初步
FPD6836SOT343
L
OW
N
OISE
, H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输
pHEMT制
PERFORMANCE （ 1850兆赫）
0.5分贝噪声系数
20 dBm的输出功率（P
1dB
)
20分贝小信号增益（ SSG）的
32 dBm的输出IP3
提供评估板
说明与应用
该FPD6836SOT343是一个打包的耗尽型铝镓砷/铟镓砷伪形态高电子
迁移率晶体管（ pHEMT制） 。它采用0.25
m
x 360
m
肖特基势垒门，被定义
高分辨率步进基于光刻法。凹陷和偏移栅结构最小化
寄生参数来优化性能，设计与改进的线性过的外延结构
范围的偏置条件和输入功率电平。在FPD6836裸片形式和其他可用
包。
典型的应用包括在PCS驱动程序或输出级/蜂窝基站的高intercept-
点的LNA ， WLL和WLAN系统，和其他类型的无线基础设施系统。
电气特性在22℃下
参数
最小噪声科幻gure
输出三阶截取点
（从下面P 15 5分贝
1dB
)
小信号增益
功率1分贝增益压缩
SSG
P
1dB
I
DSS
I
最大
G
M
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
符号
NF
IP3
测试条件
V
DS
= 3.0 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 3.0 V ;我
DS
= 25% I
DSS
V
DS
= 3.0 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 3.0 V ;我
DS
= 25% I
DSS
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 3.0 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 3.0 V ;我
DS
= 25% I
DSS
V
DS
= 3.0 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 3.0 V ;我
DS
= 25% I
DSS
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
+1 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 1.3 V ;我
DS
= 0.75毫安
I
GS
= 0.75毫安
I
GD
= 0.75毫安
0.7
12
12
90
200
100
1
1.0
18
18
修改后：
09/15/05
电子邮件：
sales@filcsi.com
民
典型值
0.5
0.4
最大
0.9
单位
dB
DBM
射频指标测量
f
= 1850 MHz的使用CW信号
32
30
18
18
20
18
20
18
135
dB
DBM
mA
mA
mS
10
1.3
A
V
V
V
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
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包装运输
pHEMT制
绝对最大额定值
1
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
2
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
G
P
IN
T
CH
T
英镑
P
合计
比较。
测试条件
-3V < V
GS
< + 0V
0V ＆ LT ; V
DS
< + 8V
对于V
DS
＆ GT ; 2V
正向或反向电流
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
-40
民
最大
6
-3
I
DSS
5
60
175
150
0.5
5
单位
V
V
mA
mA
mW
C
C
W
dB
%
限制同时结合
3
2个或更多最大值。范围
80
1
2
T
环境
= 22 ° C除非另有说明
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
注意事项：
超过绝对最大额定值的工作条件将导致器件的永久性损坏。
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
，其中：
P
DC
：直流偏置电源
P
IN
： RF输入功率
P
OUT
：射频输出功率
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 0.5W - （ 0.0056W / ° C） x深
PACK
其中T
PACK
=
源标签铅温度高于22
°
C
（降额式的系数是热导率）
例如：对于一个65 ° C源铅温度：P
合计
= 0.5W - （ 0.0056 ×（ 65 - 22 ） ） = 0.26W
操作注意事项
为避免对设备造成损坏应小心处理期间行使。适当的静电
放电（ESD ）预防措施应储存的各个阶段进行观察，搬运，装配和
测试。这些设备应被视为按ESD - STM5.1-1998 1A级，人体模式。
在ESD控制措施的更多信息可以在MIL -STD- 1686和MIL -HDBK -263被发现。
应用说明&设计数据
应用笔记，可以从当地的费尔多尼克销售代表或直接从
工厂。完整的设计数据，包括S参数，噪声数据，信号和大信号模型
可在费尔多尼克网站。评估板可应要求提供。
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
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修改后：
09/15/05
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pHEMT制
偏置指南
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
否则的pHEMT可被诱导以自振荡。请联系您的销售代表
附加信息。
双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负
电压源为耗尽型器件，如FPD750SOT343 。
自偏置电路采用的RF -旁路源电阻，以提供负栅 - 源极
偏置电压，并且这些电路提供一些的温度稳定的设备。标称
值电路的发展5.45
为I的50％
DSS
工作点。
对于标准的A类操作，我50 ％
DSS
推荐偏置点。少量
在压缩之前的发作RF增益扩张是正常的，这个工作点。注意
pHEMTs ，因为它们是“准E / D模式”器件，显示出AB类性状在操作时
我50 ％
DSS
。为了实现P之间的间隔较大
1dB
和IP3 ，在25％的工作点
到第I 33％
DSS
范围被建议。这样的AB类操作不会降低IP3
性能。
包装外形
（单位：mm ）
改变所有的信息和规格，恕不另行通知。
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
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获得&噪声系数与频率
25.00
增益（dB ）
20.00
15.00
10.00
5.00
0.40
0.90
1.40
1.90
2.40
2.90
3.40
3.90
4.40
4.90
5.40
频率（GHz ）
收益
2.00
1.80
1.60
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0.00
5.90
NF
电话：
+1 408 850-5790
传真：
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NF（ dB）的
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