FPD15001W
功率pHEMT制
FPD1500
1W功率pHEMT制
封装形式：裸模
产品说明
在FPD1500是的AlGaAs /砷化铟镓假晶高电子迁移率晶体管
器（ pHEMT制） ，采用了0.25μmx1500μm肖特基势垒门，高定义 -
分辨率步进型光刻。凹栅结构最小化
寄生效应以优化性能。外延结构及加工有
经过优化，可靠的高功率应用。该FPD1500也可
在低成本的塑料SOT89和DFN封装。
特点
为29dBm的线性输出功率
在12GHz的
9分贝功率增益为12GHz的
12.5分贝最大稳定增益
12GHz
41dBm
IP3
35％的功率附加效率
优化技术
Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
的InP HBT
RF MEMS
LDMOS
应用
窄带和宽带
高性能放大器
卫星通信上行链路发射器
PCS /蜂窝低压
高效率输出扩增
fiers
中程数字广播
变送器
参数
功率为P
1dB
增益压缩
最大稳定增益（S21 / S12）
功率增益为P
1dB
PAE
OIP
3
从15分贝5dB的下方P
1dB
饱和漏源电流（I
DSS
)
最大漏源电流
(I
最大
)
跨
门源漏电流（I
GSO
)
夹断电压（V
P
)
栅源击穿电压
(V
BDGS
)
栅极 - 漏极击穿电压
(V
BDGD
)
热电阻（ θJC ） *
分钟。
28.5
11.5
8.0
规范
典型值。
30.0
12.5
9.0
45
41
43
马克斯。
单位
DBM
dB
dB
%
DBM
DBM
条件
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
, P
OUT
=P
1dB
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
相匹配的最佳功率，调整为最佳的IP
3
V
DS
=1.3V, V
GS
=0V
V
DS
=1.3V, V
GS
≈+1V
V
DS
=1.3V, V
GS
=0 V
V
GS
=-5V
V
DS
= 1.3V ，我
DS
=1.5mA
I
GS
=1.5mA
I
GD
=1.5mA
V
DS
>6V
375
465
750
400
1
550
mA
mA
ms
15
|1.3|
μA
V
V
V
° C / W
|0.7|
|12.0|
|14.5|
|1.0|
|14.0|
|16.0|
42
注：t
环境
=测量在f = 12GHz的22 ° C， RF规格使用CW信号。
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
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7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1 4
FPD1500
绝对最大额定值
1
参数
漏源电压（V
DS
)
(-3V<V
GS
<-0.5V)
2
栅极 - 源极电压（V
GS
)
(0V<V
DS
<+8V)
漏源电流（I
DS
)
（对于V
DS
<2V)
栅电流
（正向或反向电流）
RF输入功率（P
IN
)
（在任何可以接受的偏置状态）
通道工作温度（T
CH
)
（在任何可以接受的偏置状态）
存储温度（T
英镑
)
（非工作存储）
总功率耗散（ P
合计
)
3, 4, 5
限制同时结合
6
（2或更多最大限制）
等级
10
-3
I
DSS
15
25
175
-65到150
3.6
80
单位
V
V
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
mA
DBM
°C
°C
W
%
注意事项：
1
T
环境
= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对MAX-中的任一项
imum额定值可能会导致器件永久性损坏。
2
工作在绝对最大V连续不推荐。如果操作
D
在10V被认为是后来我
DS
必须减小，以保持内部的部分
其热功耗限制。因此V
GS
被限制为<-0.5V 。
3
总功耗要降额，符合上述22°C ：P
合计
=3.6-
(0.024W/°C)xT
HS
，其中t
HS
=散热器或环境温度高于22 ℃。
例如：对于一个85°C的载体温度： P
合计
=3.6-(0.024x(85-22))=2.09W
4
总功率耗散（ P
合计
）定义为（P
DC
+P
IN
)–P
OUT
其中，P
DC
：直流偏置
动力方面， P
IN
： RF输入功率，P
OUT
： RF输出功率。
5
用户应避免同时超过80 ％的2个或更多的限制。
6
热电阻规格假定的Au / Sn共晶芯片粘接到一个非盟
镀镍铜散热片或肋骨。
焊盘布局
PAD
A1
A2
B1
B2
C
描述
门垫
门垫
漏极焊盘
漏极焊盘
来源垫
针坐标（ μm）的
130, 330
130, 190
390, 330
390, 190
注意：坐标是从左下方引用
角落管芯接合焊盘开口的中心。
芯片尺寸（微米）
470x530
模具厚度（μm）
75
分钟。焊接区窗口（ μmxμm ）
64x77
2 4
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FPD1500
首选装配说明
GaAs器件是脆弱的，要十分小心。专门设计的夹头应该尽可能使用。
管芯的背面被金属化和推荐的安装方法是通过使用导电环氧树脂。环氧应
施加在附接表面上均匀和有节制地避免环氧树脂的侵蚀在芯片的顶面上。理想情况下
它不应该超过一半的芯片的高度。对于自动分配Ablestick LMISR4建议和手动分配
Ablestick 84-1 LMI或84-1 LMIT建议。这些应在150 ℃的温度下在烘箱中进行固化一小时
特别是预留仅供环氧固化。如果可能的话固化烘箱应进行冲洗干燥的氮气。的金 - 锡（80％的Au
20％ Sn）的共晶芯片附着具有大约280 ℃的熔点，但所使用的绝对温度依赖于
所使用的引线框架材料和特定的应用。在使用的最大时间应保持在最低限度。
此部分具有金（Au）键合焊盘需要使用金（ 99.99 ％纯度）的接合线。所以建议25.4毫米直径
金线使用。推荐铅债券的方法是用0.001 “ （ 25微米）直径热压楔焊
线。粘合力，时间阶段的温度和超声波都是至关重要的参数和设置取决于该
设置使用和应用。超声波或热压粘接不推荐。
键应该从模头制成后，再在安装基板或封装。的接合线的物理长度
使射频或地面连接时，应特别最小化。
操作注意事项
为避免对设备造成损坏，应注意处理期间行使。适当的电 -
静电放电（ ESD）预防措施应储存的各个阶段进行观察，处理，
装配和测试。
ESD / MSL等级
使用人体模型作为JEDEC标准号定义这些设备应该被视为0级（ 0 250V ）， 22-
A114 。在ESD控制措施的更多信息可以在MIL -STD- 1686和MIL -HDBK -263被发现。这是一无包装
一部分，因此没有MSL等级适用。
应用笔记和设计数据
应用笔记和设计数据，包括S参数，噪声的外观和数据，以及设备型号可从要求
www.rfmd.com 。
可靠性
420万小时，在150 ℃的温度下信道的平均无故障时间被实现为用于制造该装置的过程。
免责声明
本产品不用于任何空基或维持生命/配套设备使用。
订购信息
交货数量
全包（ 100 ）
少量（ 25 ）
样品数量（ 3 ）
订购代码
FPD1500-000
FPD1500-000SQ
FPD1500-000S3
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