FOD814系列， FOD817系列 - 4针高工作温度光电晶体管光耦合器
2011年12月
FOD814系列， FOD817系列
4针高工作温度
光电晶体管光耦合器
特点
■
交流输入（ FOD814只）
■
适用于无铅红外回流焊
■
紧凑型4 -pin封装
■
在选定组电流传输比：
描述
该FOD814由两个砷化镓红外
发光二极管，反向并联连接，驱动
在一个4针的双列直插式硅光电晶体管输出
封装。该FOD817系列由镓
砷化镓红外发光二极管驱动硅
光电晶体管的4脚双列直插式封装。
FOD814 ： 20-300 ％
FOD814A ： 50-150 ％
FOD817 ： 50-600 ％
FOD817A ： 80-160 ％
FOD817B ： 130-260 ％
FOD817C ： 200-400 ％
FOD817D ： 300-600 ％
■
C- UL ， UL和VDE认证
■
5000Vrms高输入输出隔离电压
■
最低BV
首席执行官
70V的保证
■
较高的工作温度（与H11AXXX
同行）
应用
FOD814系列
■
AC在线监测
■
未知极性直流传感器
■
电话线接口
FOD817系列
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
功能框图
阳极，阴极1
4珍藏
阳极1
4珍藏
阴极，阳极2
3发射器
阴极2
3发射器
4
FOD814
FOD817
1
2006仙童半导体公司
FOD814系列， FOD817系列版本1.1.5
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(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
绝对最大额定值
价值
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
T
J
θ
JC
P
合计
辐射源
I
F
V
R
P
D
探测器
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
C
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
连续集电极电流
集电极耗散功率
减免上述90℃
70
6
50
150
2.9
连续正向电流
反向电压
功耗
减免上述100℃
70
1.7
±50
50
6
单位
FOD817
°C
°C
°C
°C
° C / W
mW
mA
mW
毫瓦/°C的
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
结温
结到外壳热阻
总功耗
FOD814
设备总
-55到+150
-55至+105
-55到+110
260 ，持续10秒
125最大。
210
200
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电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
I
R
C
t
探测器
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
集电极暗电流
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
FOD814
FOD817
FOD814
FOD817
FOD814
FOD817
V
CE
= 20V ，我
F
= 0
V
CE
= 20V ，我
F
= 0
I
C
= 0.1毫安，我
F
= 0
I
C
= 0.1毫安，我
F
= 0
I
E
= 10μA ，我
F
= 0
I
E
= 10μA ，我
F
= 0
70
70
6
6
V
100
100
V
nA
正向电压
反向漏电流
终端电容
FOD814
FOD817
FOD817
FOD814
FOD817
I
F
= -20mA
I
F
= 20mA下
V
R
= 4.0V
V = 0 ， F = 1kHz时
V = 0 ， F = 1kHz时
50
30
1.2
1.2
1.4
1.4
10
250
250
A
pF
V
参数
设备
测试条件
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
直流传输特性
符号
CTR
DC
特征
电流传输
比
设备
FOD814
FOD814A
FOD817
FOD817A
FOD817B
FOD817C
FOD817D
V
CE （SAT）
集电极 - 发射极
饱和电压
FOD814
FOD817
I
F
= -20mA ，我
C
= 1毫安
I
F
= 20mA时，我
C
= 1毫安
I
F
= 5毫安，V
CE
=
5V
(1)
测试条件
I
F
= -1mA ，V
CE
= 5V
(1)
分钟。
20
50
50
80
130
200
300
0.1
0.1
TYP 。 *
马克斯。
300
150
600
160
260
400
600
0.2
0.2
V
单位
%
AC传热特性
符号AC特性
f
C
t
r
t
f
截止频率
响应时间（上升）
响应时间（秋季）
设备
FOD814
FOD814,
FOD817
FOD814,
FOD817
测试条件
V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安，R
L
= 100,
-3dB
V
CE
= 2 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
(2)
分钟。
15
（典型值） *最大。单位
80
4
3
18
18
千赫
s
s
*在T典型值
A
= 25°C
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电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
（续）
隔离特性
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
特征
输入输出隔离
电压
(3)
绝缘电阻
隔离电容
设备
测试条件
分钟。
5000
5x10
10
TYP 。 *
马克斯。
单位
VAC （ RMS）
FOD814中，f = 60Hz的， T = 1分，
FOD817我
我-O
≤
2A
FOD814 ，V
我-O
= 500V直流
FOD817
FOD814 ，V
我-O
= 0中，f = 1 MHz的
FOD817
1x10
11
0.6
1.0
pf
*在T典型值
A
= 25°C
注意事项：
1.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
2.测试电路的设置和波形，请参阅第7页。
3.对于本试验中，引脚1和2是常见的，销3和4中是常见的。
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典型电气/光学特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
图。 1集电极耗散功率
- 环境温度
(FOD814)
200
图。 2集电极耗散功率
- 环境温度
(FOD817)
200
150
150
100
100
50
50
0
-55 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120
环境温度T
A
(°C)
0
-55 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120
环境温度T
A
(°C)
6
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE
（ SAT ） （V ）
5
4
3
2
1
0
图。 3集电极 - 发射极饱和电压
与正向电流
图。 4正向电流与正向电压
(FOD814)
100
正向电流I
F
（MA ）
T
A
= 105 C
75 C
o
o
IC = 0.5毫安
1mA
3mA
5mA
7mA
TA = 25°C
10
50 C
o
25
o
C
0
o
C
1
-30 C
-55 C
o
o
0
2.5
5.0
7.5 10.0 12.5
正向电流I
F
（MA ）
15.0
0.1
0.5
1.0
1.5
2.0
正向电压V
F
(V)
电流传输比CTR （ ％ ）
图。 5正向电流与正向电压
(FOD817)
100
正向电流I
F
（MA ）
T
A
= 110 C
75 C
o
o
图。 6电流传输比
与正向电流
140
120
100
80
60
40
20
V
CE
= 5V
TA = 25℃
FOD817
10
50 C
o
25
o
C
0
o
C
1
-30 C
-55 C
o
o
FOD814
0.1
0.5
1.0
1.5
2.0
0
0. 1 0.2
正向电压V
F
(V)
0.5 1 2
5 10 20 50 100
正向电流I
F
（MA ）
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FOD814系列， FOD817系列版本1.1.5
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