初步
性能（ 1.8千兆赫）
36.5 dBm的输出功率（P
1dB
)
10.5分贝功率增益（G
1dB
)
49 dBm的输出IP3
10V操作
45％的功率附加效率
提供评估板
可对网站设计的其他数据
可用增益至4GHz
说明与应用
FPD4000AF
4W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
见包
纲要
标识代码
该FPD4000AF是一个打包的耗尽型铝镓砷/铟镓砷伪形态高电子
迁移率晶体管（ pHEMT制） ，在L波段功率应用进行优化。高功率flange-
安装包已经被优化的低电寄生和最佳散热。
典型的应用包括在PCS的驱动程序或输出级/蜂窝基站发射机
放大器，以及在WLL / WLAN放大器等功率应用。
电气特性在22℃下
参数
功率1分贝增益压缩
功率增益1dB增益压缩
最大稳定增益
S
21
/S
12
功率附加英法fi效率
在1分贝增益压缩
3
rd
阶互调失真
IP3
PAE
符号
P
1dB
G
1dB
味精
测试条件
V
DS
= 10V ;我
DQ
= 720毫安
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 10V ;我
DQ
= 720毫安
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 10 V ;我
DQ
= 720毫安
P
IN
=为0dBm ， 50Ω系统
V
DS
= 10V ;我
DQ
= 720毫安
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 10V ;我
DQ
= 720毫安
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
P
OUT
= 25.5 dBm的（单音级）
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热电阻（通道到外壳）
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
民
35.5
9.5
典型值
36.5
10.5
19
45
最大
单位
DBM
射频指标测量
f
= 1.8 GHz的使用CW信号
dB
%
-47
-44
dBc的
I
DSS
I
最大
G
M
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
Θ
CC
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
+1 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -3 V
V
DS
= 1.3 V ;我
DS
= 8毫安
I
GS
= 8毫安
I
GD
= 8毫安
见注下页
1.9
2.3
3.6
2.4
70
2.65
A
A
S
170
1.4
A
V
V
V
° C / W
0.7
6
20
0.9
8
22
12
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08/09/04
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初步
推荐工作偏置条件
漏源电压：
从5V至10V
静态电流：
25 ％I
DSS
到55％我
DSS
绝对最大额定值
1
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
2
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
G
P
IN
T
CH
T
英镑
P
合计
比较。
测试条件
-3V < V
GS
< + 0V
0V ＆ LT ; V
DS
< + 8V
对于V
DS
＆ GT ; 2V
正向/反向电流
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
-40
FPD4000AF
4W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
民
最大
12
-3
I
DSS
+25/-4
1.5
175
150
12
5
单位
V
V
mA
mA
W
C
C
W
dB
%
限制同时结合
3
2个或更多最大值。范围
80
1
2
T
环境
= 22 ° C除非另有说明
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
注意事项：
超过绝对最大额定值的工作条件将导致器件的永久性损坏。
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
，其中：
P
DC
：直流偏置电源
P
IN
： RF输入功率
P
OUT
：射频输出功率
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 12 - （ 0.083W / ° C）控制x T
PACK
其中T
PACK
=
源标签铅温度高于22
°
C
（降额式的系数是热导率）
例如：对于一个55 ° C源铅温度：P
合计
= 12 - （ 0.083 ×（ 55 - 22 ） ） = 9.3W
需要注意的热阻：
12 ° C / W标称值的测量与安装在一个大包
散热片与热复合，以保证足够的接触。封装温度称为源
FL法兰。
操作注意事项
为避免对设备造成损坏应小心处理期间行使。适当的静电
放电（ESD ）预防措施应储存的各个阶段进行观察，搬运，装配和
测试。这些设备应被视为按ESD - STM5.1-1998 1A级，人体模式。
在ESD控制措施的更多信息可以在MIL -STD- 1686和MIL -HDBK -263被发现。
电话：
+1 408 850-5790
传真：
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初步
FPD4000AF
4W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
偏置指南
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
否则的pHEMT可被诱导以自振荡。请联系您的销售代表
附加信息。
双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负
电压源为耗尽型器件，如FPD4000AF 。
自偏置电路采用的RF -旁路源电阻，以提供负栅 - 源极
偏置电压，并且这些电路提供一些的温度稳定的设备。标称
值电路的发展为0.7
对于推荐的720毫安工作点。这
方法将需要直流电源电阻器能够至少365mW的功耗。
推荐720毫安偏置点名义上是AB类模式。少量的RF增益
膨胀压缩的发作之前是正常的运行点。
包装外形
（尺寸以毫米为单位 - 毫米）
包装标识代码
例如：
f1ZD
P2F
f
=费尔多尼克
1ZD =批号和日期代码
P2F =状态，部分代码，部件类型
状态： D =开发P =生产
部分代码表示的模型（例如FPD4000AF ）
部分型号：F =场效应管（ pHEMT制）
改变所有的信息和规格，恕不另行通知。
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初步
FPD4000AF
4W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
IM产品与输入功率
-15.0
32.0
-20.0
噘
30.0
IM3 ， dBc的
-25.0
输出功率（dBm ）
-30.0
28.0
-35.0
26.0
-40.0
-45.0
24.0
-50.0
22.0
11.0
13.0
15.0
17.0
19.0
21.0
-55.0
输入功率（dBm ）
注：上面显示输入和输出功率为单载波或单色调层次图。
FPD4000AF IP3轮廓线2 GHz的
0.6
IP3_dBm = 48 dBm的
0.
4
IP3_dBm = 46 dBm的
2.
0
SWP最大
189
IP3_dBm = 50 dBm的
0.8
1.0
0
3.
4.0
IP3_dBm
5.0
10.0
= 44 dBm的
IP3_dBm = 52 dBm的
-0.4
-0.
6
-0.8
-1.0
.0
-2
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+1 408 850-5790
传真：
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-4.
0
IP3_dBm = 54 dBm的
-5.0
-0.2
-10.0
IP3_dBm = 56 dBm的
注意：
IP3轮廓与P生成
IN
= 11分贝
回退的P
1dB
。当地最大的
最佳的线性度位于：
Γ
S
= 15 – j12
和
Γ
L
≈
15 – j15
（上轮廓IP3值标签配
值，并不能代表实际的设备
性能）。
SWP敏
-3
.0
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
IP3_dBm = 58 dBm的
0
IP3_dBm = 42 dBm的
1
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IM产品（ DBC）
0.2
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