FPDB20PH60
2006年1月，
FPDB20PH60
智能功率模块的前端整流器
概述
FPDB20PH60是一种先进的智能功率模块
PFC （功率因数校正）是飞兆半导体拥有新
开发和设计主要是针对中等功率
特别是对于空调应用。它结合
优化的保护电路和驱动IC相匹配的高
高频开关IGBT的。系统的可靠性是再论
通过集成欠压锁定和增强
过电流保护功能。
特点
由于铝低热阻
2
O
3
-DBC基板
600V -20A两相IGBT的PWM半变换器，包括
驱动IC的栅极驱动和保护
20kHz的典型开关频率
的2500Vrms的/ min的额定隔离电压。
应用
AC 180V 264V的单相前端整流器
顶视图
44mm
底部视图
26.8mm
图。 1 。
2005仙童半导体公司
2006年1月，
FPDB20PH60
集成电源功能
PFC变换器的单相AC / DC电力转换（请参考图3）的
集成驱动，保护和系统控制功能
对于IGBT的：门极驱动电路，过电流保护电路（ OC ） ，控制电源电路欠压（ UV）保护
故障信号：对应于UV故障
输入接口： 5V CMOS / LSTTL兼容，施密特触发输入
引脚配置
顶视图
(1) V
CC （L）的
（ 2 ） COM
（3） NC
（4）在
(R)
（5）在
(S)
(6) V
FO
(7) C
FOD
(8) C
SC
（9） NC
（10），常闭
（11）的NC
（12）的NC
（13）的NC
（14）的NC
（15）的NC
（16）的NC
（17）的NC
（18）的NC
(19) R
TH
(20) V
TH
(21) V
AC-
(22) N
SENSE
(23) N
NC
(24) N
外壳温度（T
C
)
检测点
(25) R
(26) S
DBC基板
(27) P
R
图。 2 。
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引脚说明
引脚数
1
2
4
5
6
7
8
19
20
21
22
24
25
26
27
3, 9~18, 23
引脚名称
V
CC
COM
IN
(R)
IN
(S)
V
FO
C
FOD
C
SC
R
（ TH ）
V
（ TH ）
V
AC-
N
SENSE
N
R
S
P
R
NC
引脚说明
常见的偏置电压IC和IGBT驱动
公共电源地
信号输入为低侧R相IGBT
信号输入为低侧S- IGBT期
故障输出
电容器故障输出持续时间选择
电容（低通滤波器），用于过流检测
NTC热敏电阻终端
NTC热敏电阻终端
电流检测终端
电流检测基准端
直流母线的负轨
输出的r相
输出S期
DC -Link的正铁
无连接
内部等效电路和输入/输出引脚
(20) V
TH
(19) R
TH
(8) C
SC
(7) C
FOD
(6) V
FO
（5）在
(S)
（4）在
(R)
（ 2 ） COM
（1）的Vcc
NTC
千卡iStor的
D1
D2
(27) P
R
(26) S
(25) R
中信建投
CFOD
VFO
OUT （S）
在（S）
在（R）的
Q1
D3
Q2
D4
(24) N
（23）的NC
OUT （R）的
COM
VCC
分流
电阻器
(22) N
SENSE
(21) V
AC-
注意：
1）转换器是由两个IGBT ，包括四个二极管和一个IC具有栅极驱动和保护功能。
图。 3 。
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绝对最大额定值
(T
J
= 25°C,
转换器部分
项
电源电压
电源电压（浪涌）
输出电压
输出电压（浪涌）
集电极 - 发射极电压
输入电流（ 100 ％负载）
输入电流（ 125 ％负载）
集电极耗散
额定功率分流电阻
工作结温
符号
V
i
V
我（浪涌）
V
PN
V
PN （浪涌）
V
CES
I
i
I
i(125%)
P
C
P
RSH
T
J
除非另有规定编）
条件
R-S的应用
R-S的应用
P- n的应用
P- n的应用
T
C
< 95 ° C，V
i
=220V, V
PN
= 390V,
V
PWM
=20kHz
T
C
< 95 ° C，V
i
=220V, V
PN
= 390V,
V
PWM
= 20kHz的， 1分钟不重复
T
C
每一个IGBT = 25°C
T
C
＆ LT ; 125°C
（注1 ）
等级
264
500
450
500
600
12
15
62.5
1.5
-20 ~ 125
单位
V
RMS
V
V
V
V
A
A
W
W
°C
记
1.将电源芯片的最高结温额定值的SPM内部集成150
° C（ @T
C
≤
100 ℃）。然而，为了保证在SPM的安全操作，
平均结温应限制至T
J（下AVE ）
≤
125°C （ @T
C
≤
100°C)
控制部分
项
控制电源电压
输入信号电压
故障输出电源电压
故障输出电流
电流检测输入电压
符号
条件
V
CC
V的应用
CC
- COM
V
IN
V
FO
I
FO
V
SC
适用于间 - COM
V的应用
FO
- COM
吸收电流在V
FO
针
C的差别应用
SC
- COM
等级
20
-0.3~5.5
-0.3~V
CC
+0.3
5
-0.3~V
CC
+0.3
单位
V
V
V
mA
V
系统总
项
工作壳温
储存温度
隔离电压
符号
T
C
T
英镑
V
ISO
60Hz的正弦，AC 1分钟，连接
引脚DBC
条件
等级
-20 ~ 100
-40 ~ 125
2500
单位
°C
°C
V
RMS
热阻
项
结到外壳热
阻力
（参考到芯片中心）
符号
R
θ
（J -C ） Q
IGBT
R
θ
（J -C ） HD
高侧二极管
R
θ
（J -C ） LD
低压侧二极管
条件
MIN 。 TYP 。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
1.6
2.4
1.9
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意：
2.对于壳体温度的测量点（T
C
）请参阅图。 2 。
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