数据表
复合晶体管
FP1系列
片上电阻PNP硅外延晶体管
对于中速开关
特点
高达0.7 A的电流驱动器可用
片上偏置电阻
驱动器在低功耗
封装图(单位:mm )
质量等级
标准
请参考“质量等级NEC半导体
NEC公司出版的设备“ (文档编号C11531E )
要知道的质量等级上的设备和说明书中其
推荐应用。
FP1系列LISTS
制品
FP1A4A
FP1L2Q
FP1A3M
FP1F3P
FP1J3P
FP1L3N
FP1A4M
记号
S30
S31
S32
S33
S36
S34
S35
R
1
(K)
0.47
1.0
2.2
3.3
4.7
10
R
2
(K)
10
4.7
1.0
10
10
10
10
绝对最大额定值(Ta = 25 ° C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
基极电流(DC)的
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C( DC )
I
C(脉冲)
*
I
B( DC )
P
T
T
j
T
英镑
评级
25
25
10
0.7
1.0
20
200
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
°C
* PW
≤
10毫秒,占空比
≤
50 %
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D16181EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2002年4月 CP ( K)
日本印刷
2002
1998
FP1系列
FP1A4A
电气特性(Ta = 25 ° C)
°
3DUDPHWHU
&ROOHFWRU FXWRII FXUUHQW
“ & FXUUHQW JDLQ
“ & FXUUHQW JDLQ
“ & FXUUHQW JDLQ
&ROOHFWRU VDWXUDWLRQ YROWDJH
/ RZ OHYHO LQSXW YROWDJH
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7<3
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Q$
9
9
N
** PW
≤
350
S,占空比
≤
2 %
FP1L2Q
电气特性(Ta = 25 ° C)
°
3DUDPHWHU
&ROOHFWRU FXWRII FXUUHQW
“ & FXUUHQW JDLQ
“ & FXUUHQW JDLQ
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S,占空比
≤
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FP1A3M
电气特性(Ta = 25 ° C)
°
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&ROOHFWRU FXWRII FXUUHQW
“ & FXUUHQW JDLQ
“ & FXUUHQW JDLQ
“ & FXUUHQW JDLQ
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N
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350
S,占空比
≤
2 %
2
数据表D16181EJ1V0DS
FP1系列
FB1A4M
电气特性(Ta = 25 ° C)
°
3DUDPHWHU
&ROOHFWRU FXWRII FXUUHQW
“ & FXUUHQW JDLQ
“ & FXUUHQW JDLQ
“ & FXUUHQW JDLQ
&ROOHFWRU VDWXUDWLRQ YROWDJH
/ RZ OHYHO LQSXW YROWDJH
UHVLVWDQFH
( ? WR ? % UHVLVWDQFH
6\PERO
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350
S,占空比
≤
2 %
4
数据表D16181EJ1V0DS