FOD8316 - 2.5A输出电流， IGBT驱动光电耦合器与去饱和检测和隔离故障检测
2012年9月
FOD8316
2.5A输出电流， IGBT驱动光电耦合器与
去饱和检测和隔离故障检测
特点
■
高抗干扰特点是共模
描述
该FOD8316是一种先进的2.5A输出电流
IGBT驱动光电耦合器，能够驱动大多数的1200V /
150A的IGBT 。它非常适合于快速切换驾驶
在电机控制用功率IGBT和MOSFET的
逆变器应用的高性能功率
系统。它提供关键保护功能，必要的
用于防止故障情况，导致破坏性
IGBT的热失控。
它采用飞兆半导体的专利共面封装
技术， Optoplanar
和优化的集成电路设计，以
达到高抗噪性，特点是高
共模抑制和电源抑制
特定连接的阳离子。
它包括一个集成的栅极驱动光电耦合器的featur-
荷兰国际集团低R
DS （ ON）
CMOS晶体管来驱动的IGBT
轨到轨和一个集成的高速隔离馈
回故障检测。该器件采用一个COM
符合协议16引脚小外形塑料封装
8毫米爬电距离和电气间隙的要求。
■
■
■
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■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
拒绝
- 的35kV /μs的最小共模抑制
（VCM = 1500Vpk ）
对于大多数2.5A峰值输出电流驱动能力
1200V / 150A IGBT
光隔离故障检测反馈
“软” IGBT关断
内置IGBT保护
- 去饱和检测
- 欠压锁定保护
1,414V （峰值）工作电压额定值
8,000V （峰值）瞬态隔离电压额定值
宽电源电压范围从15V到30V
- 使用P沟道MOSFET的输出级
使输出电压摆幅接近电源
铁路（轨到轨输出）
3.3V / 5V ， CMOS / TTL兼容的输入
高速
- 最大为500ns 。传播延迟在整个工作
温度范围
扩展工业温度范围的-40 ° C至100℃
温度范围
安全和管制
- UL1577 ， 4243 V
RMS
1分钟。
- DIN EN / IEC 60747-5-5
R
DS （ ON）
1
Ω
（典型值） ，提供低功耗
用户可配置：反向，非反相，自动复位，
自动关机
8毫米爬电距离和电气间隙
应用
■
工业变频器
■
感应加热
■
隔离式IGBT驱动器
2010仙童半导体公司
FOD8316版本1.2.0
www.fairchildsemi.com
FOD8316 - 2.5A输出电流， IGBT驱动光电耦合器与去饱和检测和隔离故障检测
真值表
V
IN +
X
X
低
X
高
V
IN-
X
X
X
高
低
UVLO
(V
DD2
– V
E
)
活跃
X
X
X
不活跃
DESAT
DETECTED ？
X
是的
X
X
No
故障
X
低
X
X
高
V
O
低
低
低
低
高
引脚德网络nitions
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
名字
V
IN +
V
IN-
V
DD1
GND1
RESET
故障
V
LED1+
V
LED1-
V
SS
V
SS
V
O
V
S
V
DD2
DESAT
V
LED2+
V
E
反相栅极驱动器输入
描述
非反相栅极驱动器输入
正输入电源电压（ 3V至5.5V ）
输入地
故障复位输入
故障输出（开漏）
1 LED的阳极（必须悬空）
LED 1的阴极（必须连接到接地）
输出电源电压（负）
输出电源电压（负）
栅极驱动输出电压
上拉PMOS晶体管的源极
正输出电源电压
饱和电压输入
LED 2阳极（必须悬空）
输出电源电压/ IGBT发射
V
IN +
V
IN-
V
DD1
GND1
RESET
故障
V
LED1+
V
LED1-
*
1
2
3
4
5
6
7
8
16
V
E
15
V
LED2+
14
DESAT
13
V
DD2
12
V
S
11
V
O
10
V
SS
9
V
SS
*引脚8 （V
LED1-
）在内部连接到引脚4 （ GND1 ） 。
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框图
V
LED1+
7
输出IC
V
DD1
3
V
IN +
V
IN-
1
2
11
输入IC
13
12
V
DD2
V
S
故障
6
UVLO
栅极驱动器
光电耦合器
V
O
司机
LED1
GND1
V
LED1–
4
8
盾
DESAT
9,10
14
V
SS
DESAT
V
E
RESET
5
故障
LED2
16
错感
光电耦合器
盾
15
V
LED2+
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FOD8316 - 2.5A输出电流， IGBT驱动光电耦合器与去饱和检测和隔离故障检测
安全性和绝缘等级
根据DIN EN / IEC 60747-5-5 。这个光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”仅在安全极限
数据。符合安全等级，由保护电路装置来保证。
符号
参数
根据DIN VDE 0110 / 1.89表1安装分类网络阳离子
额定电源电压< 150Vrms
额定电源电压< 300Vrms
额定电源电压< 450Vrms
额定电源电压< 600VRMS
额定电源电压< 1000Vrms
气候分类科幻阳离子
污染度（ DIN VDE 0110 / 1.89 ）
分钟。
典型值。
Ⅰ-Ⅳ
Ⅰ-Ⅳ
Ⅰ-Ⅳ
Ⅰ-Ⅳ
I–III
40/100/21
2
马克斯。
单位
CTI
V
PR
漏电起痕指数
输入到输出的测试电压，方法B ，
V
IORM
X 1.875 = V
PR
， 100 ％生产测试用
TM = 1秒，局部放电< 5PC
输入到输出的测试电压，方法a ，
V
IORM
×1.5 = V
PR
，类型和采样与测试
TM = 60秒，局部放电< 5件
175
2651
V
PEAK
2121
V
PEAK
V
IORM
V
IOTM
最大工作绝缘电压
最高允许过电压
外部爬电距离
外部间隙
绝缘厚度
安全限值 - 最大允许值的
故障的事件
1,414
8000
8
8
0.5
V
PEAK
V
PEAK
mm
mm
mm
T
例
P
S， INPUT
P
S，输出
R
IO
外壳温度
输入功率
输出功率
在T绝缘电阻
S
, V
IO
= 500V
150
100
600
10
9
°C
mW
mW
Ω
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绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
T
英镑
T
OPR
T
J
T
SOL
参数
储存温度
工作温度
结温
铅波峰焊温度
（不浸焊）
请参阅第27页再溢流温度廓线。
故障输出电流
峰值输出电流
(1)
负输出
电源电压
(2)
正输出电源电压
栅极驱动输出电压
输出电源电压
正输入电源电压
输入电压
FAULT引脚电压
的上拉PMOS晶体管的电压源
DESAT电压
输入功率
耗散
(3)(5)
输出功率耗散
(4)(5)
价值
-40到+125
-40至+100
-40到+125
260 ，持续10秒
单位
C
C
C
C
I
故障
I
O（峰）
V
E
– V
SS
V
DD2
– V
E
V
O（峰）
V
DD2
– V
SS
V
DD1
V
IN +
, V
IN-
和V
RESET
V
故障
V
S
V
DESAT
PD
I
PD
O
15
3
0至15
-0.5至35 - （V
E
– V
SS
)
-0.5到35
-0.5到35
-0.5 6
-0.5到V
DD1
-0.5到V
DD1
V
SS
+ 6.5 V
DD2
V
E
到V
E
+ 11
100
600
mA
A
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mW
mW
注意事项：
1.最大脉冲宽度为10μs = ，最大占空比= 0.2 ％ 。
2.该负输出电压是可选的。当负栅极驱动器来实现它才需要。请参阅
“双电源供电 - 在VSS负偏差”第23页。
3.要求不降额在整个温度范围内。
4.线性降额高于64 ° C，自由的空气温度为10.2mW / ℃的速率
在这些条件下5.功能操作不暗示。如果设备受到可能出现永久性损坏
这些收视率以外的条件。
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计，以绝对最大额定值。
符号
T
A
V
DD1
V
DD2
– V
SS
V
E
– V
SS
V
DD2
– V
E
V
S
参数
工作环境温度
输入电源电压
(6)
总输出电源电压
负输出电源电压
正输出电源电压
(6)
的上拉PMOS晶体管的电压源
分钟。
-40
3
15
0
15
V
SS
+ 7.5
马克斯。
+100
5.5
30
15
30 – (V
E
– V
SS
)
V
DD2
单位
C
V
V
V
V
V
注意：
6.在打开或关闭时，要确保VIN +保持为低电平，直到输入和输出电源无论是重要的
电压达到适当的推荐的工作电压，以避免在输出状态的任何瞬间不稳定。
又见讨论第23页上的“时间好电源”一节。
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