FPD2000AS
2W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
F
EATURES
:
33 dBm的输出功率（ P1dB为） @ 1.8GHz的
14分贝功率增益（ G1dB ） @ 1.8GHz的
46 dBm的输出IP3
10V操作
50％的功率附加效率
提供评估板
可用增益至4GHz
数据手册V3.0
P
ACKAGE
:
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FPD2000AS是封装耗尽
模式的AlGaAs /砷化铟镓假晶高
电子
流动性
晶体管
（ pHEMT制）
在L波段功率应用进行优化。
表面贴装封装已
低寄生效应进行了优化。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
在PCS驱动程序或输出级/蜂窝
基站发射机放大器
在WLL / WLAN电源应用和
WiMax技术（ 3.5GHz的）放大器
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
:
P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
P1dB
S
YMBOL
C
ONDITIONS
VDS = 10V ; IDS = 350毫安
ΓS
和
ΓL
调整以获得最佳的IP3
VDS = 10V ; IDS = 350毫安
M
IN
32
T
YP
33
M
AX
U
尼特
DBM
功率增益1dB增益压缩
G1dB
ΓS
和
ΓL
调整以获得最佳的IP3
VDS = 10V ; IDS = 350毫安
12.5
14.0
最大稳定增益
味精
S21/S12
功率附加英法fi效率
PAE
在1分贝增益压缩
20
PIN =为0dBm ， 50Ω系统
VDS = 10V ; IDS = 350毫安
ΓS
和
ΓL
调整以获得最佳的IP3
VDS = 10V ; IDS = 350毫安
45
dB
%
3阶互调失真
IM3
ΓS
和
ΓL
调整以获得最佳的IP3
POUT = 22 dBm的
-47
dBc的
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热电阻（通道到案例）
IDSS
IMAX
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
ΘCC
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -3 V
VDS = 1.3 V ; IDS = 4毫安
IGS = 4毫安
IGD = 4毫安
见注下页
0.7
6
20
1150
1800
1200
35
0.9
85
1.4
mA
mA
mS
A
V
V
V
20
° C / W
注：t
环境
= 22 ° ;在f = 1850 MHz的使用CW信号的RF测量规范（特别注明的除外）
1
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FPD2000AS
数据手册V3.0
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
阿婷
1
:
P
ARAMETER
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
2
RF输入功率
通道工作温度
储存温度
3
总功耗
P合计
请参阅下面的降额注
7.6W
针
总胆固醇
TSTG
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
29.5dBm
175°C
-40 ° C至150℃
S
YMBOL
VDS
VGS
IDS
IG
T
美东时间
C
ONDITIONS
7
-3V < VGS < -0.5V
0V < VDS < + 8V
对于VDS < 2V
正向/反向电流
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
12V
-3V
IDSS
+15/-2mA
注意事项：
1
T
环境
= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会导致
对设备造成永久性损坏;用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
2
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
,
其中，P
DC
：直流偏置电源，P
IN
： RF输入功率，P
OUT
：射频输出功率
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 7.6 - （ 0.05W / ° C）控制x T
PACK
其中T
PACK
=源标签铅温度高于22°C
（降额式的系数是热导率）
例如：对于一个55 ℃的温度载体：P
合计
= 7.6W - （ 0.05 ×（ 55 - 22 ） ） = 5.95W
5
为了达到最佳的散热，通过（来源）过孔应直接使用下面的中央金属填充
在封装的底面金属化接地垫
6
热电阻： 20℃ / W的标称值是衡量安装在一个大的散热片包
与热复合，以确保有足够的（回流）的接触。封装温度称为该
源线索
7
工作在绝对最大VD连续不推荐。如果操作被认为是那么IDS必须
被减小以保持部分内它的热功率耗散的限制。因此VGS限制
到<-0.5V 。
B
IASING
G
UIDELINES
:
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
否则的pHEMT可被诱导以自振荡。
双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负电压
供应耗尽型器件，如FPD2000AS 。
推荐350毫安偏置点名义上是AB类模式。少量的RF增益
膨胀压缩的发作之前是正常的运行点。
推荐工作偏置条件
:
漏源电压：
静态电流：
从5V至10V
25 ％I
DSS
到55％我
DSS
2
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FPD2000AS
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T
YPICAL
M
EASURED
RF P
ERFORMANCE
:
注意：测量条件牛逼
环境
= 22 ° C除非另有说明（ VDS = 10V ， IDS = 350mA，可F = 1800兆赫）
功率传输特性
34.00
3.50
70.00%
70.00%
漏极效率和PAE
3.00
60.00%
60.00%
32.00
30.00
2.50
增益压缩（分贝）
输出功率（dBm ）
28.00
2.00
PAE
EFF 。
40.00%
26.00
噘
比较点
1.50
40.00%
24.00
1.00
30.00%
30.00%
22.00
.50
20.00%
20.00%
20.00
.00
10.00%
10.00%
18.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
16.00
18.00
20.00
-.50
22.00
.00%
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
16.00
18.00
20.00
22.00
.00%
24.00
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
IMP
roductsvs 。输入P ER
ow
-20.00
27.00
-25.00
FPD2000AS I- V曲线
1.400
VGS = 0V
漏源电流（A ）
25.00
-30.00
1.200
输出功率（dBm ）
IM产品（ DBC）
P吨
ou
林分贝
3, c
-35.00
1.000
.800
VGS = -0.25V
23.00
-40.00
VGS = -0.50V
21.00
-45.00
.600
.400
.200
.000
0.00
VGS = -0.75V
-50.00
19.00
-55.00
VGS = -1.0V
VGS = -1.25V
17.00
3.00
5.00
7.00
9.00
11.00
13.00
-60.00
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
6.00
7.00
8.00
以U P ER （ D M
P吨嗷嗷B）
漏源极电压（ V）
1.0
FPD2000AS IP3轮廓线2 GHz的
1.0
0 .8
FPD2000AS功率等高线2 GHz的
0 .6
IP3_dBm = 44 dBm的
2.0
0.6
IP3_dBm = 42 dBm的
3.0
2.
0
SWP最大
244
SWP最大
181
0.8
Pout_dBm = 22 dBm的
3.
0
IP3_dBm = 50 dBm的
4 .0
0 .2
4.0
0 .2
5
IP3_dBm = 40 dBm的
.0
10 .0
5.0
Pout_dBm = 32 dBm的
IP3_dBm = 52 dBm的
10.0
3.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
4.0
5.0
10 .0
Pout_dBm = 34 dBm的
Pout_dBm = 30 dBm的
IP3_dBm = 46 dBm的
.4
-0
.
-0
4
.0
-2
-0.
6
-0 .
6
Pout_dBm = 26 dBm的
SWP敏
1
.0
-2
-0 .8
-0 .8
-1.0
Pout_dBm = 24 dBm的
与P产生IP3轮廓：注意
IN
=
11分贝退避从P
1dB
。局部最大值为最佳
线性位于：
Γ
L
= 15 + j4.5
和
Γ
L
= 28 – j25
同
Γ
S
= 9.5 - j4
3
注：电源轮廓测量
恒定的输入功率，电平设置，以满足
标称P
1dB
评级为最优匹配
点。最佳搭配：
Γ
S
= 3 – j6
和
Γ
L
= 11 – j3
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-1.0
-3
.0
Pout_dBm = 28 dBm的
SWP敏
1
-5 .0
-4 .
0
-5 .0
- 0.2
-0 .2
-10 .0
IP3_dBm = 48 dBm的
-1 0. 0
0
10.0
0.2
0.6
0.8
1.0
0.4
3.0
5.0
2.0
4.0
0
排水 FFI效率（ ％ ）
50.00%
50.00%
PAE （％）
0.
4
-4 .
0
-3.
0
0.
4
FPD2000AS
数据手册V3.0
T
YPICAL
M
EASURED
RF P
ERFORMANCE
:
注意：测量条件牛逼
环境
= 22 ° C除非另有说明（ VDS = 10V ， IDS = 200毫安）
FPD2000AS在VDS = 10V和IDS = 350毫安
30.0
40
FPD2000AS在VDS = 10V和IDS = 350毫安
35
25.0
30
20.0
功率（dBm）或增益（ dB）的
25
P1dB
G1dB
收益
15.0
20
S21
味精
10.0
15
10
5.0
5
0.0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
频率（MHz）
频率（MHz）
作为P
ACKAGE
O
UTLINE
A
ND
R
ECOMMENDED
PC B
OARD
L
AYOUT
:
（尺寸以毫米为单位 - 毫米）
3.8
1.9±0.25
2.2±0.25
0.35
2 plc的。
4.4
3.8
1.3
2 plc的。
3.2
环氧圆角
1.5
0.15
在MM都Dimnesions
一般公差： ± .XX .X 0.05 ±0.15
为了获得最佳的定位精度在自动拾放
设备应该直接从引线被引用
0.5
2 plc的。
0-0.3
4 PLC等。
0.35
2 plc的。
4
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FPD2000AS
数据手册V3.0
R
指南
D
ESIGN
（ 3.4 - 3.5GH
Z
):
P
ARAMETER
频率
收益
P1dB
IM3 @是22dBm噘SCL
S11
S22
Vd
Vg
Id
U
NIT
GHz的
dB
DBM
dBc的
dB
dB
V
V
mA
P
ERFORMANCE
3.4 3.5
10
33
-45dBc
-6
-15
10
-0.6至-0.9
350
S
电气原理
:
-vg
1.0uF
Vd
1.0uF
10pF
FPD2000AS评估板
概要
10pF
20欧姆
Z10
Z9
Z15
Z14
1
3
Z16
15pF
1
Z1
2
4
3
1
Z5
2
4
3
1
Z8
2
4
15pF
Z18
Z19
RF OUT
（ 50欧姆）
在RF
（ 50欧姆）
Z2
Z1
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z11
Z12
2
4
3
Z13 Z17
Z14
商品说明。
价值
0.050" X 1.000"微带
Z1
W1 = 0.020" W2 = 0.050" W3 = 0.020" W4 = 0.050"微带十字
Z2
0.020" X 0.100"微带
Z3
W1 = 0.020" W2 = 0.050" W3 = 0.020" W4 = 0.050"微带十字
Z4
0.050" X 0.100"微带
Z5
0.020" X 0.440"微带
Z6
W1 = 0.020" W2 = 0.085" W3 = 0.020" W4 = 0.085"微带十字
Z7
0.085" X 0.254"微带
Z8
0.015" X 0.296"微带
Z9
0.360" ×90 °微带径向存根
Z10
0.420" ×90 °微带径向存根
Z16
Z11 ， Z12 0.040" X 0.040"微带
W1 = 0.090" W2 = 0.200" W3 = 0.090" W4 = 0.200"微带十字
Z13
0.200" X 0.100"微带
Z14
0.015" X 0.450"微带
Z15
0.090" X 0.190"微带
Z17
0.140" X 0.480"微带
Z18
0.050" X 0.100"微带
Z19
5
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