初步
性能（ 1.8千兆赫）
40 dBm的输出功率（P
1dB
)
11分贝功率增益（G
1dB
)
-44 dBc的ACPR WCDMA在30 dBm的输出功率
180 300 mA的典型静态电流（I
DQ
)
55％的功率附加效率
提供评估板
可对网站设计的其他数据
可用增益至3.8GHz
说明与应用
FPD10000AF
10W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
见包
纲要
标识代码
该FPD10000AF是一个打包的耗尽型铝镓砷/铟镓砷伪形态高电子
迁移率晶体管（ pHEMT制） ，在L波段功率应用进行优化。高功率flange-
安装包已经被优化的低电寄生和最佳散热。
典型的应用包括在PCS的驱动程序或输出级/蜂窝基站发射机
放大器，以及在WLL / WLAN放大器等功率应用。
电气特性在22℃下
参数
功率1分贝增益压缩
B类操作
功率增益1dB增益压缩
最大稳定增益：
21
/S
12
P
IN
=为0dBm ， 50Ω系统
功率附加英法fi效率
在1分贝增益压缩
相邻通道功率比
WCDMA BTS转发（ 64频道）
10.15分贝PK /平均0.001 ％
饱和漏源电流
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅极 - 漏极击穿电压
热电阻（通道到外壳）
I
DSS
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGD
|
Θ
CC
V
DS
= 3.0 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -3 V
V
DS
= 3.0 V ;我
DS
= 19毫安
I
GD
= 19毫安
见注下页
30
5.2
3
1.1
35
3.5
A
mA
V
V
° C / W
ACPR
PAE
G
1dB
味精
V
DS
= 12V ;我
DQ
= 180毫安
V
DS
= 12V ;我
DQ
= 300毫安
V
DS
= 12 V ;我
DQ
= 180毫安
V
DS
= 12 V ;我
DQ
= 300毫安
V
DS
= 12V ;我
DQ
= 180毫安
I
RF
（驱动电流） 1.5A
V
DS
= 12V ;我
DQ
= 180毫安
信道功率= 30 dBm的
-44
dBc的
10
11
16.5
18.0
55
%
dB
dB
符号
P
1dB
测试条件
V
DS
= 12V ;我
DQ
= 180毫安
民
典型值
40
最大
单位
DBM
射频指标测量
f
= 1.8 GHz的使用CW信号
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
http://www.filtronic.co.uk/semis
修改后：
12/07/04
电子邮件：
sales@filcsi.com
初步
FPD10000AF
10W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
推荐工作偏置条件
漏源电压：
从10到12V
静态电流：
从180 （ B类）， 300 mA的（ AB类）操作
绝对最大额定值
1
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
2
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
G
P
IN
T
CH
T
英镑
P
合计
比较。
测试条件
-3V < V
GS
< + 0V
0V ＆ LT ; V
DS
< + 15V
对于V
DS
＆ GT ; 2V
正向/反向电流
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
-40
民
最大
16
-3
50% I
DSS
+50/-8
1.75
175
150
42
5
单位
V
V
mA
mA
W
C
C
W
dB
%
限制同时结合
3
2个或更多最大值。范围
80
1
2
T
环境
= 22 ° C除非另有说明
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
注意事项：
超过绝对最大额定值的工作条件将导致器件的永久性损坏。
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
，其中：
P
DC
：直流偏置电源
P
IN
： RF输入功率
P
OUT
：射频输出功率
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 42 - （ 0.286W / ° C）控制x T
PACK
其中T
PACK
=
源标签铅温度高于22
°
C
（降额式的系数是热导率）
例如：对于一个55 ℃的来源法兰温度：P
合计
= 42 - （ 0.286 ×（ 55 - 22 ） ） = 32.6W
需要注意的热阻：
3.5 ° C / W标称值的测量与安装在一个大包
散热片与热复合，以保证足够的接触。封装温度称为源
FL法兰。
操作注意事项
为避免对设备造成损坏应小心处理期间行使。适当的静电
放电（ESD ）预防措施应储存的各个阶段进行观察，搬运，装配和
测试。这些设备应被视为按ESD - STM5.1-1998 1A级，人体模式。
在ESD控制措施的更多信息可以在MIL -STD- 1686和MIL -HDBK -263被发现。
电话：
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传真：
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初步
FPD10000AF
10W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
偏置指南
双偏置（独立的正漏极和栅极负电源）电路推荐
需要调节的负电压电源为耗尽型器件，如
FPD10000AF 。栅极偏置电源应能吸入/源至少为10mA的
电流。所述偏置电路必须正确测序，以确保在控制栅电压
（典型-0.6至-1.0V ）被施加到器件
前
漏极电压，否则大
漏源电流的量将被绘制，从而可能导致不稳定性和自
振荡。
推荐180 - 300毫安偏置点名义上是B类/ AB模式。少量
的射频增益扩大压缩前的发作是正常的运行点，并且
显著的电流驱动多达应该在意料之中。如果一个A类的操作时，用户应
查前一节中给出，以确保可靠的操作的降额的限制。
包装外形
（尺寸以毫米为单位 - 毫米）
包装标识代码
例如：
f1ZD
P3F
f
=费尔多尼克
1ZD =批号和日期代码
P2F =状态，部分代码，部件类型
状态： D =开发P =生产
部分代码表示的模型（例如FPD10000AF ）
部分型号：F =场效应管（ pHEMT制）
改变所有的信息和规格，恕不另行通知。
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