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FQA13N50C
QFET
FQA13N50C
500V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的,
平面条形, DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻,优越的开关
性能,并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适用于高效率的开关型电源,
有源功率因数校正,电子镇流器
基于半桥拓扑。
特点
13.5A , 500V ,R
DS ( ON)
= 0.48 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷(典型的43 NC)
低的Crss (典型值20pF的)
快速开关
100%的雪崩测试
改进的dv / dt能力
D
!
G
!
TO-3P
g DS的
常见问题解答系列
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续(T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续(T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
(注1 )
FQA13N50C
500
13.5
8.5
54
±
30
(注2 )
(注1 )
(注1 )
(注3)
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃,
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散(T
C
= 25°C)
860
13.5
21.8
4.5
218
1.56
-55到+150
300
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的,
8分之1 & QUOT ;从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θJS
R
θJA
参数
热阻,结到外壳
热电阻,凯斯到水槽典型。
热阻,结到环境
典型值
--
0.24
--
最大
0.58
--
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2004仙童半导体公司
版本A , 2004年10月
FQA13N50C
电气特性
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V ,T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
500
--
--
--
--
--
--
0.5
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
基本特征
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V,I
D
= 6.75 A
V
DS
= 40 V,I
D
= 6.75 A
(注4 )
2.0
--
--
--
0.39
15
4.0
0.48
--
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
1580
180
20
2055
235
25
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 400 V,I
D
= 13.5 A,
V
GS
= 10 V
(注4,5)
V
DD
= 250 V,I
D
= 13.5 A,
R
G
= 25
(注4,5)
--
--
--
--
--
--
--
25
100
130
100
43
7.5
18.5
60
210
270
210
56
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
V
GS
= 0 V,I
S
= 13.5 A
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,I
S
= 13.5 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
(注4 )
--
--
--
--
--
--
--
--
410
4.5
13
52
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
注意事项:
1.重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温
2, L = 5.6mH ,我
AS
= 13.5A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
13.5A , di / dt的
200A / μs的,V
DD
BV
DSS ,
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%
5.基本上是独立工作温度
2004仙童半导体公司
版本A , 2004年10月
FQA13N50C
典型特征
10
1
I
D
,漏电流[ A]
I
D
,漏电流[ A]
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部: 4.5 V
上图:
10
1
150 C
-55 C
o
o
25 C
10
0
o
10
0
注意事项:
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25
注意事项:
1. V
DS
= 40V
2. 250μs的脉冲测试
10
-1
10
-1
-1
10
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
,漏源电压[V]
V
GS
,栅源电压[V]
图1.区域特征
图2.传输特性
R
DS ( ON)
[ ],
漏源导通电阻
I
DR
,反向漏电流[ A]
1.5
V
GS
= 10V
10
1
1.0
10
0
V
GS
= 20V
0.5
注:t
J
= 25
150
25
-1
注意事项:
1. V
GS
= 0V
2. 250μs的脉冲测试
0
5
10
15
20
25
30
35
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
,漏电流[ A]
V
SD
,源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化VS
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
12
3000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路)
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
V
DS
= 100V
10
V
GS
,栅源电压[V]
2500
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
C
国际空间站
电容[ pF的]
2000
8
1500
C
OSS
6
1000
C
RSS
500
注意事项;
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
4
2
注:我
D
= 13.5A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
,漏源电压[V]
Q
G
,总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
2004仙童半导体公司
版本A , 2004年10月
FQA13N50C
典型特征
(续)
1.2
3.0
BV
DSS
(归一化)
漏源击穿电压
1.1
R
DS ( ON)
(归一化)
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
注意事项:
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 6.75 A
0.9
注意事项:
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
,结TEM
规律[ C]
T
J
,结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度
图8.导通电阻变化
与温度
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS ( ON)
14
12
I
D
,漏电流[ A]
10
s
100
s
10
1
I
D
,漏电流[ A]
3
10
8
6
4
2
0
25
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
10
0
注意事项:
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
50
75
100
125
150
V
DS
,漏源电压[V]
T
C
,外壳温度[
]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
10
0
Z
θ
JC
(T ) ,热响应
D = 0 .5
0 .2
10
-1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
10
-2
N 2 O TE S:
1 . Z
θ
J·C
(t) = 0 .5 8
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R,D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
P
DM
t
1
S IN克乐P ü LS ê
t
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
,S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线FQA13N50C
2004仙童半导体公司
版本A , 2004年10月
FQA13N50C
栅极电荷测试电路波形&
50KΩ
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
DS
V
GS
10V
Q
gs
Q
g
V
GS
Q
gd
DUT
3mA
收费
电阻开关测试电路波形&
V
DS
R
G
10V
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90%
DUT
V
GS
10%
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
非钳位感应开关测试电路波形&
L
V
DS
I
D
R
G
10V
t
p
BV
DSS
1
E
AS
= ---- L I
AS2
--------------------
2
BV
DSS
- V
DD
BV
DSS
I
AS
V
DD
I
D
(t)
V
DD
t
p
DUT
V
DS
(t)
时间
2004仙童半导体公司
版本A , 2004年10月
www.fairchildsemi.com
AN-8027
FAN480X的PFC + PWM组合控制器中的应用
FAN4800A / FAN4800C / FAN4801 / FAN4802 / FAN4802L
介绍
本应用笔记介绍一步一步设计
考虑使用FAN480X一个电源
控制器。该FAN480X结合了PFC控制器和
一个PWM控制器。 PFC控制器采用平均
电流模式控制的连续导通模式
( CCM)升压转换器中的前端。该PWM
控制器可以在任一电流模式或电压使用
模式为下游的转换器。在电压模式中,
馈从PFC输出总线可用于
提高PWM级的线路瞬态响应。在
两种模式下, PWM级采用常规的后延
边占空比调制,而PFC使用leading-
边缘调制。这种专有的前/后缘
调制技术可以显著减小纹波
当前PFC输出电容器。
在PWM与PFC的同步简化了
在PWM补偿由于在受控波纹
PFC输出电容器( PWM输入电容) 。在
除了功率因数校正,一些保护
功能已经内置到FAN480X 。这些措施包括
可编程软启动, PFC过电压保护,
脉冲由脉冲电流限制,欠压保护,并
欠压锁定功能。
FAN4801 / 2 / 2L特性可编程的两级式PFC
输出以提高轻负载和低效率的线
条件。
FAN480X是引脚对引脚FAN4800和兼容
ML4800 ,只需要调整一些外围的
组件。该FAN480X系列比较
概列于附录A.
F
1
AC
输入
L
BOOST
D
BOOST
C
BOOST
Q
1
V
布特
R
FB1
DRV
L
1
1
Q
2
D
R1
D
R1
D
F1
L
1
2
C
IF1
Vo1
DRV
R
CS1
R
坡道
D1
D2
D
R2
DRV
C
O11
C
O12
L
22
L
2
D
F2
1
Vo2
Q
3
D
R2
C
O21
C
O22
C
IC2
R
LF1
R
T
R
RMS2
C
LF1
C
SS
R
B
R
LF2
R
CS2
R
IAC
R
IC
国际能源署(IEA)
IAC
ISENSE
VRMS
SS
FBPWM
R
RMS1
C
RMS1
C
IC1
VEA
FBPFC
VREF
VD
D
OPFC
OPWM
GND
ILIMIT
R
D
Vo
1
R
BIAS
V
D
D
R
VC
C
VC2
C
VC1
C
F
R
F
R
OS1
Vo2
C
RMS2
R
RMS3
C
T
RT / CT
坡道
R
OS2
R
OS3
FAN480X
C
坡道
C
B
R
FB2
C
FB
C
LF2
C
DD
C
REF
图1. FAN480X的典型应用电路
2009仙童半导体公司
修订版1.0.0 09年8月26日
www.fairchildsemi.com
AN-8027
功能说明
增益调制器
增益调制器的PFC级,因为密钥块
它提供的参考电流控制误差
放大器,用于将输入电流整形,如图
2.增益调制器的输出电流为V的函数
EA
,
I
AC
和V
RMS
。增益调制器的增益是由于在
数据表我之间的比值
MO
AC
与给定的
V
RMS
当V
EA
饱和到高电平。增益成反比
正比于V
RMS2
所示,在图3中,为了实现
行前馈。这会自动调整参考
根据线路的电流控制误差放大器
电压,使得PFC变换器的输入功率是不
改变与线电压。
V
IN
I
L
然而,一旦PFC停止开关动作时,结
桥式二极管的电容不放电和V
IN
of
图2中被钳位在电源电压的峰值。然后,
VRMS引脚的电压由下式给出:
V
RMS NS
=
V
LINE
2
R
RMS
3
R
RMS
1
+
R
RMS
2
+
R
RMS
3
(2)
因此,该分压器用于VRMS应
设计考虑欠压保护跳闸点
和最小工作线电压。
PFC运行
V
IN
PFC停止
国际能源署(IEA)
R
ISENS
E
R
RMS1
R
IAC
C
RMS1
C
RMS2
I
AC
IA
C
VRMS
VEA
k
x
2
M
R
M
I
MO
=
G
I
AC
=
I
AC
K
(
V
EA
0.7)
V
RMS
2
(
V
EA MAX
0.7)
V
RMS
R
RMS2
R
RMS3
收益
调制器
图4. V
RMS
根据PFC操作
图2.增益调制器模块
由电流获得的整流的正弦信号
流入IAC引脚。电阻器R
IAC
应大
足以防止增益调制器的饱和度:
2
V
LINE
.
BO
G
最大
& LT ;
159
μ
A
(3)
R
IAC
其中,V
LINE.BO
是线电压欠压跳闸
保护,G
最大
为在最大增益调制器V
RMS
是1.08V (这可以在数据表中可以找到) ,并为159μA
增益调制器的最大输出电流。
G
1
V
RMS
2
升压级的电流和电压控制
如图5所示, FAN480X采用两个控制
循环的功率因数校正:电流控制回路
和一个电压控制环路。电流控制环的形状
电感器的电流,如图6中所示,根据该
在IAC引脚得到的参考信号:
V
RMS
V
RMS - UVP
图3.调制增益特性
I
L
R
CS
1
=
I
MO
R
M
=
I
AC
G
R
M
(4)
以感测线电压的RMS值,平均化
电路与两极通常采用,如图
图2. VRMS销在正常的PFC电压
操作被给定为:
V
RMS
=
V
LINE
2
R
RMS
3
2
R
RMS
1
+
R
RMS
2
+
R
RMS
3
π
(1)
其中,V
LINE
是线电压的有效值。
2009仙童半导体公司
修订版1.0.0 09年8月26日
www.fairchildsemi.com
2
AN-8027
V
IN
I
L
V
O
它典型地,设置第二升压输出电压为
340V~300V
.
R
CS1
R
F1
ISENSE
R
RMS1
R
IAC
C
RMS1
C
RMS2
I
AC
C
F1
IAC
VRMS
VEA
R
VC
R
VC2
FBPFC
R
VC1
2.5V
R
FB2
+
R
M
R
M
国际能源署(IEA)
R
IC
I
MO
C
IC2
驱动逻辑
C
IC1
R
RMS2
VREF
R
RMS3
-
OPFC
R
FB1
两级PFC输出图7座
振荡器
FAN480X的内部振荡器频率
通过RT / CT定时电阻和电容决定
引脚。内部振荡器的频率由下式给出:
f
OSC
=
1
0.56
R
T
C
T
+
360
C
T
(6)
图5.增益调制模块
I
AC
I
MO
R
M
R
CS
1
I
L
图6.电感电流整形
电压控制环路调节PFC输出电压
使用内部误差放大器,使得FBPFC电压
是同一个2.5V的内部基准。
由于FAN480X的PWM阶段一般采用
正激变换器中,需要限制最大占空比
周期为50%。有一个小的公差最大的
占空比,分频器与肘节触发器是
使用时,如示于图8的操作频率
PFC和PWM级是振荡器的四分之一(1/4)
频率。 (对于FAN4800C和FAN4802 / 2L时,
对于PFC工作频率和PWM阶段是1
四分之一(1/4 )和振荡器频率的一半(1/2 ) ,
分别) 。
的死区时间为PFC栅极驱动信号被确定
由等式:
t
DEAD
=
360
C
T
(7)
掉电保护
FAN480X有一个内置的内部掉电保护
比较器监测VRMS引脚的电压。一旦
在VRMS引脚电压高于1.05V ( 0.9V更低
FAN4802L ) , PFC级是关机保护
系统的过电流。该FAN480X启动的
提升阶段,一旦V
RMS
电压增加到1.9V以上
( 1.65V为FAN4802L ) 。
死区时间应的开关小于2 %
期间,尽量减少周围线路的零线电流畸变
道口。
两级PFC输出
为了改善在低交流线电压的系统效率和
轻载状态, FAN480X提供了两个级别的PFC
输出电压。如图7 , FAN480X显示器
V
EA
和V
RMS
电压调节PFC输出电压。
当V
EA
和V
RMS
比阈值低,在
20的内部电流源
A被启用流
通过研究
FB2
,增加FBPFC端子的电压。
这将导致PFC输出电压降低时, 20
A
使能时,计算公式为:
VREF
RT /
CT
T- FF
Q
T- FF
T
Q
OPFC , OPWM
OSC
OPWM ( FAN4800C , FAN4802 / 2L )
图8.振荡器配置
V
OPFC
2
=
R
FB
1
+
R
FB
2
×
(2
.
5
-
20
μA
×
R
FB
2
)
R
FB
2
(5)
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RT /
CT
V
布特
REF
1.5V
坡道
PWM
-
+
PFC死区时间
R
坡道
OPFC
C
坡道
OPWM
FBPWM
OPWM ( FAN4800C , FAN4802 / 2L )
图9. FAN480X时序图
图10. PWM斜坡产生电路
PWM级
PWM的阶段能够电流模式或电压 -
模式的操作。在电流模式的应用中,PWM
斜坡( RAMP )通常是直接从目前的衍生
感测电阻器或电流互感器中的主
输出级,且由此代表了当前的
流过转换器的输出级。我
极限
,这
提供逐周期电流限制,通常是
连接在这些应用中,以RAMP 。
为电压模式操作,斜坡可以被连接到一个
单独的RC计时网络来产生斜坡电压
针对其FBPWM电压进行比较。在这些
条件下,使用电压前馈从PFC
总线可以用于更好的线路瞬态响应。
无电压误差放大器包括在PWM级,
因为该功能是通过一个可编程通常进行
并联稳压器,如KA431 ,在二次侧。对
促进光耦反馈电路的设计中,一个
偏移电压是内置的PWM的反相输入端
比较器,允许FBPWM指挥零
当其引脚电压低于1.5V %的占空比。
PWM电流限制
该ILIMIT销是直接输入到周期接一个周期的
限流器的PWM部分。如果在输入电压
该引脚电压大于1V时,PWM输出将被禁用
直到下一个PWM时钟周期的开始。
V
IN
OK比较
在V
IN
OK比较器监视PFC的输出
阶段和抑制PWM级,如果这电压小于
2.4V (标称值的96 % ) 。一旦这个电压变
上述2.4V时,PWM阶段开始软启动。
PWM软启动( SS )
PWM的启动是由软启动电容控制。一
10μA的电流源供给的充电电流的
软启动电容。禁止PWM的启动,直到
软启动电容电压达到1.5V 。
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设计注意事项
在本节中,一个设计方法,用所提出的
示意于图11作为参考。 300W的PC电源
具有通用输入范围电源应用中被选作
一个设计实例。设计规格
总结在0.双开关正激变换器使用
对于DC / DC转换阶段。
设计规范
输出1的额定电压
输出1的额定电流
输出2额定电压
输出2的额定电流
3输出的额定电压
3输出的额定电流
4输出的额定电压
4输出的额定电流
额定输出功率
线路电压范围
行频
掉电保护线电压
总的来说级效率
V
OUT1
= 5V
I
OUT1
= 9A
V
out2
= 12V
I
OUT2
= 16.5A
V
OUT3
= -12V
I
OUT3
= 0.8A
V
OUT4
= 3.3V
I
OUT4
= 13.5A
P
O
= 300W
85~264V
AC
50Hz
72V
AC
η
= 0.82
PWM级效率
保持时间
最小PFC输出电压
PFC标称输出电压
PFC输出电压纹波
PFC电感纹波电流
交流输入电压频率
开关频率
总谐波失真
磁通量密度
电流密度
PWM最大占空比
5V输出电流纹波
12V输出电流纹波
F
1
AC
输入
L
BOOST
D
BOOST
C
BOOST
Q
1
V
布特
R
FB1
DRV
η
PWM
= 0.86
t
HLD
= 20ms的
310V
V
O
_
PFC
= 387V
12V
PP
的dI = 40 %
f
LINE
= 50 60HZ
f
S
= 65kHz的
α
= 4%
ΔB
= 0.27T
D
CMA
= 400 -M / A
D
最大
= 0.35
I
Lo1
= 44%
I
Lo2
= 10%
L
1
1
Q
2
D
R1
D
R1
D
F1
L
1
2
C
IF1
V
o1
DRV
R
CS1
R
坡道
D1
D2
D
R2
DRV
C
O11
C
O12
L
22
L
2
D
F2
1
V
o2
Q
3
D
R2
C
O21
C
O22
C
IC2
R
LF1
R
T
R
RMS2
C
LF1
C
SS
R
B
R
LF2
R
CS2
V
o3
V
o4
R
IAC
R
IC
国际能源署(IEA)
R
RMS1
C
RMS1
C
IC1
VEA
FBPFC
VREF
VD
D
OPFC
OPWM
GND
ILIMIT
R
D
V
o1
IAC
ISENSE
VRMS
SS
FBPWM
R
BIAS
V
D
D
R
VC
C
VC2
C
VC1
C
F
R
F
R
OS1
V
o2
C
RMS2
R
RMS3
C
T
RT / CT
坡道
R
OS2
R
OS3
FAN480X
C
坡道
C
B
R
FB2
C
FB
C
LF2
C
DD
C
REF
图11.参考电路设计实例
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