FODM452 ， FODM453 5引脚微型扁平封装高速晶体管光耦
2007年6月
FODM452 ， FODM453
5引脚微型扁平封装高速晶体管
光电耦合器
特点
■
紧凑型5针微型扁平封装
■
高速- 1兆比特/秒
■
高级CMR - 15千伏/μs的在V
CM
= 1500V （ FODM453 ）
■
性能保证在温度（ 0-70 ℃）
■
U.L.认可（文件＃ E90700 ）
■
VDE0884认可（文件＃ 136480 ）
tm
描述
该FODM452和FODM453光电耦合器组成
的AlGaAs LED光学耦合到一个高速光电
检测晶体管。该装置被装在一个紧凑
5针微型扁平封装，以获得最佳的安装密度。
该FODM453采用了高CMR等级为最佳
共模瞬态抑制能力。
- 订购选项V，例如， FODM452V
应用
■
线接收器
■
脉冲变压器更换
■
输出接口为CMOS ， LSTTL -TTL
■
宽带耦合模拟
包
0.050 (1.27)
典型值
概要
阳极1
6 V
CC
0.181 (4.60)
0.165 (4.20)
飞机座位
5 V
O
销1
0.169 (4.30)
0.153 (3.90)
阴极3
4 GND
0.094 (2.40)
0.079 (2.00)
0.287 (7.30)
0.248 (6.30)
0.008 (0.2)
典型值
0.020 (0.50)
0.011 (0.30)
0.008 (0.20)
0 (0.00)
引脚共面性： 0.004 （ 0.10 ） MAX
注意：
所有尺寸为英寸（毫米） 。
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FODM452 ， FODM453版本1.0.0
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FODM452 ， FODM453 5引脚微型扁平封装高速晶体管光耦
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
T
英镑
T
OPR
辐射源
I
F
（ AVG）
I
F
（ PK）
I
F
（反式）
V
R
P
D
探测器
I
O
（ AVG）
I
O
（ PK）
V
CC
V
O
P
D
平均输出电流
峰值输出电流
电源电压
输出电压
储存温度
工作温度
参数
价值
-40到+125
-40至+85
25
50
1.0
5
45
单位
°C
°C
mA
mA
A
V
mW
DC /平均正向电流输入
正向峰值输入电流（ 50％的占空比， 1ms的PW ）
峰值瞬态输入电流（
≤
为1μs P.W. ， 300pps ）
反向输入电压
输入功率耗散
（无需降额超过特定网络编辑的工作温度范围内）
8
16
-0.5到30
-0.5到20
100
mA
mA
V
V
mW
输出功率耗散
（无需降额超过特定网络编辑的工作温度范围内）
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2
FODM452 ， FODM453 5引脚微型扁平封装高速晶体管光耦
电气特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
B
VR
V
F
/
T
A
探测器
I
OH
逻辑高电平输出电流
I
F
= 0毫安，V
O
= V
CC
= 5.5V ，T
A
=25°C
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 15V ，T
A
=25°C
I
F
= 0毫安，V
O
= V
CC
= 15V
I
CCL
I
CCH
逻辑低电源电流
逻辑高电平电源电流
I
F
= 16毫安，V
O
=打开，V
CC
= 15V
I
F
= 0 mA时，V
O
=打开，V
CC
= 15V,
T
A
= 25°C
I
F
= 0毫安，V
O
=打开，V
CC
= 15V
100
0.05
.001
.001
0.5
1
50
200
1
2
A
A
A
输入正向电压
输入反向击穿电压
温度COEF网络cient
正向电压
I
F
= 16毫安，T
A
= 25°C
I
F
= 16毫安
I
R
= 10A
I
F
= 16毫安
5.0
-1.8
1.60
1.7
1.8
V
毫伏/°C的
V
参数
测试条件
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
传输特性
符号
再加
CTR
V
OL
电流传输比
(1)
逻辑低输出
电压
I
F
= 16毫安，V
CC
= 4.5V
T
A
= 25°C V
OL
=0.4V
V
OL
=0.5V
I
F
= 16毫安，我
O
= 3mA电流， V
CC
= 4.5V ，T
A
=2 5°C
I
F
= 16毫安，我
O
= 2.4毫安，V
CC
= 4.5 V
20
15
0.4
0.5
V
50
%
参数
测试条件
分钟。
TYP 。 *
最大
单位
开关特性
(V
CC
= 5V)
符号
T
PHL
T
PLH
|厘米
H
|
参数
传播延迟
时间逻辑低
传播延迟
时间逻辑高
共模
瞬态抗扰度
在逻辑高
测试条件
R
L
= 1.9k
, I
F
= 16毫安，T
A
= 25°C
(2)
（图9）
R
L
= 1.9k
, I
F
= 16毫安
R
L
= 1.9k
, I
F
= 16毫安
(2)
设备
分钟。 （典型值） *最大。
0.40
0.35
0.8
1.0
0.8
1.0
单位
s
s
s
s
KV / μs的
KV / μs的
KV / μs的
KV / μs的
兆赫
（图9）
(2)
R
L
= 1.9k
, I
F
= 16毫安，T
A
= 25°C
(2)
（图9）
FODM452
FODM453
FODM452
FODM453
5
15
5
15
（图9）
15
40
15
40
3
I
F
= 0毫安，V
CM
= 10V
P-P
, R
L
= 1.9k
,
T
A
= 25°C
(3)
（图10）
I
F
= 0毫安，V
CM
= 1500V
P-P
, R
L
= 1.9k
T
A
= 25°C
(3)
（图10）
I
F
= 16毫安，V
CM
= 10V
P-P
, R
L
= 1.9k,
T
A
= 25°C
(3)
（图10）
I
F
= 16毫安，V
CM
= 1500V
P-P
, R
L
= 1.9k,
T
A
= 25°C
(3)
（图10）
R
L
= 100
|厘米
L
|
共模
瞬态抗扰度
在逻辑低电平
BW
带宽
隔离特性
符号
V
ISO
C
我-O
特征
耐压绝缘测试电压
电容（输入输出）
测试条件
RH
≤
50%, T
A
= 25 ℃， t为1分钟。
(4)
F = 1MHz的
(4)
分钟。
3750
TYP 。 *
0.2
马克斯。
单位
V
RMS
pF
*所有标准结构在T
A
= 25°C
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FODM452 ， FODM453版本1.0.0
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3
FODM452 ， FODM453 5引脚微型扁平封装高速晶体管光耦
注意事项：
1.电流传递比是德音响定义为输出集电极电流的比率，我
O
到正向LED的输入电流，我
F
,
乘以100 ％。
2. 1.9kΩ负载代表了1.6毫安和5.6kΩ的上拉电阻1 TTL单位负载。
在逻辑高电平3.共模瞬态抗扰度是最大容许（正）DV
cm
/ DT上的
共模脉冲信号V前缘
CM
，以保证输出将保持在逻辑高状态
（即，V
O
> 2.0V ） 。在逻辑低电平共模瞬变抗扰度是最大容忍的（负面）DV
cm
/ DT
上的共模脉冲信号V的后缘
CM
，以保证该输出将保持在逻辑低
状态（即，V
O
< 0.8V ） 。
4.设备被认为是一个双端器件：引脚1和3被短接在一起并且引脚4 ，5，和6被短路
在一起。
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FODM452 ， FODM453 5引脚微型扁平封装高速晶体管光耦
典型性能曲线
图。 1输入正向电流与正向电压
归一化电流传输比
100
T
A
= 25°C
图。 2归一化电流传输比与输入电流
1.20
V
O
= 0.4V
V
CC
= 5V
T
A
= 25°C
归到我
F
= 16毫安
I
F
- 正向电流（mA ）
10
1.15
1.10
1
1.05
0.1
1.00
0.01
0.95
0.001
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
0.90
1
10
V
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 输入电流（mA）
图。 3归一化电流传输比
- 环境温度
归一化电流传输比
I
F
= 16毫安
V
O
= 0.4V
V
CC
= 5V
归一化到T
A
= 25°C
图。 4逻辑高输出电流
- 环境温度
I
OH
- 逻辑高电平输出电流（ NA）
V
O
= V
CC
= 5V
I
F
= 0V
10
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-40
1
-20
0
20
40
60
80
100
0.1
-40
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
=环境温度
T
A
- 温度（ _C ）
图。 5直流和脉冲传输特性
14
T
A
= 25°C
V
CC
= 5V
I
F
= 40毫安
10
35mA
30mA
8
25mA
6
20mA
15mA
4
10mA
2
5mA
10
图。 6传输延迟与负载电阻
T
A
= 25°C
V
CC
= 5V
t
P –
传播延迟（微秒）
12
IO - 输出电流（mA ）
I
F
= 16毫安
I
F
= 10毫安
1
t
PLH
t
PHL
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0.1
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
V
O
=输出电压（V）的
R
L
- 负载阻值（kΩ ）
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5
5针微型扁平封装
高速晶体管
光电耦合器
FODM452
包
0.050 (1.27)
典型值
FODM453
0.181 (4.60)
0.165 (4.20)
飞机座位
销1
0.169 (4.30)
0.153 (3.90)
概要
0.008 (0.2)
典型值
0.094 (2.40)
0.079 (2.00)
0.287 (7.30)
0.248 (6.30)
阳极1
0.008 (0.20)
0 (0.00)
6 V
CC
0.020 (0.50)
0.011 (0.30)
5 V
O
引脚共面性： 0.004 （ 0.10 ） MAX
阴极3
4 GND
注：所有尺寸为英寸（毫米）
描述
该FODM452和FODM453光耦合器组成的AlGaAs LED光学耦合到一个高速光检测器晶体管的。
该器件采用紧凑的5引脚小型扁平的封装，以获得最佳的安装密度。该FODM453采用高CMR
评级最优的共模瞬态抑制能力。
特点
紧凑型5针微型扁平的封装
高速- 1兆比特/秒
高级CMR - 15千伏/μs的在V
CM
= 1500V （ FODM453 ）
性能保证在温度（ 0-70 ℃）
U.L.认可（文件＃ E90700 ）
VDE0884认可（文件＃ 136480 ）
- 订购选项V，例如， FODM452V
应用
线接收器
脉冲变压器更换
输出接口为CMOS ， LSTTL -TTL
宽带耦合模拟
2003仙童半导体公司
分页： 11 1
4/12/04
5针微型扁平封装
高速晶体管
光电耦合器
FODM452
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
储存温度
工作温度
辐射源
DC /平均正向电流输入
正向峰值输入电流（占空比为50％ ， 1毫秒PW ）
峰值瞬态输入电流 - （
≤
1微秒P.W. ， 300 ，PPS）
反向输入电压
输入功率耗散（无需通过特定网络编辑的工作温度范围降额）
探测器
平均输出电流
峰值输出电流
电源电压
输出电压
输出功率耗散（无需通过特定网络编辑的工作温度范围降额）
I
O
（ AVG）
I
O
（ PK）
V
CC
V
O
P
D
I
F
（ AVG）
I
F
（ PK）
I
F
（反式）
V
R
P
D
符号
T
英镑
T
OPR
FODM453
价值
-40到+125
-40至+85
25
50
1.0
5
45
8
16
-0.5到30
-0.5到20
100
单位
°C
°C
mA
mA
A
V
mW
mA
mA
V
V
mW
电气特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
输入反向击穿电压
温度COEF网络cient
正向电压
探测器
(I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 5.5 V)
(T
A
=25°C)
逻辑高电平输出电流
(I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 15 V)
(T
A
=25°C)
(I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 15 V)
逻辑低电源电流
(I
F
= 16 mA时， V
O
=开）
(V
CC
= 15 V)
(I
F
= 0 mA时，V
O
=打开，V
CC
= 15 V)
(T
A
=25°C)
(I
F
= 0 mA时，V
O
=开）
(V
CC
= 15 V)
I
CCL
100
0.05
I
CCH
2
I
OH
.001
.001
0.5
1
50
200
1
A
A
A
测试条件
(I
F
= 16毫安，T
A
=25°C)
(I
F
= 16 mA）的
(I
R
= 10 A)
(I
F
= 16 mA）的
符号
V
F
B
VR
(
V
F
/
T
A
)
5.0
-1.8
民
典型**
1.60
最大
1.7
1.8
单位
V
V
毫伏/°C的
逻辑高电平电源电流
**所有标准结构在T
A
= 25°C
2003仙童半导体公司
第11 2
4/12/04
5针微型扁平封装
高速晶体管
光电耦合器
FODM452
隔离特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
特征
耐压绝缘测试电压
电容（输入输出）
**所有标准结构在T
A
= 25°C
测试条件
（ RH
≤
50%, T
A
= 25°C)
（注4） （ T = 1分。 ）
（注4）中（f = 1 MHz）的
符号
V
ISO
C
我-O
民
3750
0.2
典型**
FODM453
最大
单位
V
RMS
pF
笔记
1.电流传递比是德音响定义为输出集电极电流的比率，我
O
到正向LED的输入电流，我
F
乘以100％。
2. 1.9 kΩ的负载表示1.6毫安1 TTL单位负载和5.6 kΩ的上拉电阻。
在逻辑高电平3.共模瞬态抗扰度是最大容许（正）DV
cm
/ DT上的领先优势
共模脉冲信号V
CM
，以保证该输出将保持在逻辑高状态（也就是，V
O
>2.0 V） 。共模
在逻辑低电平瞬态抗扰度是最大耐受（负）DV
cm
/ dt值的共模的后缘
脉冲信号V
CM
，以保证该输出将保持在逻辑低状态（也就是，V
O
<0.8 V） 。
4.设备被认为是一个双端器件：引脚1和3被短接在一起并且引脚4 ，5，和6被短接在一起。
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第11 4
4/12/04
FODM452 ， FODM453 - 5引脚微型扁平封装高速晶体管光耦
2010年7月
FODM452 ， FODM453
5引脚微型扁平封装高速晶体管
光电耦合器
特点
■
紧凑型5针微型扁平封装
■
高速- 1兆比特/秒
■
高级CMR - 15千伏/μs的在V
CM
= 1500V （ FODM453 ）
■
性能保证在温度（ 0-70 ℃）
■
U.L.认可（文件＃ E90700 ）
■
VDE0884认可（文件＃ 136480 ）
描述
该FODM452和FODM453光电耦合器组成
的AlGaAs LED光学耦合到一个高速光电
检测晶体管。该装置被装在一个紧凑
5针微型扁平封装，以获得最佳的安装密度。
该FODM453采用了高CMR等级为最佳
共模瞬态抑制能力。
- 订购选项V，例如， FODM452V
■
无铅组装260℃回流能力
相关资源
■
www.fairchildsemi.com/products/opto/
■
www.fairchildsemi.com/pf/FO/FODM611.html
■
www.fairchildsemi.com/pf/FO/FODM8061.html
■
www.fairchildsemi.com/pf/FO/FODM8071.html
应用
■
线接收器
■
脉冲变压器更换
■
输出接口为CMOS ， LSTTL -TTL
■
宽带耦合模拟
功能原理图
真值表
阳极1
6 V
CC
LED
关闭
On
产量
高
低
5 V
O
阴极3
4 GND
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FODM452 ， FODM453版本1.0.5
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FODM452 ， FODM453 - 5引脚微型扁平封装高速晶体管光耦
引脚德网络nitions
数
1
3
4
5
6
名字
阳极
阴极
GND
V
O
V
CC
阳极
阴极
输出地
输出电压
输出电源电压
功能说明
安全性和绝缘等级为微型扁平封装（ SO5引脚）
按照IEC60747-5-2 （待定证） 。这个光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”仅在
安全极限的数据。符合安全等级，由保护电路装置来保证。
符号
参数
根据DIN VDE 0110 / 1.89表1安装分类网络阳离子
额定主电压< 150Vrms
额定电压主要< 300Vrms
气候分类科幻阳离子
污染度（ DIN VDE 0110 / 1.89 ）
分钟。
典型值。
Ⅰ-Ⅳ
I-III
40/85/21
2
马克斯。
单位
CTI
V
PR
漏电起痕指数
输入到输出的测试电压，方法B ，
VIORM X 1.875 = V
PR
， 100 ％生产测试用
t
m
= 1秒，局部放电< 5件
输入到输出的测试电压，方法a ，
VIORM ×1.5 = V
PR
，类型和采样与测试
t
m
= 60秒，局部放电< 5件
最大工作绝缘电压
最高允许过电压
外部爬电距离
外部间隙
绝缘厚度
175
1060
V
PR
848
V
IORM
V
IOTM
565
4000
5.0
5.0
0.5
150
10
9
V
PEAK
V
PEAK
mm
mm
mm
°
C
T
例
R
IO
安全限值，最大值在允许的情况下
出现故障，外壳温度
在T绝缘电阻
S
, V
IO
= 500V
2003仙童半导体公司
FODM452 ， FODM453版本1.0.5
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2
FODM452 ， FODM453 - 5引脚微型扁平封装高速晶体管光耦
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
T
英镑
T
OPR
辐射源
I
F
（ AVG）
I
F
（ PK）
I
F
（反式）
V
R
P
D
探测器
I
O
（ AVG）
I
O
（ PK）
V
CC
V
O
P
D
平均输出电流
峰值输出电流
电源电压
输出电压
储存温度
工作温度
参数
价值
-40到+125
-40至+85
25
50
1.0
5
45
单位
°C
°C
mA
mA
A
V
mW
DC /平均正向电流输入
正向峰值输入电流（ 50％的占空比， 1ms的PW ）
峰值瞬态输入电流（
≤
为1μs P.W. ， 300pps ）
反向输入电压
输入功率耗散
（无需降额超过特定网络编辑的工作温度范围内）
8
16
-0.5到30
-0.5到20
100
mA
mA
V
V
mW
输出功率耗散
（无需降额超过特定网络编辑的工作温度范围内）
2003仙童半导体公司
FODM452 ， FODM453版本1.0.5
www.fairchildsemi.com
3
FODM452 ， FODM453 - 5引脚微型扁平封装高速晶体管光耦
电气特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
B
VR
V
F
/
T
A
探测器
I
OH
逻辑高电平输出电流
I
F
= 0毫安，V
O
= V
CC
= 5.5V ，T
A
=25°C
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 15V ，T
A
=25°C
I
F
= 0毫安，V
O
= V
CC
= 15V
I
CCL
I
CCH
逻辑低电源电流
逻辑高电平电源电流
I
F
= 16毫安，V
O
=打开，V
CC
= 15V
I
F
= 0 mA时，V
O
=打开，V
CC
= 15V,
T
A
= 25°C
I
F
= 0毫安，V
O
=打开，V
CC
= 15V
100
0.05
.001
.001
0.5
1
50
200
1
2
A
A
A
输入正向电压
输入反向击穿电压
温度COEF网络cient
正向电压
I
F
= 16毫安，T
A
= 25°C
I
F
= 16毫安
I
R
= 10A
I
F
= 16毫安
5.0
-1.8
1.60
1.7
1.8
V
毫伏/°C的
V
参数
测试条件
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
传输特性
符号
再加
CTR
V
OL
电流传输比
(1)
逻辑低输出
电压
I
F
= 16毫安，V
CC
= 4.5V
T
A
= 25°C V
OL
=0.4V
V
OL
=0.5V
I
F
= 16毫安，我
O
= 3mA电流， V
CC
= 4.5V ，T
A
=2 5°C
I
F
= 16毫安，我
O
= 2.4毫安，V
CC
= 4.5 V
20
15
0.4
0.5
V
50
%
参数
测试条件
分钟。
TYP 。 *
最大
单位
开关特性
(V
CC
= 5V)
符号
T
PHL
T
PLH
|厘米
H
|
参数
传播延迟
时间逻辑低
传播延迟
时间逻辑高
共模
瞬态抗扰度
在逻辑高
测试条件
R
L
= 1.9k
, I
F
= 16毫安，T
A
= 25°C
(2)
（图9）
R
L
= 1.9k
, I
F
= 16毫安
R
L
= 1.9kΩ ，我
F
= 16毫安
(2)
设备
分钟。 （典型值） *最大。
0.40
0.35
0.8
1.0
0.8
1.0
单位
s
s
s
s
KV / μs的
KV / μs的
KV / μs的
KV / μs的
兆赫
（图9）
(2)
R
L
= 1.9kΩ ，我
F
= 16毫安，T
A
= 25°C
(2)
（图9）
FODM452
FODM453
FODM452
FODM453
5
15
5
15
（图9）
15
40
15
40
3
I
F
= 0毫安，V
CM
= 10V
P-P
, R
L
= 1.9k,
T
A
= 25°C
(3)
（图10）
I
F
= 0毫安，V
CM
= 1500V
P-P
, R
L
= 1.9k
T
A
= 25°C
(3)
（图10）
I
F
= 16毫安，V
CM
= 10V
P-P
, R
L
= 1.9k,
T
A
= 25°C
(3)
（图10）
I
F
= 16毫安，V
CM
= 1500V
P-P
, R
L
= 1.9k,
T
A
= 25°C
(3)
（图10）
R
L
= 100
|厘米
L
|
共模
瞬态抗扰度
在逻辑低电平
BW
带宽
隔离特性
符号
V
ISO
C
我-O
特征
耐压绝缘测试电压
电容（输入输出）
测试条件
RH
≤
50%, T
A
= 25 ℃， t为1分钟。
(4)
F = 1MHz的
(4)
分钟。
3750
TYP 。 *
0.2
马克斯。
单位
V
RMS
pF
*所有标准结构在T
A
= 25°C
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注意事项：
1.电流传递比是德音响定义为输出集电极电流的比率，我
O
到正向LED的输入电流，我
F
,
乘以100 ％。
2. 1.9kΩ负载代表了1.6毫安和5.6kΩ的上拉电阻1 TTL单位负载。
在逻辑高电平3.共模瞬态抗扰度是最大容许（正）DV
cm
/ DT上的
共模脉冲信号V前缘
CM
，以保证输出将保持在逻辑高状态
（即，V
O
> 2.0V ） 。在逻辑低电平共模瞬变抗扰度是最大容忍的（负面）DV
cm
/ DT
上的共模脉冲信号V的后缘
CM
，以保证该输出将保持在逻辑低
状态（即，V
O
< 0.8V ） 。
4.设备被认为是一个双端器件：引脚1和3被短接在一起并且引脚4 ，5，和6被短路
在一起。
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