FPF1107 / FPF1108 - 高级负载管理开关
2009年11月
FPF1107 / FPF1108
高级负载管理开关
特点
1.2V至4V的输入电压工作范围
典型
DS （ ON）
:
- 35mΩ在V
IN
=3.3V
-
-
55mΩ在V
IN
=1.8V
85mΩ在V
IN
=1.2V
描述
该FPF1107 / 08顷低R
DS
P沟道MOSFET的负载
中的IntelliMAX 系列交换机。集成的压摆率
控制防止浪涌电流毛刺电源轨
在电源应用中常见的容性负载。
输入电压范围为1.2V至4V至工作
完成今天的最低超便携设备电源
要求。开关控制是通过一个逻辑输入（ ON引脚）
可直接与低电压CMOS接口的
控制信号，并在嵌入式处理器的GPIO。
压摆率控制伴t
R
: 130s
在FPF1108输出放电功能
低<1μA静态电流在V
ON
=V
IN
ESD保护：以上4000V HBM ， 2000V CDM
GPIO / CMOS兼容使能电路
应用
移动设备和智能手机
便携式媒体设备
数码相机
先进的笔记本， UMPC ， MID
便携式医疗设备
GPS和导航设备
订购信息
部分
数
FPF1107
FPF1108
开关
部分
输入
产量
ON引脚
（典型值）
记号
缓冲放电活动
在1.8V
IN
QC
QD
55m
55m
CMOS
CMOS
NA
65
活跃
高
活跃
高
t
R
130s
130s
ECO
状态
绿色
绿色
包
4球，晶圆级
芯片级封装
（WLCSP ） ， 1.0× 1.0mm时，
0.5mm间距
对于生态地位飞兆半导体的定义，请访问：
http://www.fairchildsemi.com/company/green/rohs_green.html 。
2009仙童半导体公司
FPF1107 / FPF1108 版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
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应用框图
V
IN
C
IN
OFF ON
ON
V
OUT
FPF1107/FPF1108
GND
C
OUT
加载
图1.典型应用
注意事项：
1. C
IN
= 1μF ， X5R ， 0603 ，例如村田GRM185R60J105KE26
2. C
OUT
= 1μF ， X5R ， 0805 ，例如村田GRM216R61A105KA01
框图
FPF1107/8
图2.框图（输出放电的FPF1108只）
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销刀豆网络gurations
图3. 1个1毫米WLCSP封装凸点朝下
图4. 1个1毫米WLCSP颠簸朝上
V
OUT
GND
A1
A2
V
IN
ON
V
IN
ON
A2
A1
V
OUT
GND
B2
B1
B1
B2
图5.引脚分配（顶视图）
图6.引脚分配（底视图）
引脚德网络nitions
针＃
A1
A2
B1
B2
名字
V
OUT
V
IN
GND
ON
描述
开关输出
电源输入：输入电源开关。
地
ON / OFF控制，高电平有效
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绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
V
IN
I
SW
P
D
T
英镑
T
A
Θ
JA
V
IN
, V
OUT
, V
ON
到GND
参数
最大连续开关电流
在T功耗
A
=25°C
存储结温
工作温度范围
热阻，结到环境
1S2P 1散热孔
1S2P无散热孔
人体模型，
JESD22-A114
带电器件模型，
JESD22-C101
分钟。
-0.3
马克斯。
4.2
1.2
1.0
单位
V
A
W
°C
°C
° C / W
-65
-40
+150
+85
95
187
4
kV
2
ESD
静电放电能力
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计，以绝对最大额定值。
符号
V
IN
T
A
电源电压
参数
工作环境温度
分钟。
1.2
-40
马克斯。
4.0
+85
单位
V
°C
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电气特性
除非另有说明，V
IN
= 1.2 4.0V ，T
A
= -40+ 85°C ，典型值是在V
IN
= 3.3V和T
A
=25°C.
符号
基本操作
V
IN
I
Q（ OFF）
I
SD （OFF）的
I
Q
参数
电源电压
OFF电源电流
关闭开关电流
静态电流
条件
分钟。
1.2
典型值。
马克斯。
4.0
1
1
1
3
单位
V
μA
μA
μA
V
ON
= GND V
OUT
=打开，V
IN
=4V
V
ON
= GND V
OUT
= GND
I
OUT
= 0毫安，V
ON
=V
IN
I
OUT
= 0毫安，V
ON
＆ LT ; V
IN
V
IN
= 3.3V ，我
OUT
= 200毫安，T
A
=25°C
V
IN
= 1.8V ，我
OUT
= 200毫安，T
A
=25°C
35
55
70
85
65
65
1.1
50
70
m
150
100
110
V
0.35
V
μA
μs
μs
μs
95
120
215
2.5
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
2.5
μs
μs
μs
μs
μs
μs
1
R
ON
抗性
V
IN
= 1.5V ，我
OUT
= 200毫安，T
A
=25°C
V
IN
= 1.2V ，我
OUT
= 200毫安，T
A
=25°C
V
IN
= 1.8V ，我
OUT
= 200毫安，T
A
=85°C
(3)
R
PD
V
IH
V
IL
I
ON
t
DON
t
R
t
ON
t
DON
t
R
t
ON
FPF1107
t
DOFF
t
F
t
关闭
t
DOFF
t
F
t
关闭
FPF1108
t
DOFF
t
F
t
关闭
t
DOFF
t
F
t
关闭
(5)
输出放电
拆毁
ON输入逻辑高电压
ON输入逻辑低电压
关于输入泄漏
导通延迟
开启时间
(4)
(4)
V
IN
=3.3V, V
ON
= 0V时，我
FORCE
=20mA,
T
A
= 25 ° C， FPF1108
V
IN
= 1.2V至4.0V
V
IN
= 1.2V至4.0V
V
ON
=V
IN
或GND
-1
动态特性
V
OUT
上升时间
导通延迟
开启时间
V
IN
= 3.3V ，R
L
=10, C
L
=0.1F,
T
A
= 25 ° C， FPF1107 / 8
80
130
210
70
95
165
2.0
2.2
4.2
7.0
110
117
2.0
1.9
3.9
2.5
10.6
13.1
(4,6)
(4)
(4)
V
OUT
上升时间
(4,6)
V
IN
= 3.3V ，R
L
=500, C
L
=0.1F,
T
A
= 25 ° C， FPF1107 / 8
关断延时
V
OUT
下降时间
打开-O FF
(4,7)
(4)
(4)
V
IN
= 3.3V ，R
L
=10, C
L
=0.1F,
T
A
=25°C
关断延时
V
OUT
下降时间
打开-O FF
(4,7)
(4)
(4)
V
IN
= 3.3V ，R
L
=500, C
L
=0.1F,
T
A
=25°C
关断延时
V
OUT
下降时间
打开-O FF
(4,7)
(4)
(4)
V
IN
= 3.3V ，R
L
=10, C
L
=0.1F,
R
PD
=65, T
A
=25°C
关断延时
V
OUT
下降时间
打开-O FF
(4,7)
(4)
(4)
V
IN
= 3.3V ，R
L
=500, C
L
=0.1F,
R
PD
=65, T
A
=25°C
注意事项：
3.此参数是通过设计和特性保证;未经生产测试。
4. t
DON
/t
DOFF
/t
R
/t
F
在图7中定义。
期间关闭5.输出放电路径被启用。
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QQ：2880707522 复制
