L
OW
N
OISE
, H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输
pHEMT制
FPD750SOT343
PERFORMANCE （ 1850兆赫）
0.3分贝噪声系数在25 ％偏置
20 dBm的输出功率（P
1dB
)
18分贝小信号增益（ SSG）的
38 dBm的输出IP3 ，在50 ％偏置
提供评估板
可以在无铅表面处理： FPD750SOT343E
说明与应用
该FPD750SOT343是一个打包的耗尽型铝镓砷/铟镓砷伪形态高电子
迁移率晶体管（ pHEMT制） 。它采用0.25
μm
x 750
μm
肖特基势垒门，被定义
高分辨率步进基于光刻法。凹陷和偏移栅结构最小化
寄生参数来优化性能，设计与改进的线性过的外延结构
范围的偏置条件和输入功率电平。该FPD750裸片形式和其他可用
包。
典型的应用包括在PCS驱动程序或输出级/蜂窝基站的高intercept-
点的LNA ， WLL和WLAN系统，和其他类型的无线基础设施系统。
电气特性在22℃下
参数
最小噪声科幻gure
输出三阶截取点
（从下面P 15 5分贝
1dB
)
小信号增益
功率1分贝增益压缩
SSG
P
1dB
符号
NF
IP3
测试条件
V
DS
= 3.3 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 3.3 V ;我
DS
= 25% I
DSS
V
DS
= 3.3 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 3.3 V ;我
DS
= 25% I
DSS
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 3.3 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 3.3 V ;我
DS
= 25% I
DSS
V
DS
= 3.3 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 3.3 V ;我
DS
= 25% I
DSS
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
I
DSS
I
最大
G
M
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
+1 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 1.3 V ;我
DS
= 0.75毫安
I
GS
= 0.75毫安
I
GD
= 0.75毫安
0.7
12
12
185
19
16.5
18
17
20
18
230
375
200
5
1.0
16
18
修改后：
04/28/05
电子邮件：
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民
典型值
0.6
0.3
最大
0.9
单位
dB
DBM
射频指标测量
f
= 1850 MHz的使用CW信号
35.5
38
34
dB
DBM
280
mA
mA
mS
μA
1.3
V
V
V
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+1 408 850-5790
传真：
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OW
N
OISE
, H
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L
INEARITY
P
包装运输
pHEMT制
FPD750SOT343
绝对最大额定值
1
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
2
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
G
P
IN
T
CH
T
英镑
P
合计
比较。
测试条件
-3V < V
GS
< + 0V
0V ＆ LT ; V
DS
< + 8V
对于V
DS
＆ GT ; 2V
正向或反向电流
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
-40
民
最大
6
-3
I
DSS
7.5
175
175
150
1.1
5
单位
V
V
mA
mA
mW
C
C
W
dB
%
限制同时结合
3
2个或更多最大值。范围
80
1
2
T
环境
= 22 ° C除非另有说明
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
注意事项：
超过绝对最大额定值的工作条件将导致器件的永久性损坏。
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
，其中：
P
DC
：直流偏置电源
P
IN
： RF输入功率
P
OUT
：射频输出功率
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 1.1W - （ 0.007W / ° C）控制x T
PACK
其中T
PACK
=
源标签铅温度高于22
°
C
（降额式的系数是热导率）
例如：对于一个65 ° C源铅温度：P
合计
= 1.1W - （ 0.007 ×（ 65 - 22 ） ） = 0.8W
操作注意事项
为避免对设备造成损坏应小心处理期间行使。适当的静电
放电（ESD ）预防措施应储存的各个阶段进行观察，搬运，装配和
测试。这些设备应被视为按ESD - STM5.1-1998 1A级，人体模式。
在ESD控制措施的更多信息可以在MIL -STD- 1686和MIL -HDBK -263被发现。
应用说明&设计数据
应用笔记，可以从当地的费尔多尼克销售代表或直接从
工厂。完整的设计数据，包括S参数，噪声数据，信号和大信号模型
可在费尔多尼克网站。评估板可应要求提供。
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
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L
OW
N
OISE
, H
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L
INEARITY
P
包装运输
pHEMT制
FPD750SOT343
偏置指南
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
否则的pHEMT可被诱导以自振荡。请联系您的销售代表
附加信息。
双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负
电压源为耗尽型器件，如FPD750SOT343 。
自偏置电路采用的RF -旁路源电阻，以提供负栅 - 源极
偏置电压，并且这些电路提供一些的温度稳定的设备。标称
值电路的发展5.45
Ω
为I的50％
DSS
工作点。
对于标准的A类操作，我50 ％
DSS
推荐偏置点。少量
在压缩之前的发作RF增益扩张是正常的，这个工作点。注意
pHEMTs ，因为它们是“准E / D模式”器件，显示出AB类性状在操作时
我50 ％
DSS
。为了实现P之间的间隔较大
1dB
和IP3 ，在25％的工作点
到第I 33％
DSS
范围被建议。这样的AB类操作不会降低IP3
性能。
包装外形
（单位：mm ）
来源
门
漏
来源
改变所有的信息和规格，恕不另行通知。
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OISE
, H
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INEARITY
P
包装运输
pHEMT制
FPD750SOT343
最小噪声科幻gure
2
1.8
1.6
1.4
1.2
F
民
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
频率（GHz ）
10
9
输出功率（dBm ）和
三阶互调产物（ DBC）
随输入功率
-51.00
-53.00
8
的Pout （ dBm的）
7
噘嘴， （ DBM）
6
5
-59.00
4
-61.00
3
2
-14.5
-13.4
-12.3
-11.3
脚， （ DBM）
-10.3
-9.3
-8.2
-63.00
-57.00
三度（ DBC）
-55.00
三阶IM产品， （ DBC）
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FPD750SOT343
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室内运动场
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INEARITY
P
包装运输P
HEMT
P
ACKAGE
:
F
EATURES
(1850MH
Z
):
0.5分贝N.F.min 。
20 dBm的输出功率（ P1dB为）
16.5分贝小信号增益（ SSG ）
37 dBm的输出IP3
符合RoHS指令（指令2002/95 / EC ）
数据手册V3.0
R
O
HS ：
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FPD750SOT343是封装耗尽
模式伪形态高电子迁移率
晶体管（ pHEMT制） 。它采用了0.25微米× 750
微米肖特基势垒门。该费尔多尼克
0.25微米工艺确保了同级领先的噪音
性能。
使用小尺寸
塑料封装允许符合成本效益
系统实施。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
的802.11a ， b，g和WiMax的低噪声放大器
PCS /蜂窝高线性度低噪声放大器
其他类型的无线基础设施系统。
T
YPICAL
P
ERFORMANCE
1
:
RF P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
小信号增益
功率附加英法fi效率
S
YMBOL
OP1dB
SSG
PAE
C
ONDITIONS
VDS = 3.3 V ; IDS = 40毫安
VDS = 3.3 V ; IDS = 40毫安
VDS = 3.3 V ; IDS = 40毫安
POUT =的P1dB
0.9GH
Z
1.85GH
Z
2.6GH
Z
20
22
50
19
16.5
45
20
14
45
3.5GH
Z
20.5
11
50
U
尼特
DBM
dB
%
最大稳定增益（| S21 / S12 | ）
噪声系数
输出三阶截取点
POUT每个音= 9 dBm的
味精
N.F.
OIP3
VDS = 3.3 V ; IDS = 40毫安
VDS = 3.3 V ; IDS = 40毫安
VDS = 3.3V ; IDS = 40毫安
VDS = 3.3V ; IDS = 80毫安
24
0.5
32
35
20
0.6
31
37
18
0.7
31
35
16
0.8
32
38
dB
dB
DBM
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
2
:
RF / DC P
ARAMETER
频率
功率1分贝增益压缩
小信号增益
饱和漏源电流
跨
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热电阻系数（见注）
S
YMBOL
f
P1dB
SSG
IDSS
GM
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
θJC
C
ONDITIONS
M
IN
T
YP
2.0
M
AX
U
尼特
GHz的
DBM
dB
VDS = 3.3 V ; IDS = 40毫安
VDS = 3.3 V ; IDS = 40毫安
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; IDS = 0.75毫安
IGS = 0.75毫安
IGD = 0.75毫安
VDS > 3V
17
16
185
230
200
0.7
13
13
1.0
16
18
143
1.3
280
mA
mS
V
V
V
° C / W
注意：在应用电路中取1，基于测得的数据。 2.所有设备都100 ％的RF和DC的测试
2GHz的以Z
S
= Z
L
= 50欧姆把t
环境
= 22°C
1
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
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FPD750SOT343
数据手册V3.0
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
阿婷
1
:
P
ARAMETER
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
2
S
YMBOL
VDS
VGS
IDS
IG
针
总胆固醇
TSTG
4
P合计
比较。
3
T
美东时间
C
ONDITIONS
-3V < VGS < -0.5V
0V < VDS < + 6V
对于VDS < 2V
正向或反向电流
VDS = 3.3V
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
2个或更多最大值。范围
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
6V
-3V
IDSS
7.5mA
22dBm
175°C
-55 ° C至150℃
1.1W
5dB
80%
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
限制同时结合
注意事项：
1
T
环境
= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会导致
对设备造成永久性损坏
2
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
4
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
,
其中，P
DC
：直流偏置电源，P
IN
： RF输入功率，P
OUT
：射频输出功率
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 1.1 - （ 1 / ΘJC ） x深
PACK
其中T
PACK
=源标签铅温度高于22°C &
θJC
= 143 ° C / W
B
IASING
G
UIDELINES
:
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
否则的pHEMT可被诱导以自振荡。请联系您的销售代表
附加信息。
双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负电压
供应耗尽型器件。
对于标准的A类操作， IDSS偏置点的50％的建议。少量
在压缩之前的发作RF增益扩张是正常的，这个工作点。 A / B类
的25-33 ％偏置可为NF和OIP3优化的解决方案。
直流IV曲线FPD750SOT89
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
VG=-1.50
VG=-1.25V
VG=-1.00V
VG=-0.75V
VG=-0.50V
VG=-0.25V
VG=0V
注意：
对于推荐的方法
衡量我
DSS
或任何特定本人
DS
，是设置
漏极 - 源极电压（V
DS
） ，在1.3V 。这
测量点可避免的发作
寄生自激振荡通常会
歪曲的当前测量值（该效果具有
被过滤从显示的I- V曲线
以上） 。设置V
DS
> 1.3V一般会
在电流测量产生误差，
即使在稳定电路。
漏源电流（A ）
0.05
0.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
漏源极电压（ V）
2
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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FPD750SOT343
数据手册V3.0
T
YPICAL频率REPONSE
:
味精& S21与频率偏于@ 3.3V ， 40毫安
味精
N.F.min与频率偏于@ 3.3V
1.20
1.00
28
MSG（ dB）的
24
20
16
12
8
4
0
S21
N.F.min （ dB）的
0.80
0.60
0.40
0.20
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
3.6
4.2
4.8
MAG S21
＆放大器;
ID = 80毫安
ID = 40毫安
5.4
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
10.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
注：典型增益和噪声系数对频率变化如上图所示。该装置是
在V偏置名义上
DS
= 3.3V ，我
DS
= 40毫安。测试装置被调整为最小噪声系数和
用调谐器在装置的输入和输出端口的最大增益。
典型的射频性能
@
功率传输特性
VDS = 3.3V IDS = 40毫安在
f
= 1.85GHz
23.0
21.0
19.0
输出功率（dBm ）
的Pout （ dBm的）
比较点
1.85 GH
Z
:
功率传输特性
VDS = 3.3V IDS = 80毫安在
f
= 1.85GHz
7.00
6.00
增益压缩（分贝）
23.0
21.0
19.0
输出功率（dBm ）
的Pout （ dBm的）
比较点
17.0
15.0
13.0
11.0
9.0
7.0
-10.0
4.00
3.00
2.00
1.00
0.00
-1.00
10.0
17.0
15.0
13.0
11.0
9.0
7.0
-10.0
4.00
3.00
2.00
1.00
0.00
-1.00
12.0
-8.0
-6.0
-4.0
-2.0
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
-8.0
-6.0
-4.0
-2.0
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
注：典型的功率传输的两个偏置条件下的曲线如上图所示。的数据被取与
设备安装在评估板调谐在1.85GHz用于低噪声和增益所示的参考
设计考虑第6页。
3
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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增益压缩（分贝）
5.00
6.0
7.00
6.00
5.00
0.00
FPD750SOT343
数据手册V3.0
典型的射频性能
@
典型的互调性能
VDS = 3.3V IDS = 40毫安在
f
= 1.85GHz
14
1.85 GH
Z
:
典型的互调性能
VDS = 3.3V IDS = 80毫安在
f
= 1.85GHz
-24
14
-32
12
的Pout （ dBm的）
三度（ DBC）
-30
3阶IM产品（ DBC）
12
的Pout （ dBm的）
三度（ DBC）
-38
3阶IM产品（ DBC）
输出功率（dBm ）
输出功率（dBm ）
10
-36
10
-44
8
-42
8
-50
6
-48
6
-56
4
-54
4
-62
2
-12.3
-11.3
-10.3
-9.3
-8.3
-7.3
-6.3
-5.3
-4.3
-3.3
-60
2
-12.8
-11.8
-10.8
-9.8
-8.8
-7.8
-6.8
-5.8
-4.9
-3.9
-68
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
注：典型的互调性能，如上图所示。的数据被取与装置安装在
评估板调谐在1.85GHz的低噪声和增益，如图6页上给出的参考设计。
该FPD750SOT343增强的互调性能高达P1dB为+ 16dBm时的OIP3值。
这种效果可以与该设备的偏置号= 80毫安通过在第三阶乘积情节主线的树枝可以看出。
N
OISE
P
ARAMETERS
:
偏置在VDS = 3.3V ， IDS = 40毫安
偏置在VDS = 3.3V ， IDS = 80毫安
频率。
（千兆赫）
0.60
0.90
1.20
1.50
1.80
2.10
2.40
2.70
3.00
3.30
3.60
3.90
4.20
4.50
4.80
5.10
5.40
5.70
6.00
N.F.min
（ dB）的
0.37
0.40
0.43
0.46
0.49
0.52
0.55
0.58
0.61
0.64
0.67
0.70
0.73
0.76
0.78
0.81
0.84
0.87
0.90
Γopt
MAG
0.770
0.689
0.614
0.546
0.485
0.431
0.383
0.342
0.307
0.280
0.258
0.244
0.236
0.236
0.242
0.254
0.273
0.299
0.332
角
12.2
21.2
30.6
40.4
50.6
61.1
72.1
83.4
95.1
107.2
119.8
132.7
146.0
159.6
173.7
-171.9
-157.0
-141.8
-126.1
Rn/50
0.108
0.100
0.092
0.084
0.077
0.069
0.063
0.057
0.053
0.049
0.046
0.043
0.042
0.040
0.040
0.041
0.044
0.050
0.061
频率。
（千兆赫）
0.60
0.90
1.20
1.50
1.80
2.10
2.40
2.70
3.00
3.30
3.60
3.90
4.20
4.50
4.80
5.10
5.40
5.70
6.00
N.F.min
（ dB）的
0.39
0.42
0.46
0.50
0.53
0.57
0.60
0.64
0.68
0.71
0.75
0.79
0.83
0.86
0.90
0.94
0.97
1.01
1.05
Γopt
MAG 。
0.732
0.644
0.564
0.492
0.428
0.372
0.324
0.283
0.251
0.227
0.210
0.202
0.201
0.208
0.223
0.247
0.277
0.317
0.364
角
11.5
22.1
33.0
44.2
55.9
67.9
80.2
93.0
106.2
119.7
133.6
147.9
162.5
177.5
-167.1
-151.4
-135.2
-118.7
-101.8
Rn/50
0.129
0.115
0.102
0.090
0.079
0.070
0.063
0.057
0.053
0.050
0.049
0.048
0.048
0.049
0.051
0.056
0.065
0.080
0.106
4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
电子邮件： sales@filcs.com
电话：+44 （ 0 ） 1325 301111
网址：
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FPD750SOT343
数据手册V3.0
R
指南
D
ESIGN
(0.9GH
Z
):
F
Characteristic低频
收益
P1dB
OIP3
1
N.F.
S11
S22
Vd
Vg
Id
GH
Z
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
V
V
mA
0.9
22
20
32
0.5
-5
-10
3.3
-0.4 -0.6
40
1， OIP3为9dBm每噘测
音
测量增益和回波损耗
B
OARD
L
AYOUT
:
Vg
15pF
0.01uF
15pF
20
O
Lg
33pF
L1
L2
Ld
33pF
0.01uF
Vd
+
1.0uF
+
Q1
0.63"
1.45"
组件值
部件
Lg
Ld
L1
L2
价值
56nH
56nH
15nH
4.7nH
描述
LL1608东光片式电感器
LL1608东光片式电感器
LL1608东光片式电感器
LL1608东光片式电感器
FPD750SOT343评估板-Vg
概要
0.01uF
@ 900MHz的
15pF
Vd
1.0uF
0.01uF
15pF
56 nH的
L2
33pF
RF OUT
20欧姆
56 nH的
L1
33pF
在RF
评估和演示板材料 - 31mil厚FR4与1/2盎司铜上
两旁
隔直电容ATC 600S系列。一个1.0μF钽使用的漏端。所有
其他电容器0603和0805标准的贴片电容。 0603尺寸为20欧姆，从芯片电阻
Vishay的用于在栅极DC偏置线的稳定性。
5
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