初步
性能（ 1.8千兆赫）
33 dBm的线性输出功率
14.5分贝功率增益
可用增益为10 GHz的
44 dBm的输出IP3
20分贝最大稳定增益
45％的功率附加效率
10V操作/镀源直通通孔
漏
BOND
PAD （2X）
FPD2000V
2W P
OWER P
HEMT
门
BOND
PAD （2X）
说明与应用
DIE SIZE （微米） ： 650 * 800
管芯厚度： 75微米
键合焊盘（微米） ：
>70
x 70
该FPD2000V是一个离散耗尽型铝镓砷/铟镓砷伪形态高电子
迁移率晶体管（ pHEMT制） ，用于功率应用中的L和C波段优化。该
FPD2000V来源包括电镀通孔，并且不需要引线键合的来源。
典型的应用包括在PCS的驱动程序或输出级/蜂窝基站发射机
放大器，以及在WLL / WLAN放大器等功率应用。
电气特性在22℃下
参数
功率1分贝增益压缩
功率增益1dB增益压缩
最大稳定增益
S
21
/S
12
功率附加英法fi效率
在1分贝增益压缩
3
rd
阶互调失真
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热敏电阻
I
DSS
I
最大
G
M
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
Θ
CC
IM3
PAE
符号
P
1dB
G
1dB
味精
测试条件
V
DS
= 10V ;我
DS
= 350毫安
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 10V ;我
DS
= 350毫安
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 10 V ;我
DS
= 350毫安
P
IN
=为0dBm ， 50Ω系统
V
DS
= 10V ;我
DS
= 350毫安
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 10V ;我
DS
= 350毫安
P
OUT
= 22 dBm的（单音级）
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
+1 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -3 V
V
DS
= 1.3 V ;我
DS
= 4毫安
I
GS
= 4毫安
I
GD
= 4毫安
见注下页
0.7
6
20
975
-46
1150
1800
1200
35
0.9
8
22
18
85
1.4
1375
dBc的
mA
mA
mS
A
V
V
V
° C / W
45
%
20
dB
13.0
14.5
民
32
典型值
33
最大
单位
DBM
射频指标测量
f
= 1.8 GHz的使用CW信号
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
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4/29/05
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初步
FPD2000V
2W P
OWER P
HEMT
推荐工作偏置条件
漏源电压：
从5V至10V
静态电流：
25 ％I
DSS
到55％我
DSS
绝对最大额定值
1
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
2
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
限制同时结合
3
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
G
P
IN
T
CH
T
英镑
P
合计
比较。
2
测试条件
-3V < V
GS
< + 0V
0V ＆ LT ; V
DS
< + 8V
对于V
DS
＆ GT ; 2V
正向或反向电流
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
2个或更多最大值。范围
民
最大
12
-3
I
DSS
+15/-2
900
175
单位
V
V
mA
mA
mW
C
C
W
dB
%
-40
150
8.5
5
80
1
3
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
T
环境
= 22 ° C除非另有说明
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
注意事项：
经营超过绝对最大额定值条件下可能导致器件的永久性损坏。
热敏电阻率规范假定一个金/锡共晶芯片粘接到镀金的铜散热片或肋骨。
功耗定义为：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
，其中，
P
DC
：直流偏置电源
P
IN
： RF输入功率
P
OUT
：射频输出功率
绝对最大功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 8.5W - （ 0.056W / ° C）控制x T
HS
其中T
HS
=散热器或环境温度高于22°C
例如：对于一个85°C的散热片温度：P
合计
= 8.5W - （ 0.056 ×（ 85 - 22 ） ） = 4.9W
操作注意事项
为避免对设备造成损坏应小心处理期间行使。适当的静电
放电（ESD ）预防措施应储存的各个阶段进行观察，搬运，装配和
测试。本产品已通过JESD22 A114进行测试， 1A级（ > 250V ，但< 500V ） ，人
体模型，并以A类， （ < 200V ），使用JESD22 A115 ，机型号..
装配说明
推荐的芯片附着是在氮气氛下金/锡共晶焊料。舞台
温度应为280-290 ℃;在该温度下的最大时间为一分钟。推荐
引线键合方法是用1.0密耳（ 0.025毫米）金线热压楔焊。舞台
温度应为250-260 ℃。
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初步
FPD2000V
2W P
OWER P
HEMT
应用说明&设计数据
应用笔记，可以从当地的费尔多尼克销售代表或直接从
工厂。完整的设计数据，包括S参数，噪声数据，信号和大信号模型
可在费尔多尼克网站。
键合图
注： 25
m
（0.001英寸）。金丝建议。没有源引线键合需要，装置
拥有源通孔。
所有信息和规格如有变更，恕不另行通知。
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