FP 410 L（ 4
x
80 ） FM
双微分磁电阻装置由两对磁的
电阻，（ L型的InSb / NiSb半导体电阻器，其电阻值可
磁控制的），它被固定到铁素体基体。联系到磁
电阻器是利用被称为Micropack铜/聚酰亚胺载体膜来实现的。
每个磁电阻的基本电阻是80
.
两个串联连接
对磁电阻由一个外部磁场致动的或可被偏压
由永磁体和致动通过一个软铁靶。
半导体集团
2
FP 410 L（ 4
x
80 ） FM
最大额定值
参数
工作温度
储存温度
功耗
1)
电源电压
2)
(
B
= 0.3 T)
导热系数
-attached到散热器
- 在静止的空气中
特性（
T
A
= 25
°C)
基本性
(
I
≤
1毫安;
B
= 0 T)
中心对称
3)
相对电阻变化
(
R
=
R
01-3
,
R
04-6
at
B
= 0 T)
B
=
±
0.3 T
4)
B
=
±
1T
温度COEF网络cient
B
=0T
B
=
±
0.3 T
B
=
±
1T
符号
价值
– 40 / + 175
– 40 / + 185
1000
8
≥
20
2
单位
°C
°C
mW
V
毫瓦/ K
T
A
T
英镑
P
合计
V
IN
G
日情况
G
TH一
R
01-3
R
04-6
M
R
B
/
R
0
110…220
≤
6
> 1.7
>7
%
–
TC
R
– 0.16
– 0.38
– 0.54
%/K
%/K
%/K
1 ）对应关系图
P
合计
=
f
(
T
例
)
2 ）对应关系图
V
IN
=
f
(
T
例
)
3)
M
R
01
–
2
–
R
02
–
= -------------------------------
3
×
100％
R
01-2
＆ GT ;
R
02-3
-
R
01
–
2
M
–
R
05
–
6
= -------------------------------
×
100％
R
04-5
＆ GT ;
R
05-6
-
R
04
–
5
R
04
–
5
4 ） 1 T = 1特斯拉= 10
4
高斯
半导体集团
3
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