新电元
HVX - 2系列功率MOSFET
N沟道增强型
(FP10W90HVX2)
900V 10A
特点
输入电容(西塞)是小的。
特别是,输入电容
在0 biass小。
静态的Rds(on )是小的。
切换时间是快的。
雪崩性保证。
应用
AC 240V输入开关电源
高电压电源
逆变器
2SK2677
外形尺寸
案例: ITO -3P
(单位:毫米)
评级
“绝对
最大额定值
美国国际贸易委员会
= 25j
项
符号
T
英镑
储存温度
T
ch
通道温度
V
DSS
漏源电压
V
GSS
栅源电压
连续漏CurrentiDCj
I
D
I
DP
连续漏CurrentiPeak )
I
S
连续源CurrentiDCj
P
T
总功耗
I
AR
重复性雪崩电流
单雪崩能量
E
AS
重复性雪崩能量
E
AR
V
DIS
介电强度
器
安装力矩
条件
评级
-55`150
150
900
}30
10
20
10
65
10
260
26
2
0.8
单位
V
A
W
A
mJ
kV
N·m的
脉冲宽度?? 10s ,占空比?? 1/100
T
ch
= 150
T
ch
= 25
T
ch
= 25
终端的情况下, @ AC 1分钟
i
推荐扭矩
F0.5
N·m的
j
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HVX - 2系列功率MOSFET
ⅵELECTRICAL
特性TC = 25 ?
项
符号
V
( BR ) DSS
漏源击穿电压
I
DSS
零栅极电压漏极电流
I
GSS
栅极 - 源极漏电流
g
fs
转发陈德良]导
静态漏源开 - ]大老电阻
R
DS ( ON)
V
TH
栅极阈值电压
V
SD
源极 - 漏极二极管正向电压
θJC
热阻
总栅极电荷
Q
g
输入电容
C
国际空间站
反向传输电容
C
RSS
输出电容
C
OSS
开启时间
t
on
打开-O FF时间
t
关闭
2SK2677 ( FP10W90HVX2 )
条件
分钟。
900
4. 8
2. 5
典型值。
马克斯。
250
}0.
1
单位
V
A
S
V
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0V
V
DS
= 900V, V
GS
= 0V
V
GS
=
}30V,
V
DS
= 0V
I
D
= 5A ,V
DS
= 10V
I
D
= 5A ,V
GS
= 10V
I
D
= 1mA时, V
DS
= 10V
I
S
= 5A ,V
GS
= 0V
结到外壳
V
DD
= 400V, V
GS
= 10V ,我
D
= 10A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V , F = 1MH
Z
I
D
= 5A ,R
L
= 30, V
GS
= 10V
8. 0
1. 05
3. 0
90
2150
50
210
140
440
1. 4
3. 5
1. 5
1. 92
/L
nC
pF
250
740
ns
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