FP 425 L 90
TYPE
FP 425 L 90
FP 425 L 90
订购代码
Q65425 - L90 （单数）
Q65425 - L0090E001 （录音）
双微分磁电阻装置由两对磁的
电阻，（ L型的InSb / NiSb半导体电阻器，其电阻值可
磁控制的），它被固定到一个硅衬底上。联系到磁
电阻是利用被称为TAB铜/聚酰亚胺薄膜的载体来实现。
每个磁电阻的基本电阻是90
.
两个串联连接
对磁电阻的由外部磁场致动的，或可通过被偏置
永磁体和由软铁靶致动。
半导体集团
2
FP 425 L 90
最大额定值
参数
工作温度
储存温度
功耗
1)
电源电压（
B
= 0.2 T,
T
A
= 25
°C)
导热系数
-attached到散热器
- 在静止的空气中
特性（
T
A
= 25
°C)
标称电源电压（
B
= 0.2 T)
2)
基本性
(
I
< 1毫安，
B
= 0 T)
中心对称
3)
相对电阻变化
(
R
0
=
R
01-3
,
R
04-6
at
B
= 0 T)
B
=
±
0.3 T
4)
B
=
±
1T
温度COEF网络cient
B
=0T
B
=
±
0.3 T
B
=
±
1T
符号
价值
– 40 / + 175
– 40 / + 185
800
8
20
2
单位
°C
°C
mW
V
毫瓦/ K
毫瓦/ K
T
A
T
英镑
P
合计
V
IN
G
thcase
G
THA
V
客栈
R
01-3
M
R
B
/
R
0
5
160 – 280
≤
3
V
%
–
> 1.7
>7
TC
R
– 0.16
– 0.38
– 0.54
%/K
%/K
%/K
1)
2)
3)
T
=
T
例
T
=
T
例
, T
< 80
°
C
M
M
R
01
–
2
–
R
02
–
3
= -------------------------------
×
100％
R
01-2
＆ GT ;
R
02-3
-
= -------------------------------
×
100％
R
04-5
＆ GT ;
R
05-6
-
R
04
–
5
R
01
–
2
R
04
–
5
–
R
05
–
6
4 ） 1 T = 1特斯拉= 10
4
高斯
半导体集团
3
QQ：2880707522 复制
