FPM2750QFN
L
OW
N
OISE
H
室内运动场
L
INEARITY
B
宠辱不惊
A
MPLIFIER
M
ODULE
F
EATURES
:
平衡式低噪声放大器模块
出色的噪声系数： 0.4分贝在1850MHz
低驱动电流： 40毫安典型（ 3.0V ）
结合IP3 ： 36dBm的（百毫安）
组合的P1dB ： 23dBm的（百毫安）
占地面积小：采用4mm x 4mm X 0.9毫米QFN
符合RoHS （ 2002/95 / EC指令）
数据手册V2.5
P
ACKAGE
:
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FPM2750QFN是封装对
赝
高
电子
流动性
晶体管（ pHEMT制）进行专门的优化
均衡配置系统。该费尔多尼克
0.25微米工艺确保了同级领先的噪音
性能。
使用小尺寸
塑料封装设计，具有成本效益的总
系统实施。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
无线基础设施：建筑安装
放大器和前端的低噪声放大器
EGSM / PCS / WCDMA / UMTS基站
高拦截点低噪声放大器
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
（如测得的各设备上，除非另有说明） ：
P
ARAMETER
噪声系数
S
YMBOL
NF
C
ONDITIONS
VDS = 3.0 V ; IDS = 40毫安
VDS = 4.0 V ; IDS = 100毫安
M
IN
T
YP
0.4
0.6
32
M
AX
U
尼特
dB
输出IP3
在平衡模式
SSG在平衡模式
IP3
VDS = 3.0 V ; IDS = 40毫安
VDS = 4.0 V ; IDS = 100毫安
33
DBM
36
18.5
dB
SSG
VDS = 3.0 V ; IDS = 40毫安
VDS = 4.0 V ; IDS = 100毫安
17.5
20
21
DBM
P1dB为平衡模式
P1dB
VDS = 3.0 V ; IDS = 40毫安
VDS = 4.0 V ; IDS = 100毫安
21.5
23.5
19.0
19.5
17.5
17.5
DBM
dB
小信号增益
SSG
VDS = 3.0 V ; IDS = 40毫安
VDS = 4.0 V ; IDS = 100毫安
功率1分贝增益压缩
P1dB
VDS = 3.0 V ; IDS = 40毫安
VDS = 4.0 V ; IDS = 100毫安
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热阻
IDSS
IMAX
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
θJC
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -5V
VDS = 1.3 V ; IDS = 0.75毫安
IGS = 0.75毫安
IGD = 0.75毫安
1W功耗，外壳温度22°C
185
230
375
200
5
280
mA
mA
mS
μA
0.7
1.0
16
16
124
1.3
V
V
V
° C / W
注：t
环境
= 22 ° ;在f = 1850MHz使用CW信号（特别注明的除外），测量RF规范。
1
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
电子邮件： sales@filcs.com
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www.filtronic.com
FPM2750QFN
数据手册V2.5
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
阿婷
(
每个晶体管
)
1
:
P
ARAMETER
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率（注2 ）
通道工作温度
储存温度
总功率耗散（注3 ）
增益压缩
S
YMBOL
VDS
VGS
IDS
IG
针
总胆固醇
TSTG
P合计
比较。
T
美东时间
C
ONDITIONS
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
6V
-3V
对于VDS < 2V
正向或反向电流
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
IDSS
7.5mA
150mW
175°C
-55 ° C至150℃
1W
5dB
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
T
环境
= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对最大额定值的任何一个可能
对器件造成永久性损坏
1 ： RF输入，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
总功耗定义为：P
合计
= P
DC
+ P
IN
– P
OUT
其中，P
DC
= DC偏置功率P
IN
= RF输入功率，P
OUT
RF输出功率
总功耗应降额以上22°C ，如下所示：
P
合计
= (150 – T
例
) /
Θ
JC
W
其中T
例
=导热衬垫的包装上的下侧的温度
Θ
JC
线性增加，从124 ° C / W的一件T
例
22℃以一件T 145℃ / W的
例
145℃
对QFN封装风格的安装，以获得最佳的散热性能信息，请访问
请求。
B
IASING
G
UIDELINES
:
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
否则的pHEMT可被诱导以自振荡。请联系您的销售代表
附加信息。
双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负电压
供应在FPM2750QFN使用耗尽型器件
自偏置电路采用的RF -旁路源电阻，以提供负栅 - 源极
偏置电压，并且这些电路提供一些的温度稳定的设备。标称
值电路的发展为4
Ω
为IDSS的工作点的50％。
对于标准的A类操作， IDSS偏置点的50％的建议。少量
在压缩之前的发作RF增益扩张是正常的，这个工作点。 A / B类
的25-33 ％偏置可为NF和OIP3优化的解决方案。
2
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费尔多尼克化合物半导体有限公司
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FPM2750QFN
数据手册V2.5
R
指南
D
ESIGN
1850MH
Z
(B
宠辱不惊
O
PERATION
):
注：包装示意图
注：评估板可应要求提供借鉴。
材料清单：
D
esignator
C1, C2, C3, C4
C5, C6, C7, C8, C9, C17
C10, C18, C19, C20
C11, C12, C13, C14, C15,
C16
C25, C26, C27, C29
L1, L2, L3, L4
Q2
R1, R2
R3, R4, R5, R6
W1, W2
RF1 ， RF2
(V1, V2)
评估板
S
UPPLIER
RS Components公司
RS Components公司
RS Components公司
RS Components公司
RS Components公司
RS Components公司
费尔多尼克
RS Components公司
RS Components公司
安伦
RS Components公司
RS Components公司
费尔多尼克
P
艺术
N
棕土
464-6587
464-6385
264-4602
464-6543
406-0006
484-1372
FPM2750QFN
213-2042
213-2143
1P503
363-4707
453-173
EBD15PA
D
ESCRIPTION
CAP-20pF-0805-+/-5%-50V(MIN)-LOW_ESR
CAP-10pF-0603-5%-50V-COG
CAP-22nF-0603-10%-50V
CAP-47nF-0603-+80/-20%-50V-Y5V
CAP-1uF-CASEB-20%-35V-TANT
IND-12nH-2012(0805)-5%-600mA-HQ
双FPD750 - QFN4x4
RESIST-22ohm-1608(0603)-1%-0.1W
RESIST-100ohm-1608(0603)-1%-0.1W
混合耦合器
SMA侧面安装射频连接器
DC连接器（ 4路）
31mil厚FR4
1/2盎司铜的两侧
Q
UANTITY
4
6
4
6
4
4
1
2
4
2
2
2
1
3
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数据手册V2.5
R
指南
D
ESIGN
1850MH
Z
(S
炉火
E
NDED
O
PERATION
):
注：包装示意图
注：评估板可应要求提供借鉴。
材料清单：
D
esignator
C1, C2, C3, C4
C5, C6, C7, C8, C9, C17
C10, C18, C19, C20
C11, C12, C13, C14, C15,
C16
C25, C26, C27, C29
L1, L2, L3, L4
Q2
R1, R2
RF1 ， RF2 ， RF3 ， RF4
(V1, V2)
评估板
S
UPPLIER
RS Components公司
RS Components公司
RS Components公司
RS Components公司
RS Components公司
RS Components公司
费尔多尼克
RS Components公司
RS Components公司
RS Components公司
费尔多尼克
P
艺术
N
棕土
464-6587
464-6385
264-4602
464-6543
406-0006
484-1372
FPM2750QFN
213-2042
363-4707
453-173
EBD12PA
D
ESCRIPTION
CAP-20pF-0805-+/-5%-50V(MIN)-LOW_ESR
CAP-10pF-0603-5%-50V-COG
CAP-22nF-0603-10%-50V
CAP-47nF-0603-+80/-20%-50V-Y5V
CAP-1uF-CASEB-20%-35V-TANT
IND-12nH-2012(0805)-5%-600mA-HQ
双FPD750 - QFN4x4
RESIST-22ohm-1608(0603)-1%-0.1W
SMA侧面安装射频连接器
DC连接器（ 4路）
31mil厚FR4
1/2盎司铜的两侧
Q
UANTITY
4
6
4
6
4
4
1
2
4
2
1
4
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YPICAL
M
EASURED
P
ERFORMANCE
O
N
E
估价
B
OARD
: B
宠辱不惊
O
PERATION
条件： VDS = 3V ， IDS = 40毫安（每台设备） ， 50Ω环境和T
A
= +22
°C
除非另有说明，
否则。显示所有的测量都参考评估电路板连接器。
0.9
0.8
输入回波损耗（dB ）
1.70
1.75
1.80
1.85
1.90
频率（千兆赫）
1.95
2.00
0.7
0.6
NF（ dB）的
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
-50
1.0
2.0
3.0
频率（千兆赫）
4.0
5.0
-10
-20
-30
-40
0
0
输出回波损耗（dB ）
-10
-20
-30
-40
-50
-60
1.0
2.0
3.0
频率（千兆赫）
4.0
5.0
增益（dB ）
21
20
19
18
17
16
15
14
13
1.80
1.85
1.90
频率（千兆赫）
1.95
2.00
'-40 °C'
'20 °C'
'80 °C'
24
23
输出P1dB为（ DBM）
输出IP3 （ dBm的）
22
21
20
19
18
17
16
1.80
1.85
1.90
频率（千兆赫）
1.95
2.00
'-40 °C'
'20 °C'
'80 °C'
38
36
34
32
30
28
26
1.80
1.85
1.90
频率（千兆赫）
1.95
2.00
'-40 °C'
'20 °C'
'80 °C'
5
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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