FPD7500.5 W

功率pHEMT制

FPD750

0.5W功率PHEMT

封装形式：裸模

产品说明

该FPD750是的AlGaAs /砷化铟镓假晶高电子迁移率晶体管

（ pHEMT制） ，采用了0.25μmx750μm肖特基势垒门，高-reso-定义

lution步进型光刻。双凹栅结构微型

mizes寄生效应以优化性能。在外延结构和处理

经过优化的可靠的高功率应用。该FPD750也为特色的

Tures的思

3

N

4

钝化是在低成本的塑料SOT89 ， SOT343可用的，并且

DFN封装。

优化技术

Matching应用

砷化镓HBT

砷化镓MESFET

的InGaP HBT

的SiGe BiCMOS

硅BiCMOS工艺

的SiGe HBT

砷化镓PHEMT

硅CMOS

硅BJT

氮化镓HEMT

的InP HBT

RF MEMS

LDMOS

特点

27.5dBm线性输出

功率为12 GHz

11.5分贝功率增益为12GHz的

14.5分贝最大稳定增益

12GHz

38dBm

IP3

50％的功率附加效率

应用

窄带和宽带

高性能放大器

卫星通信上行链路发射器

PCS /蜂窝低压

高效率输出扩增

fiers

中程数字广播

变送器

参数

电气规格

P

1dB

增益压缩

最大稳定增益（S21 / S12）

功率增益为P

1dB

(G

1dB

)

功率附加效率（ PAE ）

OIP

3

饱和漏源电流（I

DSS

)

最大漏源电流

(I

最大

)

跨导（G

M

)

门源漏电流（I

GSO

)

夹断电压（V

P

)

栅源击穿电压

(V

BDGS

)

栅极 - 漏极击穿电压

(V

BDGD

)

热电阻（ θJC ）

分钟。

26.5

13.5

10.5

规范

典型值。

27.5

14.5

11.5

45

38

40

马克斯。

单位

DBM

dB

dB

%

DBM

DBM

条件

V

DS

= 8V ，我

DS

=50% I

DSS

V

DS

= 8V ，我

DS

=50% I

DSS

V

DS

= 8V ，我

DS

=50% I

DSS

V

DS

= 8V ，我

DS

=50% I

DSS

, P

OUT

=P

1dB

V

DS

= 8V ，我

DS

=50% I

DSS

相匹配的最佳功率，调整为最佳的IP

3

V

DS

=1.3V, V

GS

=0V

V

DS

=1.3V, V

GS

≈+1V

V

DS

=1.3V, V

GS

=0 V

VGS=-5V

V

DS

= 1.3V ，我

DS

=0.36mA

I

GS

=0.75mA

I

GD

=0.75mA

V

DS

>6V

185

230

370

200

10

|1.0|

280

mA

mA

ms

μA

V

V

V

° C / W

|12.0|

|14.5|

|14.0|

|16.0|

65

注：t

环境

=测量在f = 12GHz的22 ° C， RF规格使用CW信号。

RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易

标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司

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7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

1 4

FPD750

绝对最大额定值

1

参数

漏源电压（V

DS

)

(-3V<V

GS

<-0.5V)

2

栅极 - 源极电压（V

GS

)

(0V<V

DS

<+8V)

漏源电流（I

DS

)

（对于V

DS

<2V)

栅极电流（I

G

)

（正向或反向电流）

RF输入功率（P

IN

)

（在任何可以接受的偏置状态）

通道工作温度（T

CH

)

（在任何可以接受的偏置状态）

存储温度（T

英镑

)

（非工作存储）

总功率耗散（ P

合计

)

3, 4, 5

限制同时结合

6

（2或更多最大限制）

等级

10

-3

I

DSS

7.5

22

175

-65到150

2.3

80

单位

V

V

注意！ ESD敏感器件。

超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可

对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用

额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性

曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作

系统蒸发散是不是暗示。

基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。

本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有

承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何

侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有

获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权

RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐

阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。

mA

DBM

°C

°C

W

%

注意事项：

1

T

环境

= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对MAX-中的任一项

imum额定值可能会导致器件永久性损坏。

2

工作在绝对最大V

D

连续不推荐。如果操作

在10V被认为是后来我

DS

必须减小，以保持内部的部分

其热功耗限制。因此V

GS

被限制为<-0.5V 。

3

总功耗要降额，符合上述22°C ：P

合计

=2.3-

(0.015W/°C)xT

HS

，其中t

HS

=散热器或环境温度高于22 ℃。

例如：对于一个85°C的载体温度： P

合计

=2.3-(0.015x(85-22))=1.4W

4

总功率耗散（ P

合计

）定义为（P

DC

+P

IN

)–P

OUT

其中，P

DC

：直流偏置

动力方面， P

IN

： RF输入功率，P

OUT

： RF输出功率。

5

用户应避免同时超过80 ％的2个或更多的限制。

6

热电阻规格假定的Au / Sn共晶芯片粘接到一个非盟

镀镍铜散热片或肋骨。

焊盘布局

PAD

A

B

C

描述

门垫

漏极焊盘

来源垫

针坐标（ μm）的

130, 170

380, 170

注意：坐标是从左下方引用

角落管芯接合焊盘开口的中心。

芯片尺寸（微米）

470x340

模具厚度（μm）

75

分钟。焊接区窗口（ μmxμm ）

56x76

2 4

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FPD750

首选装配说明

GaAs器件是脆弱的，要十分小心。专门设计的夹头应该尽可能使用。

管芯的背面被金属化和推荐的安装方法是通过使用导电环氧树脂。环氧应

施加在附接表面上均匀和有节制地避免对向模具的上表面环氧树脂的侵蚀，并

理想情况下应不超过一半的芯片的高度。用于自动分配Ablestick LMISR4建议，以及用于手动解散

pense Ablestick 84-1 LMI或84-1 LMIT建议。这些应在150 ℃的温度下在被固化1小时

烤箱尤其是预留仅供环氧固化。如果可能的话固化烘箱应进行冲洗干燥的氮气。金 - 锡

（80％的Au 20％ Sn）的共晶芯片附着具有大约280 ℃的熔点，但所使用的绝对温度

取决于所使用的引线框架材料和特定的应用。在使用的最大时间应保持在一个微型

妈妈。

此部分具有金（Au）键合焊盘需要使用金（ 99.99 ％纯度）的接合线。所以建议直径25.4μm

金线使用。推荐铅债券的方法是用0.001 “ （ 25微米）直径热压楔焊

线。债券工具的力应35克到38克。焊接台的温度应为230℃ 240℃ ，加热的工具

（150℃至160℃ ）的建议。超声波或热压粘接不推荐。

键应该从模头制成后，再在安装基板或封装。的接合线的物理长度

使射频或地面连接时，应特别最小化。

操作注意事项

为避免对设备造成损坏，应注意处理期间行使。适当的电 -

静电放电（ ESD）预防措施应储存的各个阶段进行观察，处理，

装配和测试。

ESD / MSL等级

使用人体模型作为JEDEC标准号定义这些设备应该被视为0级（ 0 250V ）， 22-

A114 。在ESD控制措施的更多信息可以在MIL -STD- 1686和MIL -HDBK -263被发现。这是一无包装

一部分，因此没有MSL等级适用。

应用笔记和设计数据

应用笔记和设计数据，包括S参数，噪声参数，以及设备型号可从要求

www.rfmd.com 。

可靠性

的150℃ 4200000小时ata的沟道温度的平均无故障时间被实现为用于制造该装置的过程。

免责声明

本产品不用于任何空基或维持生命/配套设备使用。

订购信息

交货数量

全包（ 100 ）

少量（ 25 ）

样品数量（ 3 ）

订购代码

FPD750-000

FPD750-000SQ

FPD750-000S3

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