FPD6836P70
L
OW
N
OISE
H
室内运动场
F
Characteristic低频
P
包装运输P
HEMT
`
F
EATURES
:
22 dBm的输出功率（ P1dB为）
15分贝功率增益（ G1dB ）在5.8 GHz的
0.8分贝噪声系数为5.8 GHz的
32 dBm的输出IP3为5.8 GHz的
在5.8 GHz的45 ％功率附加效率
可用增益为18 GHz的
数据手册V3.0
P
ACKAGE
:
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FPD6836P70是一个低寄生，表面
安装
包装
耗竭
模式
赝
高
电子
流动性
晶体管（ pHEMT制）的低噪声优化，
高频应用。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
增益模块和中等功率级
WiMax技术（ 2-11GHz ）
WLAN的802.11a （ 5.8GHz的）
点对点广播（至18GHz ）
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
:
P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
小信号增益
功率附加英法fi效率
S
YMBOL
P1dB
SSG
PAE
C
ONDITIONS
VDS = 5 V ; IDS = 55毫安
VDS = 5 V ; IDS = 55毫安
VDS = 5 V ; IDS = 55毫安
POUT =的P1dB
M
IN
T
YP
22
M
AX
U
尼特
DBM
dB
%
14
16
45
最大稳定增益（S21 / S12）
f
= 12 GHz的
f
= 18 GHz的
噪声系数
输出三阶截取点
味精
VDS = 5 V ; IDS = 55毫安
15
12
NF
IP3
VDS = 5 V ; IDS = 55毫安，
VDS = 5V ; IDS = 55毫安
POUT = 10 dBm的SCL
0.8
32
dB
DBM
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热阻
IDSS
IMAX
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
RθJC
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -5V
VDS = 1.3 V ; IDS = 0.2毫安
IGS = 0.36毫安
IGD = 0.36毫安
90
105
215
140
1
135
mA
mA
mS
10
1.3
A
V
V
V
° C / W
0.7
12
14.5
1.0
14
16
275
注：t
环境
= 22°C ;在f测量RF规格=用CW信号5.8千兆赫（特别注明的除外）
1
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
电子邮件： sales@filcs.com
电话：+44 （ 0 ） 1325 301111
网址：
www.filtronic.com
FPD6836P70
数据手册V3.0
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
阿婷
1
:
P
ARAMETER
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
2
RF输入功率
通道工作温度
储存温度
总功耗
3
限制同时结合
2个或更多最大值。范围
80%
针
总胆固醇
TSTG
P合计
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
16dBm
175°C
-40 ° C至150℃
550mW
S
YMBOL
VDS
VGS
IDS
IG
T
美东时间
C
ONDITIONS
-3V < VGS < + 0V
0V < VDS < + 8V
对于VDS < 2V
正向或反向电流
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
8V
-3V
IDSS
10mA
注意事项：
1
T
环境
= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会导致
对设备造成永久性损坏
2
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
4
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
,
其中，P
DC
：直流偏置电源，P
IN
： RF输入功率，P
OUT
：射频输出功率
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 550MW - （ 1 / RθJC ）×牛逼
PACK
其中T
PACK
=源标签铅温度高于22°C
例如：对于一个65 ℃的温度载体：P
合计
= 550MW - （ 3.6× （ 65 - 22 ） ） = 323mW
B
IASING
G
UIDELINES
:
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
否则的pHEMT可被诱导以自振荡。
双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负电压
供应耗尽型器件，如FPD6836P70 。
对于标准的A类操作， IDSS偏置点的50％的建议。少量
在压缩之前的发作RF增益扩张是正常的，这个工作点。 A / B类
25-33 ％ IDSS的偏见提供了NF和OIP3优化的解决方案。
2
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
电子邮件： sales@filcs.com
电话：+44 （ 0 ） 1325 301111
网址：
www.filtronic.com
FPD6836P70
数据手册V3.0
T
YPICAL
F
Characteristic低频
R
反应的影响
FPD6836P70偏@ VD = 5V ID = 55毫安
30
味精
FPD6836P70偏差VD = 5V ， ID = 50毫安
5
4.5
4
3.5
3
25
S21
味精
MAG S21
15
10
5
0
1
2
3 4
5
6
7 8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
频率（GHz ）
2.5
2
1.5
1
0.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
频率（GHz ）
注：对频率调谐噪声系数的变化如上图所示。该器件偏置
名义上在V
DS
= 5V ，我
DS
= 50毫安。测试器件进行调谐用调谐器在最小噪声系数
该设备的输入和输出端口。
T
YPICAL
RF P
ERFORMANCE
功率传输特性
VDS = 5V ， IDS = 55毫安在
f
= 5.8GHz的
70.0%
4.00
23.0
3.50
的Pout （ dBm的）
比较点
漏极效率和PAE
70.0%
60.0%
PAE
EFF 。
60.0%
21.0
3.00
增益压缩（分贝）
输出功率（dBm ）
19.0
17.0
15.0
2.50
2.00
1.50
1.00
PAE （％）
40.0%
40.0%
30.0%
30.0%
13.0
0.50
11.0
9.0
-3
-1
1
3
5
7
9
11
13
0.00
-0.50
20.0%
20.0%
10.0%
10.0%
0.0%
-3
-1
1
3
5
7
9
11
13
0.0%
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
典型的互调性能
VDS = 5V ， IDS = 55毫安在
f
= 5.8GHz的
12
的Pout （ dBm的）
-38.00
三度（ DBC）
10
输出功率（dBm ）
-43.00
8
-48.00
6
3阶IM产品（ DBC）
-53.00
4
2
-10.3
-9.3
-8.3
-7.4
-6.3
-5.3
-4.4
-3.4
-2.4
-58.00
Inpur功率（dBm ）
注：典型的功率，效率和
互调如上所示。该
器件在V偏置名义上
DS
= 5V ，我
DS
= 55毫安在测试频率
5.8 GHz的。测试器件进行调谐
使用滑动调谐器的输入端和所述
该装置的输出端口。
3
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
电子邮件： sales@filcs.com
电话：+44 （ 0 ） 1325 301111
网址：
www.filtronic.com
排水 FFI效率（ ％ ）
50.0%
50.0%
噪声系数
20
＆放大器;
FPD6836P70
数据手册V3.0
T
EMPERATURE响应
:
FPD6836P70增益&鲍威变化奥雅纳テMPE叉涂抹
VDS = 5.0V IDS = 55毫安在
f
= 5.8GHz的
FPD6836P70英特rmodulation变化奥雅纳テMPE叉涂抹
VDS = 5.0V IDS = 55毫安在
f
= 5.8GHz的
21.00
18.00
20.00
18.00
17.00
16.00
15.00
16.00
15.00
14.00
19.00
互调产物（ DBC）
19.00
22.00
-30.00
IM3
-35.00
17.00
P1dB的（ DBM）
SSG （ dB）的
-40.00
-45.00
SSG
14.00
-40
-20
0
P1dB
20
40
60
80
13.00
12.00
-50.00
-40
-20
0
20
40
60
80
温度（℃）
温度（℃）
注：典型的功率，增益和互调随温度变化如上图所示。该器件
在V有偏见名义上
DS
= 5V ，我
DS
= 55毫安在对评估板5.8 GHz的测试频率。该EVAL
板调整为最低噪声和最大增益。的1dB压缩点是比典型的低
号由于在匹配的变化。
N
OISE
P
ARAMETERS
:
偏置5V为50mA
频率
（千兆赫）
0.90
1.80
2.40
2.60
2.80
3.20
4.00
5.00
5.50
6.00
7.00
8.00
9.00
10.00
11.00
12.00
13.00
14.00
15.00
Rn/50
0.165
0.176
0.158
0.159
0.160
0.156
0.141
0.120
0.114
0.107
0.096
0.100
0.121
0.138
0.187
0.239
0.355
0.461
0.604
MAG
0.747
0.623
0.795
0.640
0.670
0.617
0.542
0.465
0.431
0.366
0.262
0.188
0.135
0.162
0.183
0.270
0.343
0.431
0.573
角
15.70
24.95
37.45
47.15
47.90
51.20
68.70
85.00
91.10
101.15
122.10
153.60
-165.60
-126.80
-85.95
-68.40
-50.25
-43.95
-25.80
4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
电子邮件： sales@filcs.com
电话：+44 （ 0 ） 1325 301111
网址：
www.filtronic.com
FPD6836P70
数据手册V3.0
R
指南
D
ESIGN
5.15
TO
5.85 GH
Z
:
F
Characteristic低频
收益
N.F.
P1dB
IP3
S11
S22
Vd
Vg
Id
GH
Z
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
V
V
mA
5.5
20
FPD6836P70 5.5GHz评估板偏置@ 5V ， 55毫安
DB(|S(2,1)|)
16
1.0
19.5
dB
15
10
5
0
DB(|S(1,1)|)
DB(|S(2,2)|)
30
-6
-26
5
-0.4 -0.6
55
-5
-10
-15
-20
-25
-30
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
7
8
9
S
电气原理
MTEE
ID=TL22
W1 = 150万
W2 = 100万
W3 = 220万
2
2
3
1
3
1
帽
ID=C2
C = 33 pF的
MTEE
ID=TL10
W1 = 45万
W2 = 70万
W3 = 45万
1
3
2
MLIN
ID=TL2
W = 70万
L = 420万
MTEE
ID=TL9
W1 = 70万
W2 = 40万
W3 = 40万
1
3
2
MLIN
ID=TL3
W = 40万
L = 100万
MLIN
ID=TL19
W = 100万
L = 100万
MLIN
ID=TL17
W = 150万
L = 120万
MTEE
ID=TL21
W1 = 150万
W2 = 45万
W3 = 45万
1
2
帽
ID=C4
C = 33 pF的
PORT
P=1
Z = 50欧姆
水库
ID=R1
R = 20欧姆
MLIN
ID=TL6
W = 45万
L = 30万
SUBCKT
ID=Q1
NET = "FET"
MLEF
ID=TL1
W = 40万
L = 190万
MLEF
ID=TL11
W = 220万
L = 380万
MLIN
ID=TL16
W = 5万
L = 310万
PORT
P=3
Z = 50欧姆
MRSTUB2
ID=TL20
RI = 20万
RO = 268万
THETA = 90度
MLIN
ID=TL14
W = 50万
L = 100万
MLIN
ID=TL15
W = 50万
L = 50万
MLIN
ID=TL5
W = 5万
L = 280万
MRST UB2
ID=TL8
RI = 20万
RO = 350万
THETA = 90度
帽
ID=C1
C = 33 pF的
帽
ID=C5
C = 33 pF的
MLIN
ID=TL4
W = 50万
L = 100万
DCVS
ID = VG
V=-0.5 V
帽
ID=C7
C =百万pF的
DCVS
ID = VD
V=5 V
5
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
电子邮件： sales@filcs.com
电话：+44 （ 0 ） 1325 301111
网址：
www.filtronic.com
QQ：2881677436 复制
