FPD1050
0.75W P
OWER P
HEMT
F
EATURES
:
在12 GHz的28.5 dBm的线性O / P电源
11分贝功率增益为12 GHz的
14分贝最大稳定增益在12GHz
41 dBm的输出IP3
45％的功率附加效率
数据手册V3.0
L
AYOUT
:
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该
FPD1050
is
an
铝镓砷/铟镓砷
赝
高
电子
流动性
晶体管（ PHEMT ） ，采用了0.25
m
by
1050
m
肖特基势垒门，高定义
- 分辨率步进型光刻。
双凹栅结构最小化
寄生效应以优化性能。
该
外延结构和加工已
为可靠的高功率应用进行优化。
该FPD1050也是在低成本提供
塑料SOT89封装。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
窄带和宽带高
高性能的放大器
卫星通信上行链路发射器
PCS /蜂窝低压高效率
输出放大器器
中程数字无线电发射器
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
1
:
P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
最大稳定增益（S21 / S12）
功率增益的P1dB
功率附加英法fi效率
输出三阶截取点
IP3
（从15 5 dB以下的P1dB ）
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热电阻系数（见注）
IDSS
IMAX
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
θJC
匹配达到最佳的;调整为最佳的IP3
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -5V
VDS = 1.3 V ; IDS = 1毫安
IGS = 1毫安
IGD = 1毫安
VDS > 6V
12.0
14.5
260
41
325
520
280
15
1.0
14.0
16.0
45
385
DBM
mA
mA
mS
A
V
V
V
° C / W
S
YMBOL
P1dB
味精
G1dB
PAE
C
ONDITIONS
VDS = 8 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 8 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 8 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 8 V ; IDS = 50％的智能决策支持系统; POUT =的P1dB
VDS = 8V ; IDS = 50 ％ IDSS
M
IN
27.5
T
YP
28.5
14.0
M
AX
U
尼特
DBM
dB
dB
%
10.0
11.0
45
39
注意：
1
T
环境
= 22°C ;测量RF规格
f
= 12 GHz的使用CW信号
1
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
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FPD1050
数据手册V3.0
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
阿婷
1
:
P
ARAMETER
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
通道工作温度
储存温度
总功耗
4
限制同时结合
2个或更多最大值。范围
80%
S
YMBOL
VDS
VGS
IDS
IG
针
总胆固醇
TSTG
P合计
T
美东时间
C
ONDITIONS
6
-3V < VGS < -0.5V
0V < VDS < + 8V
对于VDS < 2V
正向或反向电流
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
10V
-3V
IDSS
10mA
23dBm
175°C
-65 ℃150 ℃的
3.4W
注意事项：
1
T
环境
= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会导致
对设备造成永久性损坏
2
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
,
其中，P
DC
：直流偏置电源，P
IN
： RF输入功率，P
OUT
：射频输出功率
3
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 3.4 - （ 0.022W / ° C）控制x T
HS
其中T
HS
=散热器或环境温度高于22°C
例如：对于一个85°C的载体温度： P
合计
= 3.4 - （ 0.022 ×（ 85 - 22 ） ） = 2.01W
4
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
5
热敏电阻率规范假定一个金/锡共晶芯片粘接到镀金的铜散热片或肋骨。
6
工作在绝对最大VD连续不推荐。如果工作在10V时再考虑
IDS必须减小以保持部内它的热功率耗散的限制。因此VGS为
限于< -0.5V 。
P
AD
L
AYOUT
:
PAD
D
ESCRIPTION
P
IN
C
OORDINATES
(m)
A
C
B
A
B
C
门垫
漏极焊盘
来源垫
130, 220
380, 220
注意：坐标是从模具的左下角参考结合焊盘开口的中心
D
IE
S
IZE
(m)
470 x 440
D
IE
T
HICKNESS
(m)
75
M
IN
. B
OND PAD
O
PENING
（微米×
m
)
85 x 60
2
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FPD1050
数据手册V3.0
P
简称
A
SSEMBLY
I
NSTRUCTIONS
:
GaAs器件是脆弱的，应该
非常小心处理。特别设计的
夹头应该尽可能使用。
推荐的模具高度是金/锡
在氮气氛下的共晶焊料。
阶段的温度应该是280-290 ℃;
在该温度下的最大时间为一分钟。
推荐的引线键合方法
用0.7热压楔焊
或1.0密耳（ 0.018或0.025毫米）金线。
阶段的温度应该是250-260 ℃。
P
艺术
N
棕土
FPD1050
D
ESCRIPTION
DIE
H
ANDLING
P
RECAUTIONS
:
为了避免损坏器件护理应
在处理过程中行使。
正确
静电放电（ ESD ）注意事项
应于存储的所有阶段都可以观察到，
搬运，组装和测试。
这些
设备应被视为0级（ 0-250 V）的
作为JEDEC标准第22号- A114定义。
在ESD控制措施的进一步信息
可在MIL -STD- 1686和MIL-找到
HDBK-263.
A
PPLICATION
N
OTES
＆放大器;
ESIGN
D
ATA
:
应用笔记和设计数据，包括S-
参数和设备模型可
根据要求提供。
D
ISCLAIMERS
:
本产品不适合在任何使用
基于空间或维持生命/支持
设备。
O
RDERING
I
载文信息
:
3
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