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FP7G75US60传递模塑型IGBT模块
2008年7月
FP7G75US60
传递模塑型IGBT模块
概述
飞兆半导体的新型IGBT模块（转移模塑型）提供
低导通损耗和开关损耗以及短路
耐用性。它们被设计用于的应用，如汽车
控制，不间断电源（ UPS）和普通
变频器在短路耐用是必需的功能。
电源SPM
TM
tm
特点
短路额定10us的@ T = 100 ℃， VGE = 15V
高开关速度
低饱和电压：说VCE（sat ） = 2.2V @ IC = 75A
高输入阻抗
快速&软反并联FWD
封装代码： EPM7
1
应用
焊工
AC &直流电机控制
通用变频器
- 机器人
伺服控制
UPS
3
2
4
5
6
7
内部电路框图
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
F
I
FM
T
SC
P
D
T
J
T
英镑
V
ISO
MOUNTING
力矩
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
隔离电压
电源端子螺丝： M5
安装螺丝： M5
等级
600
±
20
75
150
75
150
10
310
-40到+125
-40到+125
2500
2.0
2.0
单位
V
V
A
A
A
A
us
W
°C
°C
V
牛米
牛米
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ AC 1分钟
2008飞兆半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FP7G75US60版本A
FP7G75US60传递模塑型IGBT模块
引脚配置和引脚说明
顶视图
1
3
2
4
5
6
7
内部电路框图
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
引脚说明
Q1的发射极， IGBT ，
Q2的集电极， IGBT
Q2的发射器， IGBT
Q1的集电极， IGBT
Q1的门， IGBT
Q1的发射极， IGBT
Q2的门， IGBT
Q2的发射器， IGBT
FP7G75US60版本A
2
www.fairchildsemi.com
FP7G75US60传递模塑型IGBT模块
电气特性
(T
J
= 25°C,
符号
开关特性
BV
CES
ΔBV
CES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
除非另有规定编）
参数
条件
最小典型最大单位
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
600
-
-
-
-
0.6
-
-
-
-
250
±
100
V
V
uA
nA
温度COEFF 。的击穿电压V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
集电极截止电流
栅极 - 发射极漏电流
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极饱和电压
V
GE
= 0V时，我
C
=75mA
I
C
= 75A
,
V
GE
= 15V
5.0
-
6.0
2.2
8.5
2.8
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向电容
V
CE
= 30V, V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
4515
550
100
-
--
-
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
sc
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
V
CE
= 300 V，I
C
= 75A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15V
@
T
C
= 100°C
V
CC
= 300 V，I
C
= 75A,
R
G
= 3.3, V
GE
= 15V
感性负载，T
C
= 125°C
V
CC
= 300 V，I
C
= 75A,
R
G
= 3.3, V
GE
= 15V
感性负载，T
C
= 25°C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
33
29
92
91
0.75
0.72
1.47
27
22
96
197
0.73
1.47
2.2
-
205
40
115
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
us
nC
nC
nC
FP7G75US60版本A
3
www.fairchildsemi.com
FP7G75US60传递模塑型IGBT模块
二极管的电气特性
(T
J
= 25°C,
符号
V
FM
除非另有规定编）
参数
二极管的正向电压
I
F
= 75A
条件
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
最小典型最大单位
-
-
-
-
-
-
-
-
1.9
1.8
78
156
5.7
10
222
nC
780
7.5
A
2.8
V
-
112
ns
t
rr
二极管的反向恢复时间
T
C
= 100°C
二极管的峰值反向恢复电流
I
F
= 75A
的di / dt = 150 A /美
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
二极管的反向恢复电荷
T
C
= 100°C
I
rr
Q
rr
热特性
符号
R
θJC
R
θJC
R
θCS
重量
参数
结至外壳（ IGBT部分，每1/2模块）
结至外壳（二极管部分，每1/2模块）
外壳到散热器
模块的重量
（导电润滑脂应用）
典型值。
-
-
0.05
-
马克斯。
0.32
0.9
-
90
单位
° C / W
° C / W
° C / W
g
FP7G75US60版本A
4
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FP7G75US60传递模塑型IGBT模块
典型性能特性
图1.典型的输出特性
200
图2.典型的饱和电压特性
200
I
C
，集电极电流[ A]
20V
15V
I
C
，集电极电流[ A]
160
120
80
12V
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
160
120
80
40
V
GE
= 10V
40
0
0
2
4
共发射极
o
T
C
= 25 C
6
8
0
0.3
1
10
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压[V]
V
CE
，集电极 - 发射极电压[V]
图3.饱和电压与案例
温度变电流等级
V
CE
，集电极 - 发射极电压[V]
5
在EM伊特尔COM米
V
摹ê
= 15V
150A
图4.负载电流与频率的关系
120
V
CC
= 300V
负载电流：方波的峰值
负载电流[ A]
4
3
100
80
60
40
20
占空比： 50 ％
o
T
C
= 100 C
功耗= 130W
75A
2
1
0
0
50
100
o
I
C
= 40A
150
0
0.1
1
10
100
1000
T
C
凯斯tem温度[ C]
频率[千赫]
图5.饱和电压与V
GE
V
CE
，集电极 - 发射极电压[V]
图6.饱和电压与V
GE
V
CE
，集电极 - 发射极电压[V]
20
16
12
8
4
I
C
= 40A
150A
75A
20
16
12
8
150A
共发射极
o
T
C
= 25 C
共发射极
o
T
C
= 25 C
4
I
C
= 40A
75A
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
V
GE
，栅极 - 射极电压[ V]
V
GE
，栅极 - 射极电压[ V]
FP7G75US60版本A
5
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