L
OW
N
OISE
, H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输
pHEMT制
PERFORMANCE （ 1850兆赫）
25 dBm的输出功率（P
1dB
)
18分贝小信号增益（ SSG）的
0.6分贝噪声系数
39 dBm的输出IP3
55％的功率附加效率
提供评估板
可以在无铅表面处理： FPD750SOT89E
FPD750SOT89
说明与应用
该FPD750SOT89是一个打包的耗尽型铝镓砷/铟镓砷伪形态高电子
迁移率晶体管（ pHEMT制） 。它采用0.25
m
x 750
m
肖特基势垒门，被定义
高分辨率步进基于光刻法。凹陷和偏移栅结构最小化
寄生参数来优化性能，设计与改进的线性过的外延结构
范围的偏置条件和输入功率电平。该FPD750裸片形式和其他可用
包。
典型的应用包括在PCS驱动程序或输出级/蜂窝基站的高intercept-
点的LNA ， WLL和WLAN系统，和其他类型的无线基础设施系统。
电气特性在22℃下
参数
功率1分贝增益压缩
小信号增益
功率附加英法fi效率
噪声系数
输出三阶截取点
（从下面P 15 5分贝
1dB
)
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
I
DSS
I
最大
G
M
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
符号
P
1dB
SSG
PAE
NF
IP3
测试条件
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
;
P
OUT
= P
1dB
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 25% I
DSS
V
DS
= 5V ;我
DS
= 50% I
DSS
匹配的最佳动力
匹配最佳IP3
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
+1 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 1.3 V ;我
DS
= 0.75毫安
I
GS
= 0.75毫安
I
GD
= 0.75毫安
0.7
12
12
185
36
38
39
230
375
200
1
1.0
16
16
修改后：
01/05/05
电子邮件：
sales@filcsi.com
民
23
16.5
典型值
25
18
50
1.0
0.6
最大
单位
DBM
dB
%
dB
射频指标测量
f
= 1850 MHz的使用CW信号
DBM
280
mA
mA
mS
15
1.3
A
V
V
V
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
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L
OW
N
OISE
, H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输
pHEMT制
绝对最大额定值
1
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
2
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
G
P
IN
T
CH
T
英镑
P
合计
比较。
测试条件
-3V < V
GS
< + 0V
0V ＆ LT ; V
DS
< + 8V
对于V
DS
＆ GT ; 2V
正向或反向电流
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
-40
民
最大
8
-3
I
DSS
7.5
175
175
150
1.8
5
单位
V
V
mA
mA
mW
C
C
W
dB
%
FPD750SOT89
限制同时结合
3
2个或更多最大值。范围
80
1
2
T
环境
= 22 ° C除非另有说明
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
注意事项：
超过绝对最大额定值的工作条件将导致器件的永久性损坏。
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
，其中：
P
DC
：直流偏置电源
P
IN
： RF输入功率
P
OUT
：射频输出功率
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 1.8W - （ 0.012W / ° C）控制x T
PACK
其中T
PACK
=
源标签铅温度高于22
°
C
（降额式的系数是热导率）
例如：对于一个65 ° C源铅温度：P
合计
= 1.8W - （ 0.012 ×（ 65 - 22 ） ） = 1.28W
操作注意事项
为避免对设备造成损坏应小心处理期间行使。适当的静电
放电（ESD ）预防措施应储存的各个阶段进行观察，搬运，装配和
测试。这些设备应被视为按ESD - STM5.1-1998 1A级，人体模式。
在ESD控制措施的更多信息可以在MIL -STD- 1686和MIL -HDBK -263被发现。
应用说明&设计数据
应用笔记，可以从当地的费尔多尼克销售代表或直接从
工厂。完整的设计数据，包括S参数，噪声数据，信号和大信号模型
可在费尔多尼克网站。评估板可应要求提供。
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
http://www.filtronic.co.uk/semis
修改后：
01/05/05
电子邮件：
sales@filcsi.com
L
OW
N
OISE
, H
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L
INEARITY
P
包装运输
pHEMT制
FPD750SOT89
偏置指南
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
否则的pHEMT可被诱导以自振荡。请联系您的销售代表
附加信息。
双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负
电压源为耗尽型器件，如FPD750SOT89 。
自偏置电路采用的RF -旁路源电阻，以提供负栅 - 源极
偏置电压，并且这些电路提供一些的温度稳定的设备。标称
值电路的发展为4.8
为I的50％
DSS
工作点。
对于标准的A类操作，我50 ％
DSS
推荐偏置点。少量
在压缩之前的发作RF增益扩张是正常的，这个工作点。注意
pHEMTs ，因为它们是“准E / D模式”器件，显示出AB类性状在操作时
我50 ％
DSS
。为了实现P之间的间隔较大
1dB
和IP3 ，在25％的工作点
到第I 33％
DSS
范围被建议。这样的AB类操作不会降低IP3
性能。
包装外形
（单位：mm ）
改变所有的信息和规格，恕不另行通知。
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
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OW
N
OISE
, H
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L
INEARITY
P
包装运输
pHEMT制
典型调谐RF性能
FPD750SOT89
功率传输特性
VDS = 5V IDS = 50％的智能决策支持系统
f
= 1.85 GHz的
26.0
3.50
25.5
的Pout （ dBm的）
比较点
3.00
增益压缩（分贝）
排水 FFI效率（ ％ ）
25.0
输出功率（dBm ）
2.50
24.5
24.0
23.5
23.0
22.5
22.0
4
5
6
7
8
输入功率（dBm ）
9
10
11
12
2.00
1.50
1.00
0.50
0.00
-0.50
漏极效率和PAE
60.0%
PAE
EFF 。
60.0%
50.0%
50.0%
PAE （％）
40.0%
40.0%
30.0%
30.0%
20.0%
20.0%
10.0%
1
3
5
7
输入功率（dBm ）
9
11
10.0%
典型的功率和效率如上图所示。该器件在V偏压名义上
DS
= 5V ，我
DS
第I = 50％
DSS
在1.85 GHz的测试频率。测试器件进行调谐（输入和输出
调整）的最大输出功率为1分贝增益压缩。
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
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01/05/05
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OW
N
OISE
, H
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INEARITY
P
包装运输
pHEMT制
FPD750SOT89
典型的互调性能
VDS = 5V IDS = 50 ％ IDSS在f = 1.85GHz
-23.00
20
的Pout （ dBm的）
三度（ DBC）
18
输出功率（dBm ）
-28.00
16
-33.00
14
-38.00
12
10
-7.1
-6.0
-5.0
-4.0
-3.0
-2.1
-1.0
0.0
1.0
1.9
输入功率（dBm ）
-43.00
注意： pHEMT器件表现出非经典的互调性能，具有同等的IP3值
超过14 dB的P
1dB
。这种IMD增强是受静态偏置电流，所述
漏 - 源电压，并且调谐或匹配应用到该设备。
最大稳定增益& S
21
FPD750SOT89 5V / 50％ IDSS
味精
S21
35
30
味精
25
20
15
10
5
0
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
频率（GHz ）
6.5
7.5
8
MAG S21
＆放大器;
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
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3阶IM产品（ DBC）
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FPD750SOT89
L
OW
N
OISE
H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输P
HEMT
F
EATURES
(1.85GH
Z
):
数据表3.0
P
ACKAGE
:
RoHS指令
25 dBm的输出功率（ P1dB为）
18分贝小信号增益（ SSG）的
0.6分贝噪声系数
39 dBm的输出IP3
55％的功率附加效率
FPD750SOT89E ：符合RoHS标准
（指令2002/95 / EC ）
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FPD750SOT89是封装耗尽
模式的AlGaAs /砷化铟镓假晶高
电子迁移率晶体管（ pHEMT制） 。它
采用了0.25微米× 750微米的肖特基势垒
门，通过高分辨率的定义stepper-
基于光刻。双凹
栅结构最大限度地减少寄生效应，优化
性能，具有外延结构
设计用于改善线性度的范围内
偏置条件和I / P功率水平。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
在PCS驱动程序或输出级/蜂窝
基站发射机放大器
高拦截点低噪声放大器
WLL和WLAN系统和其它类型的
无线基础设施系统。
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
:
P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
小信号增益
S
YMBOL
P1dB
SSG
C
ONDITIONS
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
M
IN
23
16.5
T
YP
25
18
M
AX
U
尼特
DBM
dB
功率附加英法fi效率
PAE
VDS = 5 V ; IDS = 50％的智能决策支持系统;
POUT =的P1dB
50
%
噪声系数
NF
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 25 ％ IDSS
0.8
0.6
1.0
dB
输出三阶截取点
（从15 5 dB以下的P1dB ）
IP3
VDS = 5V ; IDS = 50 ％ IDSS
匹配的最佳动力
匹配最佳IP3
36
38
39
185
230
375
200
1
0.7
12
12
1.0
16
16
83
15
1.3
280
mA
mA
mS
A
V
V
V
° C / W
DBM
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热阻
IDSS
IMAX
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
RθJC
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -5V
VDS = 1.3 V ; IDS = 0.75毫安
IGS = 0.75毫安
IGD = 0.75毫安
注：t
环境
= 22°C ;在f = 1850 MHz的使用CW信号的RF测量规范（特别注明的除外）
1
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
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FPD750SOT89
数据手册V3.0
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
阿婷
1
:
P
ARAMETER
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
2
RF输入功率
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
限制同时结合
3
针
总胆固醇
TSTG
P合计
比较。
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
2个或更多最大值。范围
175mW
175°C
-55 ° C至150℃
1.8W
5dB
S
YMBOL
VDS
VGS
IDS
IG
T
美东时间
C
ONDITIONS
-3V < VGS < + 0V
0V < VDS < + 8V
对于VDS < 2V
正向或反向电流
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
8V
-3V
IDSS
7.5mA
注意事项：
1
T
环境
= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会导致
对设备造成永久性损坏
2
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
4
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
,
其中，P
DC
：直流偏置电源，P
IN
： RF输入功率，P
OUT
：射频输出功率
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 1.8 - （ 0.012W / ° C）控制x T
PACK
其中T
PACK
=源标签铅温度高于22°C
（降额式的系数是热导率）
例如：对于一个65 ℃的温度载体：P
合计
= 1.8W - （ 0.012 ×（ 65 - 22 ） ） = 1.28W
B
IASING
G
UIDELINES
:
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
否则的pHEMT可被诱导以自振荡
双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负电压
供应耗尽型器件。
对于标准的A类操作， IDSS偏置点的50％的建议。少量
在压缩之前的发作RF增益扩张是正常的，这个工作点。一类
的IDSS的25-33 ％， A / B偏置，以达到更好的OIP3和噪声系数性能提出了建议。
2
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FPD750SOT89
数据手册V3.0
F
Characteristic低频
R
反应的影响
:
35
30
偏见@ 5V 50 ％ IDSS
1.2
味精
偏见@ 5V ， 100毫安
25
20
15
10
噪声系数（dB ）
S21
1
0.8
0.6
0.4
N.F. （ dB）的
0.2
MAG S21
＆放大器;
味精
5
0
0.5
0.9
1.3
1.7
2.1
2.5
2.9
3.3
3.7
4.1
4.5
4.9
5.3
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
频率（GHz ）
6.5
7.5
8
频率（GHz ）
注：设备调整为最小噪声系数
T
emperature
R
反应的影响
:
偏见@ 5V ， 50 ％ IDSS
在1.85GHz采取评估板数据
偏见@ 5V ， 33 ％ IDSS
在评估和演示板@ 1.85GHz采取数据
26.0
25.0
24.0
23.0
22.0
21.0
20.0
19.0
18.0
17.0
16.0
20.0
19.0
SSG （ dB）的
1.80
1.60
噪声系数（dB ）
P1dB的（ DBM）
18.0
17.0
16.0
15.0
14.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-20
-10
90
温度（℃）
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-20
-10
温度（℃）
N.F.
（ dB）的
SSG
（ dB）的
P1dB的（ DBM）
5.7
0
注：拍摄于评估板调整为最大功率的数据。实现噪声系数较低时，
进行了优化。
3
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90
FPD750SOT89
数据手册V3.0
T
YPICAL
T
联联
RF P
ERFORMANCE
:
功率传输特性
VDS = 5V IDS = 50％的智能决策支持系统
f
= 1.85 GHz的
26.0
3.50
25.5
的Pout （ dBm的）
比较点
漏极效率和PAE
60.0%
60.0%
PAE
EFF 。
3.00
增益压缩（分贝）
2.50
50.0%
25.0
输出功率（dBm ）
50.0%
排水 FFI效率（ ％ ）
24.5
24.0
23.5
23.0
22.5
22.0
4
5
6
7
8
输入功率（dBm ）
9
10
11
12
2.00
1.50
1.00
0.50
PAE （％）
40.0%
40.0%
30.0%
30.0%
20.0%
20.0%
0.00
-0.50
10.0%
1
3
5
7
输入功率（dBm ）
9
11
10.0%
注：典型的功率和效率如上图所示。该器件在V偏压名义上
DS
= 5V ，我
DS
= 50%
我
DSS
在1.85 GHz的测试频率。测试器件进行调谐（输入和输出调整）为最大
输出功率1分贝增益压缩。
典型的互调性能
VDS = 5V IDS = 50 ％ IDSS在f = 1.85GHz
-23.00
20
的Pout （ dBm的）
三度（ DBC）
18
输出功率（dBm ）
-28.00
16
-33.00
14
-38.00
12
10
-7.1
-6.0
-5.0
-4.0
-3.0
-2.1
-1.0
0.0
1.0
1.9
输入功率（dBm ）
-43.00
注意：
pHEMT制
设备有
增强
互调性能。这就产生OIP3
关于P的值
1dB
+ 14dBm 。这IMD
增强是受静态偏置和
施加到器件上的匹配
.
直流IV曲线FPD750SOT89
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
VG=-1.50
VG=-1.25V
VG=-1.00V
VG=-0.75V
VG=-0.50V
VG=-0.25V
VG=0V
0.05
注意：测量我的推荐方法
DSS
或
任何特定的I
DS
，是设置漏源电压（V
DS
)
在1.3V 。该测定点避免的发作
寄生自激振荡通常会扭曲
电流测量（该效果已被过滤从
的I-V曲线呈现上文）。设置V
DS
> 1.3V
通常会导致错误的测量电流，
即使在稳定电路。
漏源电流（A ）
0.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
漏源极电压（ V）
4
电话：+44 （ 0 ） 1325 301111
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
电子邮件： sales@filcs.com
3阶IM产品（ DBC）
网址：
www.filtronic.com
FPD750SOT89
数据手册V3.0
T
YPICAL
O
安输出
P
车道
P
OWER
C
ONTOURS
（ VDS = 5V ， IDS = 50 ％ IDSS ） ：
FPD750SOT89电源CONTUORS 900MHz的
0. 6
SWP最大
151
2.
0
0.8
1.0
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
20dBm
21dBm
-3
.0
.4
-0
23dBm
22dBm
.0
-2
-0.
6
SWP敏
1
-0.8
1850兆赫
横扫轮廓以恒定的输入功率，设定使
最佳的P
1dB
在输出匹配的点来实现的。
输入（源平面）
Γ
s
:
0.50
∠
142.8
0.37 + j0.35 （标准化）
18.5 + j17.5
与此输入得到的公称IP3性能
平面匹配，并输出平面匹配，如图所示。
900兆赫
横扫轮廓以恒定的输入功率，设定使
最佳的P
1dB
在输出匹配的点来实现的。
输入（源平面）
Γ
s
:
0.79
∠
36.9
1.0 + J 2.6 （归一化）
50 + j130
与此输入得到的公称IP3性能
平面匹配，并输出平面匹配，如图所示。
T
YPICAL
S
CATTERING
P
ARAMETERS
(50 S
变体系
):
FPD750SOT89 5V / 50％ IDSS
6
0.
FPD750SOT89 5V / 50％ IDSS
6
0.
SWP最大
8GHz
2.
0
-1.0
1.0
0.8
0 .8
1.0
5 GHz的
0.
4
6 GHz的
4 GHz的
3.5 GHz的
3 GHz的
0 .2
3
7 GHz的
.0
2.
0
4.
0
5.0
1 0. 0
6 GHz的
5 GHz的
7 GHz的
10.0
2.0
5.0
4.0
3.0
10.0
2.0
4.0
5.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
3.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
2.5 GHz的
- 10 . 0
0
4 GHz的
3 GHz的
2 GHz的
2
- 0.
- 10 . 0
.
-0
.
-0
4
.0
-2
-0
.
- 0 .8
-1.0
- 0 .8
S11
5
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-1.0
SWP敏
0.5GHz
S22
-0
.
1 GHz的
.0
-2
6
6
-3
4
1.5 GHz的
SWP敏
0.5GHz
-5
-
.0
4.
0
.0
-5
-4
.0
- 0.
2
2 GHz的
1.0
1 GHz的
-4.
0
24dBm
3.
-5.0
-0.2
SWP最大
8GHz
-10.0
0.
4
0
3.
4.0
5.0
0.2
10.0
19dBm
25dBm
0.
4
0
4.
0 .2
0
0
5.
1 0. 0
.0
-3
.0
QQ：2881677436 复制
