FPD750DFN
L
OW
N
OISE
H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输P
HEMT
F
EATURES
(1850MH
Z
):
24 dBm的输出功率（ P1dB为）
20分贝小信号增益（ SSG）的
0.3分贝噪声系数
39 dBm的输出IP3 ，在50 ％偏置
45％的功率附加效率
符合RoHS
数据手册V3.0
P
ACKAGE
:
RoHS指令
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FPD750DFN是封装耗尽
模式的AlGaAs /砷化铟镓假晶高
电子迁移率晶体管（ pHEMT制） 。它
采用了0.25微米× 750微米的肖特基势垒
门，通过高分辨率的定义stepper-
基于光刻。凹陷和
偏置栅结构最大限度地减少寄生效应，
优化性能，以外延
结构设计以提高线性度
的范围内的偏置条件和输入功率
的水平。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
在PCS驱动程序或输出级/蜂窝
基站发射机放大器
高拦截点低噪声放大器
WLL和WLAN系统和其它类型的
无线基础设施系统。
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
:
P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
小信号增益
S
YMBOL
P1dB
SSG
C
ONDITIONS
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
M
IN
22.5
19
T
YP
24
20
M
AX
U
尼特
DBM
dB
功率附加英法fi效率
PAE
VDS = 5 V ; IDS = 50％的智能决策支持系统;
POUT =的P1dB
45
%
噪声系数
NF
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 25 ％ IDSS
0.7
0.3
1.1
0.9
dB
输出三阶截取点
（从15 5 dB以下的P1dB ）
IP3
VDS = 5V ; IDS = 50 ％ IDSS
匹配的最佳动力
匹配最佳IP3
37
39
180
230
375
200
1
0.7
12
12
1.0
16
16
15
1.3
280
mA
mA
mS
A
V
V
V
DBM
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
IDSS
IMAX
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -5V
VDS = 1.3 V ; IDS = 0.75毫安
IGS = 0.75毫安
IGD = 0.75毫安
注：t
环境
= 22 ° ;在f = 1850 MHz的使用CW信号的RF测量规范（特别注明的除外）
1
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FPD750DFN
数据手册V3.0
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
阿婷
1
:
P
ARAMETER
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
2
RF输入功率
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
3
限制同时结合
2个或更多最大值。范围
针
总胆固醇
TSTG
P合计
比较。
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
175mW
175°C
-55 ° C至150℃
1.5W
5dB
S
YMBOL
VDS
VGS
IDS
IG
T
美东时间
C
ONDITIONS
-3V < VGS < + 0V
0V < VDS < + 8V
对于VDS > 2V
正向或反向电流
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
8V
-3V
IDSS
7.5mA
注意事项：
1
T
环境
= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会导致
对设备造成永久性损坏
2
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
4
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
,
其中，P
DC
：直流偏置电源，P
IN
： RF输入功率，P
OUT
：射频输出功率
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 1.5 - （ 0.011W / ° C）控制x T
PACK
其中T
PACK
=源标签铅温度高于22°C
（降额式的系数是热导率）
例如：对于一个65 ℃的温度载体：P
合计
= 1.5W - （ 0.011 ×（ 65 - 22 ） ） = 1.03W
5
在封装的底面露出的散热片的正下方使用一个填充通孔的强烈
建议提供适当的热管理。理想的是，电路板的底部被固定到一个
散热片或散热器热
B
IASING
G
UIDELINES
:
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
否则的pHEMT可被诱导以自振荡
双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负电压
供应耗尽型器件。
对于标准的A类操作， IDSS偏置点的50％的建议。少量
在压缩之前的发作RF增益扩张是正常的，这个工作点。注意
pHEMTs ，因为它们是“准E / D模式”器件，显示出AB类的性状，在50 ％时，操作
的智能决策支持系统。实现的P1dB和IP3 ，在25％的工作点之间的一个较大的分离
的IDSS范围33 ％的建议。这样的AB类操作不会降低IP3性能。
2
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FPD750DFN
数据手册V3.0
T
YPICAL
T
联联
RF P
ERFORMANCE
:
FPD750DFN偏@ VD = 5V ID = 50 ％ IDSS
35
味精
FPD750DFN偏@ VD = 5V ， ID = 50 ％ IDSS
2
1.75
1.5
噪声Fugure （ dB）的
1.25
1
0.75
0.5
30
S21
味精
MAG S21
＆放大器;
25
20
15
10
5
0
0.4
1.4
2.4
3.4
4.4
5.4 6.4 7.4
频率（GHz ）
8.4
9.4
10.4 11.412
0.25
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
4.5
5
5.5
6
T
YPICAL
我-V
极特
:
直流IV曲线FPD750SOT89
0.30
0.25
漏源电流（A ）
0.20
0.15
0.10
VG=-1.50
VG=-1.25V
VG=-1.00V
VG=-0.75V
VG=-0.50V
VG=-0.25V
VG=0V
0.05
0.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
漏源极电压（ V）
注意：测量我的推荐方法
DSS
或任何特定本人
DS
，是设置漏源电压（V
DS
)
在1.3V 。该测定点避免了发病寄生自激振荡的，这通常扭曲
电流测量（该效果已被过滤的，从上面给出的IV曲线） 。设置V
DS
> 1.3V
通常会导致在当前测量中的误差，即使在稳定化电路。
建议：传统设备的I
DSS
评级（我
DS
在V
GS
= 0V ）作为射频功率的预测值，并
对于MESFET的有我之间的相关性
DSS
和P
1dB
（功率1分贝增益压缩） 。对于pHEMTs它可以
显示有
no
我的有意义的统计相关性
DSS
和P
1dB
;具体的线性回归
分析显示为R
2
< 0.7 ，回归失败的F统计检验。我
DSS
有时为电路中的导有用
调谐，因为S
22
不随静态工作点我
DS
.
3
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T
YPICAL
O
安输出
P
车道
C
ONTOURS
（ VDS = 5V ， IDS = 50 ％ IDSS ） ：
FPD750DFN功率等高线900MHz的
0.8
0.6
2.0
0.4
3.0
4.0
5.0
0.2
10.0
10.
0
22dBm
1.
0
SWP最大
168
0
0.
2
0.4
0.6
0.8 1.0
2.0
25dBm
-0.2
24dBm
23dBm
3.0 4. 5.0
0
21dBm
20dBm
-10.0
-5.0
-4.0
-3.0
-0.4
-
2.0
-
0.8
-
1.0
-
0.6
SWP敏
1
FPD750DFN功率等高线1850MHz
0.
8
0.
6
0.4
3.0
4.0
5.0
0.2
1.
0
2.
0
SWP最大
180
22dBm
10.0
0.
2
0.
4
0.
6
0.
8
1.
0
2.
0
3. 4. 5.
0 0
0
10
.0
0
25dBm
-10.0
-0.2
20dBm
24dBm
23dBm
-0.4
-
2.
0
-
0.
8
-
1.
0
21dBm
-5.0
-4.0
-3.0
-
0.
6
SWP敏
1
4
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N
OISE
P
ARAMETERS
:
偏置3V ， 50 ％ IDSS
频率
（千兆赫）
0.900
1.800
2.000
2.200
2.400
2.600
2.800
3.000
3.500
4.000
4.500
5.000
5.500
6.000
MAG
0.509
0.404
0.408
0.402
0.375
0.349
0.302
0.281
0.264
0.244
0.265
0.303
0.312
0.342
Γopt
角
20.5
52.8
56.5
61.7
70.3
74.1
84.4
96.7
116.1
137.0
162.8
168.7
-176.1
-165.0
0.082
0.074
0.070
0.067
0.064
0.066
0.064
0.060
0.055
0.056
0.051
0.043
0.049
0.060
5V偏置， 25 ％ IDSS
频率
（千兆赫）
0.900
1.800
2.000
2.200
2.400
2.600
2.800
3.000
3.500
4.000
4.500
5.000
5.500
6.000
MAG
0.520
0.465
0.471
0.458
0.435
0.423
0.355
0.327
0.298
0.246
0.245
0.271
0.279
0.295
Γopt
角
16.1
36.4
47.4
52.0
60.0
62.1
71.6
80.7
97.0
116.3
144.0
149.5
171.0
176.4
0.079
0.148
0.069
0.068
0.065
0.067
0.064
0.060
0.056
0.057
0.051
0.041
0.042
0.053
Rn/50
Rn/50
5V偏置， 50 ％ IDSS
频率
（千兆赫）
0.900
1.800
2.000
2.200
2.400
2.600
2.800
3.000
3.500
4.000
4.500
5.000
5.500
6.000
MAG
0.512
0.400
0.403
0.385
0.362
0.344
0.299
0.284
0.264
0.236
0.263
0.298
0.323
0.326
Γopt
角
21.8
52.8
57.5
63.2
72.0
76.1
86.7
98.0
117.5
139.7
163.7
171.9
-165.6
-163.6
0.096
0.084
0.080
0.077
0.074
0.075
0.072
0.068
0.062
0.064
0.058
0.051
0.062
0.075
Rn/50
5
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