【FQA7N65C 650V N沟道MOSFET2006年2月QFETFQA7N65C650V N沟道】,IC型号FQA7N65C,FQA7N65C PDF资料,FQA7N65C经销商,ic,电子元器件-51电子网

FQA7N65C 650V N沟道MOSFET

2006年2月

QFET

FQA7N65C

650V N沟道MOSFET

特点

7A ， 650V ，R

DS （ ON）

= 1.4 @V

GS

= 10 V

低栅极电荷（典型的28 NC）

低的Crss （典型值12pF的）

快速开关

100％的雪崩测试

改进的dv / dt能力

描述

这些N沟道增强型功率场效应

晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面出品

条纹， DMOS技术。

这种先进的技术已特别针对

最大限度地减少通态电阻，优越的开关

性能，并能承受高能量脉冲雪崩

和减刑模式。这些装置非常适用于高

高效率开关电源，有源功率因数

基于半桥校正，电子镇流器

拓扑结构。

D

G

TO-3P

g DS的

常见问题解答系列

S

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GSS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

T

J

, T

英镑

T

L

漏源电压

漏电流

- 连续（T

C

= 25°C)

- 连续（T

C

= 100°C)

- 脉冲

（注1 ）

参数

FQA7N65C

650

7

4.45

28

±

30

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

单位

V

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W / ℃，

°C

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

C

= 25°C)

- 减免上述25℃

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒

212

7

17.3

4.5

173

1.38

-55到+150

300

热特性

符号

R

θJC

R

θJA

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

FQA7N65C

0.75

62.5

单位

° C / W

2006仙童半导体公司

1

www.fairchildsemi.com

FQA7N65C版本A

FQA7N65C 650V N沟道MOSFET

包装标志和订购信息

器件标识

FQA7N65C

设备

FQA7N65C

包

TO-3P

T

C

= 25 ° C除非另有说明

带尺寸

--

胶带宽度

--

QUANTITY

30

电气特性

符号

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

/

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

注意事项：

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

A

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= 650 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 520 V，T

C

= 125°C

V

GS

= 30 V, V

DS

= 0 V

V

GS

= -30 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

A

V

GS

= 10 V，I

D

= 3.5 A

V

DS

= 40 V，I

D

=3.5 A

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

（注4 ）

民

650

--

2.0

--

典型值

--

0.8

--

1.2

8

955

100

12

最大单位

--

1

10

100

-100

4.0

1.4

--

1245

130

16

V

V /°C的

A

nA

V

S

pF

ns

nC

基本特征

动态特性

开关特性

V

DD

= 325 V，I

D

= 7A,

R

G

= 25

--

（注4,5）

20

50

90

55

28

4.5

12

--

400

3.3

50

110

190

120

36

--

V

DS

= 520 V，I

D

= 7A,

V

GS

= 10 V

（注4,5）

--

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0 V，I

S

= 7 A

V

GS

= 0 V，I

S

= 7 A,

dI

F

/ DT = 100 A / μs的

（注4 ）

--

7

28

1.4

--

A

V

ns

C

1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 8mH ，我

AS

= 7A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25

,

起始物为

J

= 25°C

3. I

SD

≤

图7A中， di / dt的

≤200A/s,

V

DD

≤

BV

DSS ，

起始物为

J

= 25°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%

5.基本上是独立工作温度

FQA7N65C版本A

2

www.fairchildsemi.com

FQA7N65C 650V N沟道MOSFET

典型性能特性

图1.区域特征

V

GS

15.0 V

10.0 V

8.0 V

7.0 V

6.0 V

5.5 V

底部： 5.0 V

上图：

图2.传输特性

10

1

10

1

I

D

，漏电流[ A]

I

D

，漏电流[ A]

150 C

o

10

0

10

0

25 C

o

-55 C

o

※

注意事项：

1. 250μs的脉冲测试

2. T

C

= 25

℃

※

注意事项：

1. V

DS

= 40V

2. 250μs的脉冲测试

10

-1

10

0

10

1

10

-1

2

4

6

8

10

V

DS

，漏源电压[V]

V

GS

，栅源电压[V]

图3.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和Temperatue

3.0

R

DS （ ON）

[ ],

漏源导通电阻

2.5

V

GS

= 10V

2.0

I

DR

，反向漏电流[ A]

10

1

10

0

150

℃

1.5

25

℃

※

注意事项：

1. V

GS

= 0V

2. 250μ s脉冲测试

V

GS

= 20V

※

注： T = 25

℃

J

1.0

0

5

10

15

10

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

I

D

，漏电流[ A]

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容特性

2000

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

(C

ds

=短路）

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

C

RSS

= C

gd

图6.栅极电荷特性

12

V

GS

，栅源电压[V]

1600

10

V

DS

= 130V

V

DS

= 325V

电容[ pF的]

C

国际空间站

1200

8

V

DS

= 520V

C

OSS

800

※

注意;

1. V

GS

= 0 V

2. F = 1 MHz的

6

4

400

C

RSS

2

※

注：我

D

= 7A

0

-1

10

0

10

1

0

4

8

12

16

20

24

28

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

FQA7N65C版本A

3

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FQA7N65C 650V N沟道MOSFET

典型性能特性

（续）

图7.击穿电压变化

与温度的关系

1.2

图8.导通电阻变化

与温度的关系

3.0

BV

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

1.1

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

2.5

2.0

1.0

1.5

1.0

※

注意事项：

1. V

GS

= 10 V

2. I

D

= 3.5 A

0.9

※

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

2. I

D

= 250 A

0.5

0.8

-100

-50

0

50

100

o

150

200

0.0

-100

-50

0

50

100

o

150

200

T

J

，结温[C]

T

J

，结温[C]

图9.最高安全工作区

图10.最大漏极电流

与外壳温度

8

10

2

10

s

10

1

100

s

I

D

，漏电流[ A]

10

0

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

DC

I

D

，漏电流[ A]

10

3

1ms

10ms

100ms

6

4

10

-1

*注意：

o

1. T

C

= 25 C

2. T

J

= 150 C

3.单脉冲

o

2

10

-2

10

0

10

1

10

2

V

DS

，漏SourceVoltage [V ]

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度[

℃

]

图11.瞬态热响应曲线

10

0

D=0.5

Z

？ JC

热响应

(t),

0.2

10

-1

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

t

1

t

2

10

-2

单脉冲

*注意：

(t)

1. Z

？ JC

= 0.72 ？ / W最大。

2.占空比，D = T

1

/t

2

3. T

JM

- T

C

= P

DM

* Z

？ JC

(t)

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

t

1

，方波脉冲持续时间（秒）

FQA7N65C版本A

4

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FQA7N65C 650V N沟道MOSFET

栅极电荷测试电路波形&

电阻开关测试电路波形&

非钳位感应开关测试电路波形&

FQA7N65C版本A

5

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2006年2月

QFET

FQA7N65C

650V N沟道MOSFET

特点

7A ， 650V ，R

DS （ ON）

= 1.4 @V

GS

= 10 V

低栅极电荷（典型的28 NC）

低的Crss （典型值12pF的）

快速开关

100％的雪崩测试

改进的dv / dt能力

描述

这些N沟道增强型功率场效应

晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面出品

条纹， DMOS技术。

这种先进的技术已特别针对

最大限度地减少通态电阻，优越的开关

性能，并能承受高能量脉冲雪崩

和减刑模式。这些装置非常适用于高

高效率开关电源，有源功率因数

基于半桥校正，电子镇流器

拓扑结构。

D

G

TO-3P

g DS的

常见问题解答系列

S

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GSS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

T

J

, T

英镑

T

L

漏源电压

漏电流

- 连续（T

C

= 25°C)

- 连续（T

C

= 100°C)

- 脉冲

（注1 ）

参数

FQA7N65C

650

7

4.45

28

±

30

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

单位

V

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W / ℃，

°C

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

C

= 25°C)

- 减免上述25℃

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒

212

7

17.3

4.5

173

1.38

-55到+150

300

热特性

符号

R

θJC

R

θJA

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

FQA7N65C

0.75

62.5

单位

° C / W

2006仙童半导体公司

1

www.fairchildsemi.com

FQA7N65C版本A

FQA7N65C 650V N沟道MOSFET

包装标志和订购信息

器件标识

FQA7N65C

设备

FQA7N65C

包

TO-3P

T

C

= 25 ° C除非另有说明

带尺寸

--

胶带宽度

--

QUANTITY

30

电气特性

符号

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

/

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

注意事项：

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

A

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= 650 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 520 V，T

C

= 125°C

V

GS

= 30 V, V

DS

= 0 V

V

GS

= -30 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

A

V

GS

= 10 V，I

D

= 3.5 A

V

DS

= 40 V，I

D

=3.5 A

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

（注4 ）

民

650

--

2.0

--

典型值

--

0.8

--

1.2

8

955

100

12

最大单位

--

1

10

100

-100

4.0

1.4

--

1245

130

16

V

V /°C的

A

nA

V

S

pF

ns

nC

基本特征

动态特性

开关特性

V

DD

= 325 V，I

D

= 7A,

R

G

= 25

--

（注4,5）

20

50

90

55

28

4.5

12

--

400

3.3

50

110

190

120

36

--

V

DS

= 520 V，I

D

= 7A,

V

GS

= 10 V

（注4,5）

--

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0 V，I

S

= 7 A

V

GS

= 0 V，I

S

= 7 A,

dI

F

/ DT = 100 A / μs的

（注4 ）

--

7

28

1.4

--

A

V

ns

C

1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 8mH ，我

AS

= 7A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25

,

起始物为

J

= 25°C

3. I

SD

≤

图7A中， di / dt的

≤200A/s,

V

DD

≤

BV

DSS ，

起始物为

J

= 25°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%

5.基本上是独立工作温度

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2

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FQA7N65C 650V N沟道MOSFET

典型性能特性

图1.区域特征

V

GS

15.0 V

10.0 V

8.0 V

7.0 V

6.0 V

5.5 V

底部： 5.0 V

上图：

图2.传输特性

10

1

10

1

I

D

，漏电流[ A]

I

D

，漏电流[ A]

150 C

o

10

0

10

0

25 C

o

-55 C

o

※

注意事项：

1. 250μs的脉冲测试

2. T

C

= 25

℃

※

注意事项：

1. V

DS

= 40V

2. 250μs的脉冲测试

10

-1

10

0

10

1

10

-1

2

4

6

8

10

V

DS

，漏源电压[V]

V

GS

，栅源电压[V]

图3.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和Temperatue

3.0

R

DS （ ON）

[ ],

漏源导通电阻

2.5

V

GS

= 10V

2.0

I

DR

，反向漏电流[ A]

10

1

10

0

150

℃

1.5

25

℃

※

注意事项：

1. V

GS

= 0V

2. 250μ s脉冲测试

V

GS

= 20V

※

注： T = 25

℃

J

1.0

0

5

10

15

10

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

I

D

，漏电流[ A]

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容特性

2000

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

(C

ds

=短路）

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

C

RSS

= C

gd

图6.栅极电荷特性

12

V

GS

，栅源电压[V]

1600

10

V

DS

= 130V

V

DS

= 325V

电容[ pF的]

C

国际空间站

1200

8

V

DS

= 520V

C

OSS

800

※

注意;

1. V

GS

= 0 V

2. F = 1 MHz的

6

4

400

C

RSS

2

※

注：我

D

= 7A

0

-1

10

0

10

1

0

4

8

12

16

20

24

28

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

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3

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FQA7N65C 650V N沟道MOSFET

典型性能特性

（续）

图7.击穿电压变化

与温度的关系

1.2

图8.导通电阻变化

与温度的关系

3.0

BV

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

1.1

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

2.5

2.0

1.0

1.5

1.0

※

注意事项：

1. V

GS

= 10 V

2. I

D

= 3.5 A

0.9

※

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

2. I

D

= 250 A

0.5

0.8

-100

-50

0

50

100

o

150

200

0.0

-100

-50

0

50

100

o

150

200

T

J

，结温[C]

T

J

，结温[C]

图9.最高安全工作区

图10.最大漏极电流

与外壳温度

8

10

2

10

s

10

1

100

s

I

D

，漏电流[ A]

10

0

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

DC

I

D

，漏电流[ A]

10

3

1ms

10ms

100ms

6

4

10

-1

*注意：

o

1. T

C

= 25 C

2. T

J

= 150 C

3.单脉冲

o

2

10

-2

10

0

10

1

10

2

V

DS

，漏SourceVoltage [V ]

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度[

℃

]

图11.瞬态热响应曲线

10

0

D=0.5

Z

？ JC

热响应

(t),

0.2

10

-1

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

t

1

t

2

10

-2

单脉冲

*注意：

(t)

1. Z

？ JC

= 0.72 ？ / W最大。

2.占空比，D = T

1

/t

2

3. T

JM

- T

C

= P

DM

* Z

？ JC

(t)

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

t

1

，方波脉冲持续时间（秒）

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