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FQA11N90C_F109 N沟道
QFET
MOSFET
2013年4月
FQA11N90C_F109
N沟道
QFET
MOSFET
900 V， 11 A， 1.1 Ω
特点
11 A， 900 V ，R
DS （ ON）
= 1.1
（ MAX 。 ）
@ V
GS
= 10 V,
I
D
= 5.5 A
= LOW
栅极电荷
（典型值60 NC ）
低的Crss （典型值23 pF的）
100%
雪崩测试
符合RoHS
柔顺
描述
这种N沟道增强型功率MOSFET是
利用飞兆半导体公司生产的
专有的平面
条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET
技术已特别针对减少通态
阻力，从而能够提供优越的开关性能和
高雪崩能量强度。这些器件适用于
开关模式电源，有源功率因数校正
（PFC） ，和电子镇流器。
D
G
G
D
S
TO-3PN
S
绝对
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
- 脉冲
（注1 ）
参数
FQA11N90C_F109
900
11.0
6.9
44.0
±
30
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
960
11.0
30
4.0
300
2.38
-55到+150
300
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳，
马克斯。
热电阻，凯斯到库，
典型值。
热阻，结到环境，
马克斯。
FQA11N90C_F109
0.42
0.24
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2007仙童半导体公司
FQA11N90C_F109启示录
C0
1
www.fairchildsemi.com
FQA11N90C_F109 N沟道
QFET
MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FQA11N90C
设备
FQA11N90C_F109
包
TO-3PN
带尺寸
--
胶带宽度
--
QUANTITY
30
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 900 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 720 V，T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.5 A
V
DS
= 50 V，I
D
= 5.5 A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
（注4 ）
民
900
--
--
--
--
--
3.0
--
--
--
--
--
典型值
--
1.02
--
--
--
--
--
0.91
9.0
2530
215
23
最大单位
--
--
10
100
100
-100
5.0
1.1
--
3290
280
30
V
V /°C的
A
A
nA
nA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
基本特征
动态特性
开关特性
V
DD
= 450 V，I
D
= 11.0A,
R
G
= 25
--
--
--
（注4,5）
60
130
130
85
60
13
25
--
--
--
1000
17.0
130
270
270
180
80
--
--
--
--
--
V
DS
= 720 V，I
D
= 11.0A,
V
GS
= 10 V
（注4,5）
--
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
=11.0 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 11.0 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
11.0
44
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 15MH ，我
AS
= 11.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
11.0A ， di / dt的
≤200A/s,
V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
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FQA11N90C_F109 N沟道
QFET
MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
上图：
图2.传输特性
10
1
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
150 C
-55 C
o
o
10
0
25 C
10
0
o
10
-1
※
注意事项：
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25
℃
-1
0
1
10
-1
※
注意事项：
1. V
DS
= 50V
2. 250μ s脉冲测试
10
10
10
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
2.5
R
DS （ ON）
[ ],
漏源导通电阻
I
DR
，反向漏电流[ A]
2.0
V
GS
= 10V
V
GS
= 20V
10
1
1.5
10
0
1.0
150
℃
25
℃
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
※
注：t
J
= 25
℃
0.5
0
5
10
15
20
25
30
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
4500
4000
3500
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
图6.栅极电荷特性
12
C
国际空间站
V
GS
，栅源电压[V]
10
V
DS
= 180V
V
DS
= 450V
V
DS
= 720V
电容[ pF的]
3000
2500
8
C
OSS
2000
1500
1000
500
0
-1
10
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
6
4
C
RSS
2
※
注：我
D
= 11A
0
10
0
10
1
0
10
20
30
40
50
60
70
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
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FQA11N90C_F109 N沟道
QFET
MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 5.5 A
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
12
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
s
100
s
10
1
1毫秒
10毫秒
DC
8
6
10
0
4
10
-1
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
2
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图11.瞬态热响应曲线
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
D = 0 .5
10
-1
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
( t) = 0 . 4 2
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A （C T） R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
( t)
P
DM
t
1
S IN克乐P ü LS ê
10
-2
0 .0 1
t
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]
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QFET
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栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
非钳位感应开关测试电路波形&
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    联系人：杨小姐
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    FQA11N90C-F109
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    -
    -
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联系人：彭小姐
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