添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第450页 > FPD3000SOT89E-BG
FPD3000SOT89
L
OW
N
OISE
H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输P
HEMT
F
EATURES
(1850MH
Z
):
30 dBm的输出功率( P1dB为)
13分贝小信号增益( SSG )
1.3分贝噪声系数
45 dBm的输出IP3
45%的功率附加效率
FPD3000SOT89E :符合RoHS标准
(指令2002/95 / EC )
数据手册V3.0
P
ACKAGE
:
RoHS指令
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FPD3000SOT89是封装耗尽
模式的AlGaAs /砷化铟镓假晶高
电子迁移率晶体管( pHEMT制) 。它
采用了0.25微米× 3000微米的肖特基势垒
门,通过高分辨率的定义stepper-
基于光刻。双凹
栅结构最大限度地减少寄生效应,优化
性能,具有外延结构
设计用于改善线性度的范围内
偏置条件和I / P功率水平。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
在PCS驱动程序或输出级/蜂窝
基站发射机放大器
高拦截点低噪声放大器
WLL和WLAN系统和其它类型的
无线基础设施系统。
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
:
P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
小信号增益
功率附加英法fi效率
S
YMBOL
P1dB
SSG
PAE
C
ONDITIONS
VDS = 5 V ; IDS = 50 % IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 50 % IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 50%的智能决策支持系统;
POUT =的P1dB
M
IN
29
11.5
T
YP
30
13
45
M
AX
U
尼特
DBM
dB
%
噪声系数
NF
VDS = 5 V ; IDS = 50 % IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 25 % IDSS
1.3
0.9
dB
输出三阶截取点
(从15 5 dB以下的P1dB )
IP3
VDS = 5V ; IDS = 50 % IDSS
匹配的最佳动力
匹配最佳IP3
42
45
750
930
1.5
800
2
0.7
12
12
1.0
16
16
35
20
1.3
1100
mA
mA
mS
A
V
V
V
° C / W
DBM
饱和漏源电流
最大漏源电流
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热阻
IDSS
IMAX
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
RθJC
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -5V
VDS = 1.3 V ; IDS = 3毫安
IGS = 3毫安
IGD = 3毫安
注:t
环境
= 22 ° ;在f = 1850 MHz的使用CW信号的RF测量规范(特别注明的除外)
1
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真: +44 ( 0 ) 1325 306177
电子邮件: sales@filcs.com
电话:+44 ( 0 ) 1325 301111
网址:
www.filtronic.com
FPD3000SOT89
数据手册V3.0
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
阿婷
1
:
P
ARAMETER
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
2
S
YMBOL
VDS
VGS
IDS
IG
总胆固醇
TSTG
P合计
比较。
3
T
美东时间
C
ONDITIONS
-3V < VGS < -0.5V
0V < VDS < + 8V
对于VDS < 2V
正向或反向电流
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
2个或更多最大值。范围
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
8V
-3V
IDSS
30mA
600mW
175°C
-40 ° C至150℃
3.5W
5dB
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
限制同时结合
注意事项:
1
T
环境
= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会导致
对设备造成永久性损坏
2
马克斯。 1 : RF输入限制,如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
用户应避免超过80 %的2个或更多同时限制
4
定义为总功耗:P
合计
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
,
其中,P
DC
:直流偏置电源,P
IN
: RF输入功率,P
OUT
:射频输出功率
总功耗要降额,符合上述22 ° C:
P
合计
= 3.5 - ( 0.028W / ° C)控制x T
PACK
其中T
PACK
=源标签铅温度高于22°C
(降额式的系数是热导率)
例如:对于一个65 ℃的温度载体:P
合计
= 3.5W - ( 0.028 ×( 65 - 22 ) ) = 2.3W
B
IASING
G
UIDELINES
:
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度,但是需要的组件相比,自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款,以确保栅偏置漏偏前申请,
否则的pHEMT可被诱导以自振荡
双偏置电路实现起来比较简单,但需要调节的负电压
供应耗尽型器件。
对于标准的A类操作, IDSS偏置点的50%的建议。少量
在压缩之前的发作RF增益扩张是正常的,这个工作点。一类
A的25 %至33%的智能决策支持系统/ B偏置,以达到更好的OIP3性能提出了建议。
2
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真: +44 ( 0 ) 1325 306177
电子邮件: sales@filcs.com
电话:+44 ( 0 ) 1325 301111
网址:
www.filtronic.com
FPD3000SOT89
数据手册V3.0
T
YPICAL
T
联联
RF P
ERFORMANCE
:
功率传输特性
45%
40%
漏极效率和PAE
45%
40%
35%
30%
25%
20%
PAE
15%
10%
5%
0%
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
21.0
22.0
输入功率(dBm )
EFF 。
15%
10%
5%
0%
排水 FFI效率( % )
32.0
31.0
的Pout ( dBm的)
30.0
输出功率(dBm )
29.0
比较点
3.25
2.75
35%
2.25
增益压缩, (分贝)
30%
PAE (%)
25%
20%
1.75
28.0
1.25
27.0
0.75
26.0
25.0
24.0
23.0
11.0
0.25
-0.25
-0.75
23.0
13.0
15.0
17.0
输入功率(dBm )
19.0
21.0
注:典型的功率和效率如上图所示。该器件在V偏压名义上
DS
= 5V ,我
DS
第I = 50%
DSS
在1.85 GHz的测试频率。测试器件进行调谐(输入和输出调整)为
最大输出功率在1分贝增益压缩。
典型的互调性能
VDS = 5V , IDS = 50 % IDSS在f = 1.85GHz
-40.00
21
的Pout ( dBm的)
三度( DBC)
-42.00
-44.00
-46.00
-48.00
3阶IM产品( DBC)
19
输出功率(dBm )
17
-50.00
-52.00
15
-54.00
13
-56.00
-58.00
11
0.7
1.7
2.8
3.8
4.7
5.7
6.8
7.8
8.8
9.8
inout的功率(dBm )
-60.00
味精
注: pHEMT器件具有增强
互调性能。这就产生OIP3
约P1dB为+ 14 dB的数值。这IMD
增强是受静态偏置
和施加于器件的匹配。
35
30
25
20
15
10
FPD3000SOT89 5V / 50% IDSS
味精
S21
直流IV曲线FPD3000SOT89
1.2
MAG S21
VG=-1.50V
VG=-1.25V
VG=-1.00V
VG=-0.75V
VG=-0.50V
VG=-0.25V
VG=0V
5.5
6.0
T
YPICAL
我-V
极特
:
&放大器;
1.0
漏源极电压(A )
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
漏源极电压( V)
5
注:用于测量的推荐方法
I
DSS
或任何特定本人
DS
,是设置漏源
0
电压
1.5
DS
)
2.5
1.3V 。这种测量方法
7.5 8
(V
at
0.5
3.5
4.5
5.5
6.5
可避免的发作
频率(GHz )
寄生自激振荡哪些
通常会扭曲电流测量
(这种效应已经被过滤的IV曲线
上面介绍) 。设置V
DS
> 1.3V会
通常
原因
错误
in
当前
的测量,即使在稳定化电路。
3
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真: +44 ( 0 ) 1325 306177
电子邮件: sales@filcs.com
电话:+44 ( 0 ) 1325 301111
网址:
www.filtronic.com
FPD3000SOT89
数据手册V3.0
T
YPICAL
O
安输出
P
车道
P
OWER
C
ONTOURS
:
( VDS = 5V , IDS = 50 % IDSS )
0.
8
1.
0
2.
0
0.4
0.
6
0.
SWP最大
143
0.
8
0.
6
1.
0
2.
0
SWP最大
131
3.
4.
3.0
0.
24dBm
25dBm
26dBm
27dBm
0.
2
0.
4
28dBm
0.
6
0. 1.
8 0
2.
0
3. 4. 5.
0 0 0
5.
0.2
10.
10
.0
0
24dBm
25dBm
26dBm
27dBm
28dBm
0.
0.
29dBm
2
4
0.
6
0.
8
1.
0
2.
0
3. 4. 5.
0
0 0
4.0
5.0
10.0
10
.0
0
29dBm
-
-
30dBm
-10.0
-0.2
-5.0
30dBm
-
-
-4.0
-3.0
-
-
2.
-
0.
-
1.
-
-0.4
-
2.
0
-
0.
8
-
1.
0
-
0.
-
0.
6
SWP敏
1
SWP敏
1
1850兆赫
横扫轮廓以恒定的输入功率,
设置这样的最佳P
1dB
在实现
点的输出匹配。
输入(源平面)
Γ
s
:
0.70
-165.5
0.17 - j0.12 (归一化)
8.5 – j6.0
与获得的标称IP3性能
该输入面匹配,并且输出平面
匹配,如图所示。
900兆赫
横扫轮廓以恒定的输入功率,
设置这样的最佳P
1dB
在实现
点的输出匹配。
输入(源平面)
Γ
s
:
0.78
-147.4
0.13 - j0.29 (归一化)
6.5 – j14.5
与获得的标称IP3性能
该输入面匹配,并且输出平面
匹配,如图所示。
T
YPICAL
S
CATTERING
P
ARAMETERS
(50 S
变体系
):
FPD3000SOT89 5V / 50% IDSS
0.
8
0.
6
FPD3000SOT89 5V / 50% IDSS
6
0.
3.0
4.0
0.2
2.5 GHz的
0.2
5.0
2 GHz的
1.5 GHz的
0
0.
2
0.
4
0.
6
0.
8
1.
0
2.
0
3.
0
4. 5.
0 0
10.0
10
.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
1 GHz的
1 GHz的
-0.2
-5.0
-4.0
0
-0.4
-
2.
0
-
0.
8
-
1.
0
.4
-0
SWP敏
0.5GHz
-0.8
4
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真: +44 ( 0 ) 1325 306177
电子邮件: sales@filcs.com
电话:+44 ( 0 ) 1325 301111
-1.0
S11
-
0.
6
S22
-0
.6
.0
-2
网址:
www.filtronic.com
-3
.
-3.0
SWP敏
0.5GHz
-5.
-4
.0
0
2
-0.
-10.
0
-10.0
5.0
10.0
0.
4
4 GHz的
0.4
3.5 GHz的
3 GHz的
2.
0
6 GHz的
5 GHz的
4 GHz的
3 GHz的
7 GHz的
2.
0
5 GHz的
6 GHz的
1.
0
7 GHz的
SWP最大
8GHz
SWP最大
8GHz
0.8
1.0
3.
0
0
4.
5.0
2 GHz的
10.0
FPD3000SOT89
数据手册V3.0
S-P
ARAMETERS
: (B
IASED
@ 5V , 50 % IDSS )
频率[ GHz的]
0.050
0.300
0.550
0.800
1.050
1.300
1.550
1.800
2.050
2.300
2.550
2.800
3.050
3.300
3.550
3.800
4.050
4.300
4.550
4.800
5.050
5.300
5.550
5.800
6.050
6.300
6.550
6.800
7.050
7.300
7.550
7.800
8.050
S11m
0.946
0.824
0.761
0.779
0.771
0.775
0.779
0.775
0.778
0.780
0.777
0.778
0.782
0.784
0.785
0.790
0.790
0.806
0.800
0.794
0.800
0.801
0.805
0.806
0.808
0.810
0.811
0.814
0.818
0.821
0.829
0.831
0.839
S11a
-24.3
-97.5
-132.1
-150.7
-163.6
-173.0
178.6
171.1
164.5
158.1
152.3
146.8
142.6
137.7
133.2
129.0
124.8
120.7
115.1
111.6
107.0
102.6
98.0
93.8
89.5
85.4
81.3
77.4
73.2
69.0
64.8
60.2
55.5
S21m
36.120
19.282
12.243
8.992
7.020
5.802
4.934
4.306
3.834
3.444
3.131
2.878
2.636
2.459
2.286
2.146
2.017
1.896
1.821
1.728
1.648
1.576
1.516
1.461
1.411
1.360
1.317
1.272
1.232
1.189
1.149
1.108
1.066
S21a
159.0
120.3
103.2
91.8
84.0
76.3
70.1
63.6
57.8
52.0
46.1
40.4
34.9
29.4
24.0
18.7
13.3
9.0
3.4
-1.4
-6.7
-11.5
-16.5
-21.4
-26.2
-31.2
-36.3
-41.2
-46.3
-51.3
-56.4
-61.4
-66.3
S12m
0.006
0.027
0.037
0.043
0.048
0.054
0.059
0.064
0.069
0.074
0.080
0.085
0.088
0.093
0.097
0.101
0.105
0.106
0.113
0.117
0.121
0.123
0.128
0.132
0.136
0.139
0.143
0.146
0.151
0.153
0.157
0.159
0.160
S12a
79.8
56.8
45.6
40.5
38.3
35.9
34.7
31.7
29.8
27.5
24.3
22.1
19.1
15.6
12.7
9.6
5.7
4.5
1.5
-2.0
-5.4
-8.6
-11.8
-14.7
-18.0
-21.3
-24.6
-28.2
-31.7
-35.1
-38.8
-42.5
-46.5
S22m
0.175
0.384
0.478
0.507
0.522
0.529
0.528
0.532
0.529
0.531
0.531
0.534
0.537
0.544
0.545
0.551
0.555
0.575
0.574
0.575
0.577
0.580
0.583
0.583
0.586
0.588
0.593
0.592
0.601
0.607
0.614
0.623
0.634
S22a
-145.5
-150.1
-165.4
-172.3
-179.1
176.4
171.9
167.4
163.2
158.7
154.2
149.1
143.6
138.2
132.9
127.8
123.2
118.8
113.3
109.7
105.9
102.6
98.7
95.2
91.1
86.9
82.4
77.7
73.0
68.2
63.5
59.3
55.3
5
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真: +44 ( 0 ) 1325 306177
电子邮件: sales@filcs.com
电话:+44 ( 0 ) 1325 301111
网址:
www.filtronic.com
查看更多FPD3000SOT89E-BGPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FPD3000SOT89E-BG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

查询更多FPD3000SOT89E-BG供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!