另有说明
带尺寸
--
胶带宽度
--
QUANTITY
30
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
= 1000V, V
GS
= 0V
V
DS
= 800V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 4A
V
DS
= 50V ，我
D
= 4A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
（注4 ）
分钟。
1000
--
--
--
--
--
3.0
--
--
--
--
--
典型值。
--
1.4
--
--
--
--
--
1.2
8.0
2475
195
16
50
95
122
80
53
13
23
最大单位
--
--
10
100
100
-100
5.0
1.45
--
3220
255
24
110
200
254
170
70
--
--
V
V /°C的
A
A
nA
nA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
基本特征
动态特性
开关特性
V
DD
= 500V ，我
D
= 8A
R
G
= 25
--
--
--
（注4,5）
--
--
--
--
V
DS
= 800V ，我
D
= 8A
V
GS
= 10V
（注4,5）
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 8A
V
GS
= 0V时，我
S
= 8A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
620
5.2
8
32
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 25mH ，我
AS
= 8A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
图8A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
FQA8N100C版本A
2
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FQA8N100C 1000V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
上图：
图2.传输特性
10
1
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
150 C
o
10
0
10
0
25 C
-55 C
※
注意事项：
1. V
DS
= 50V
2. 250μ s脉冲测试
o
o
10
-1
※
注意事项：
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25
℃
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
3.0
R
DS （ ON）
[ ],
漏源导通电阻
I
DR
，反向漏电流[ A]
2.5
10
1
V
GS
= 10V
2.0
1.5
10
0
V
GS
= 20V
1.0
※
注：t
J
= 25
℃
150
℃
25
℃
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
0.5
0
5
10
15
20
25
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
4000
3500
3000
图6.栅极电荷特性
12
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
V
DS
= 200V
10
C
国际空间站
V
GS
，栅源电压[V]
V
DS
= 500V
V
DS
= 800V
电容[ pF的]
8
2500
2000
1500
1000
C
OSS
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
6
4
C
RSS
500
0
-1
10
2
※
注：我
D
= 8A
10
0
10
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
FQA8N100C版本A
3
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FQA8N100C 1000V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 4 A
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
8
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
3
10
1
10
s
100
s
1毫秒
10毫秒
DC
6
10
0
4
10
-1
※
注意事项：
o
1. T
C
= 25 C
o
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
2
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图11.瞬态热响应曲线
10
0
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
D = 0 .5
0 .2
10
-1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
10
-2
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
JC
(t) = 0 .5 6
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
P
DM
t
1
S IN克乐P ü LS ê
t
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
FQA8N100C版本A
4
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FQA8N100C 1000V N沟道MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
50KΩ
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
DS
V
GS
10V
Q
gs
Q
g
V
GS
Q
gd
DUT
3mA
收费
电阻开关测试电路波形&
V
DS
R
G
10V
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90%
DUT
V
GS
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
非钳位感应开关测试电路波形&
L
V
DS
I
D
R
G
10V
t
p
BV
DSS
1
E
AS
= ---- L I
AS2
--------------------
2
BV
DSS
- V
DD
BV
DSS
I
AS
V
DD
I
D
(t)
V
DD
t
p
DUT
V
DS
(t)
时间
FQA8N100C版本A
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