G
ENERAL
P
URPOSE P
HEMT
特点
在12 GHz的19 dBm的线性输出功率
12分贝功率增益为12 GHz的
17分贝最大稳定增益为12 GHz的
12分贝最大稳定增益为18 GHz的
45％的功率附加效率
漏
BOND
PAD （ 1X ）
来源
BOND
PAD （2X）
门
BOND
PAD （ 1X ）
DIE SIZE （微米） ： 400 ×400
管芯厚度： 75
m
键合焊盘（微米） ： >80 ×80
FPD200
说明与应用
该FPD200is的AlGaAs /砷化铟镓假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ）
配备了0.25
m
200
m
肖特基势垒门，通过高分辨率的步进为基础的定义
光刻。凹陷和偏移栅结构最大限度地减少寄生效应，优化
性能。外延结构和处理进行了优化，可靠的中期
电源应用。该FPD200还具有硅
3
N
4
钝化并提供以低成本
塑料封装。
典型的应用包括商业和其他窄带和宽带高性能
放大器，其中包括卫星通信上行链路发射器， PCS /蜂窝低压高效率输出
放大器和中程数字无线电发射机。
电气特性在22℃下
参数
功率1分贝增益压缩
功率增益为P
1dB
功率附加英法fi效率
最大稳定增益（S
21
/S
12
)
f
= 12 GHz的
f
= 24 GHz的
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热电阻系数（见注）
I
DSS
I
最大
G
M
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
θ
JC
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
+1 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 1.3 V ;我
DS
- 0.2毫安
I
GS
- 0.2毫安
I
GD
- 0.2毫安
V
DS
＆ GT ; 3V
0.7
12.0
14.5
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
SSG
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
16
10.5
45
17
12
60
120
80
1
1.0
14.0
16.0
280
10
1.3
75
mA
mA
mS
A
V
V
V
° C / W
dB
测试条件
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5V ;我
DS
= 50% I
DSS
;
P
OUT
= P
1dB
民
18
10.5
典型值
19
12.0
45
最大
单位
DBM
dB
%
射频指标测量
f
= 12 GHz的使用CW信号
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
http://www.filtronic.co.uk/semis
修改后：
11/17/04
电子邮件：
sales@filcsi.com
G
ENERAL
P
URPOSE P
HEMT
绝对最大额定值
1
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
2
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
限制同时结合
3
1
3
FPD200
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
G
P
IN
T
CH
T
英镑
P
合计
比较。
2
测试条件
-3V < V
GS
< + 0V
0V ＆ LT ; V
DS
< + 8V
对于V
DS
＆ GT ; 2V
正向或反向电流
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
2个或更多最大值。范围
民
最大
8
-3
I
DSS
10
100
175
单位
V
V
mA
mA
mW
C
C
W
dB
%
-40
150
0.5
5
80
T
环境
= 22 ° C除非另有说明
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
注意事项：
经营超过绝对最大额定值条件下可能导致器件的永久性损坏。
热敏电阻率规范假定一个金/锡共晶芯片粘接到镀金的铜散热片或肋骨。
功耗定义为：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
，其中，
P
DC
：直流偏置电源
P
IN
： RF输入功率
P
OUT
：射频输出功率
绝对最大功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 500mW的 - （ 3.6MW / ° C）控制x T
HS
其中T
HS
=散热器或环境温度。
例如：对于一个85°C的散热片温度：P
合计
= 0.5W - （ 0.0036 ×（ 85 - 22 ） ） = 0.27W
操作注意事项
为避免对设备造成损坏应小心处理期间行使。适当的静电
放电（ESD ）预防措施应储存的各个阶段进行观察，搬运，装配和
测试。这些设备应被视为按ESD - STM5.1-1998 1A级，人体模式。
在ESD控制措施的更多信息可以在MIL -STD- 1686和MIL -HDBK -263被发现。
装配说明
推荐的芯片附着是在氮气氛下金/锡共晶焊料。舞台
温度应为280-290 ℃;在该温度下的最大时间为一分钟。推荐
引线键合方法是用0.7或1.0密耳（ 0.018或0.025毫米）热压楔焊
金线。阶段的温度应该是250-260 ℃。
应用说明&设计数据
应用笔记，可以从当地的费尔多尼克销售代表或直接从
工厂。完整的设计数据，包括S参数，噪声数据，信号和大信号模型
可在费尔多尼克网站。
所有信息和规格如有变更，恕不另行通知。
电话：
+1 408 850-5790
传真：
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FPD200
G
ENERAL
P
URPOSE P
HEMT
IE
F
EATURES
:
19 dBm的输出功率（ P1dB为）
13分贝功率增益为12 GHz的
17分贝最大稳定增益为12 GHz的
12分贝最大稳定增益为18 GHz的
45％的功率附加效率
数据手册V3.0
L
AYOUT
:
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该
FPD200
is
an
铝镓砷/铟镓砷
赝
高
电子
流动性
晶体管（ PHEMT ） ，采用了0.25
m
by
200
m
肖特基势垒门，由高定义
分辨率步进型光刻。
凹栅结构最小化
寄生效应以优化性能。
该
外延结构和加工已
优化
为
可靠
中功率
应用程序。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
窄带和宽带高
高性能的放大器
卫星通信上行链路发射器
PCS /蜂窝低压高效率
输出放大器器
中程数字无线电发射器
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
1
:
P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
功率增益的P1dB
噪声系数
功率附加英法fi效率
最大稳定增益（S21 / S12）
f
= 12 GHz的
f
= 24 GHz的
S
YMBOL
P1dB
G1dB
N.F.min
PAE
味精
C
ONDITIONS
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 5V ; IDS = 50％的智能决策支持系统; POUT =的P1dB
M
IN
18
11.0
T
YP
19
13.0
1.2
45
M
AX
U
尼特
DBM
dB
dB
%
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
16
10.5
17
12
dB
dB
饱和漏源电流
最大漏源电流
IDSS
IMAX
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -5V
VDS = 1.3 V ; IDS = 0.2毫安
IGS = 0.2毫安
IGD = 0.2毫安
VDS > 3V
45
60
120
75
mA
mA
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热敏电阻
1
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
80
1
0.7
12.0
14.5
1.0
14.0
16.0
280
10
1.3
mS
A
V
V
V
° C / W
θ
JC
注：t
环境
= 22°C ;测量RF规格
f
用CW信号以抽样方式= 12 GHz的
1
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FPD200
数据手册V3.0
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
阿婷
1
:
P
ARAMETER
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
4
限制同时结合
2个或更多最大值。范围
80%
S
YMBOL
VDS
VGS
IDS
IG
针
总胆固醇
TSTG
P合计
比较。
T
美东时间
C
ONDITIONS
6
-3V < VGS < -0.5V
0V < VDS < + 8V
对于VDS < 2V
正向或反向电流
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
8V
-3V
IDSS
10mA
20dBm
175°C
-65 ℃150 ℃的
0.5W
5dB
注意事项：
1
T
环境
= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会导致
对设备造成永久性损坏
2
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
,
其中，P
DC
：直流偏置电源，P
IN
： RF输入功率，P
OUT
：射频输出功率
3
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 500mW的 - （ 3.6MW / ° C）控制x T
HS
其中T
HS
=散热器或环境温度高于22°C
例如：对于一个85°C的载体温度： P
合计
= 500 - （ 3.6MW ×（ 85 - 22 ） ） = 0.27W
4
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
5
热敏电阻率规范假定一个金/锡共晶芯片粘接到镀金的铜散热片或肋骨。
6
工作在绝对最大VD连续不推荐。如果工作在8V考虑那么IDS
必须减小，以保持该部分内它的热功率耗散的限制。因此VGS限制
到< -0.5V 。
P
AD
L
AYOUT
:
PAD
D
ESCRIPTION
P
IN
C
OORDINATES
(m)
C1
A
C2
B
A
B
C1/C2
门垫
漏极焊盘
来源垫
90, 200
320, 200
200, 290/110
注意：坐标是从模具的左下角参考结合焊盘开口的中心
D
IE
S
IZE
(m)
400 x 400
D
IE
T
HICKNESS
(m)
75
M
IN
. B
OND PAD
O
PENING
（微米×
m
)
70 x 80
2
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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FPD200
数据手册V3.0
T
YPICAL
M
EASURED
P
ERFORMANCE
:
FPD200偏@ 5V ， 27毫安
35
30
FPD200偏@ 8V ， 27毫安
味精
S21
MSG（ dB）的
35
30
25
20
15
10
5
0
味精
S21
MSG（ dB）的
＆放大器;
25
20
15
10
5
0
0.5
2.5
4.5
6.5
8.5 10.5 12.5 14.5 16.5 18.5 20.5 22.5 24.5 26
频率（GHz ）
MAG S21
MAG S21
＆放大器;
0.5
2.5
4.5
6.5
8.5 10.5 12.5 14.5 16.5 18.5 20.5 22.5 24.5 26
频率（GHz ）
相关的增益和N.F.min与频率
偏置@ 3V ， 27毫安
22.0
20.0
18.0
16.0
14.0
12.0
10.0
8.0
相关的增益和N.F.min与频率
偏置@ 5V ， 27毫安
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
22.0
20.0
增益（dB ）
N.F.min
增益（dB ）
N.F.min
3.5
3
相关的增益
（ dB）的
相关的增益
（ dB）的
N.F.min （ dB）的
16.0
14.0
12.0
10.0
8.0
2
1.5
1
0.5
0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
T
YPICAL
W
AFER
D
ISTRIBUTIONS
:
No
TE ：数据
ta
肯来回回
m
一个典型的晶片在室温下进行。未来的晶片可具有标称值
的规格范围内的任何地方。
LSL = 0.045一
5000
4000
意味着
误标准差
N
0.06103
0.003473
23955
USL = 0.075
LSL = -1.3 V
3000
2500
2000
意味着
误标准差
N
-0.8820
0.02686
23867
USL = -0.7 V
频率
3000
2000
1000
频率
1500
1000
500
0
0.040
0.045
0.050
0.055
0.060 0.065
IDSS （ A）
0.070
0.075
0.080
0
-1.3
-1.2
-1.1
-1.0
VP（ V）
-0.9
-0.8
-0.7
3
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18.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
N.F.min （ dB）的
18.0
2.5
FPD200
数据手册V3.0
N
OISE
P
ARAMETERS
:
（偏置@ V
DS
= 3V ，我
DS
=27mA)
H
ANDLING
P
RECAUTIONS
:
伽玛选择。
角
6.70
14.60
22.60
27.90
34.90
41.50
47.50
54.40
60.20
65.70
78.60
89.70
95.90
103.70
113.50
137.10
156.80
0.75
0.71
0.74
0.62
0.63
0.54
0.48
0.43
0.41
0.41
0.34
0.28
0.24
0.23
0.24
0.17
0.20
为避免损坏
该
器件
CARE
应该行使
中
处理。
正确
静电
放电（ESD ）预防措施应
在存储的各个阶段观察到，处理
装配和测试。这些设备应
如在定义被视作0级（ 0-250 V）的
JEDEC标准的22- A114 。
进一步
在ESD控制措施的信息可
在MIL -STD- 1686和MIL -HDBK -263中。
频率
（千兆赫）
2.00
3.00
4.00
5.00
6.00
7.00
8.00
9.00
10.00
11.00
12.00
13.00
14.00
15.00
16.00
17.00
18.00
N.F.min
（ dB）的
0.32
0.41
0.52
0.55
0.62
0.78
0.87
1.00
1.08
1.20
1.28
1.37
1.55
1.70
1.85
1.99
2.09
Rn/50
0.31
0.31
0.29
0.28
0.26
0.26
0.26
0.25
0.24
0.24
0.24
0.24
0.22
0.20
0.20
0.19
0.18
（欧姆）马格
A
PPLICATION
N
OTES
＆放大器;
ESIGN
D
ATA
:
应用笔记和设计数据，包括S-
参数，噪声参数和设备
模型可根据要求提供
D
ISCLAIMERS
:
本产品不适合在任何使用
基于空间或维持生命/支持
设备。
O
RDERING
I
载文信息
:
P
简称
A
SSEMBLY
I
NSTRUCTIONS
:
GaAs器件是脆弱的，应该
非常小心处理。特别设计的
夹头应该尽可能使用。
推荐的模具高度是金/锡
在氮气氛下的共晶焊料。
阶段的温度应该是280-290 ℃;
在该温度下的最大时间为一分钟。
推荐的引线键合方法
用0.7热压楔焊
或1.0密耳（ 0.018或0.025毫米）金线。
阶段的温度应该是250-260 ℃。
P
艺术
N
棕土
FPD200
D
ESCRIPTION
DIE
4
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