LVTTL / LVCMOS 3.3V
高速晶体管
光电耦合器
单通道： FOD050L
双通道：
FOD053L
包
FOD250L
概要
N / C 1
8 V
CC
+ 1
V
F1
8 V
CC
8
1
+ 2
V
F
_
3
6 V
O
7 V
B
_
2
7 V
01
_
V
3
6 V
02
F2
8
1
8
1
N / C 4
5 GND
+ 4
5 GND
FOD050L ， FOD250L
FOD053L
描述
该FOD250L ， FOD050L和FOD053L光耦合器组成的AlGaAs LED光学耦合到一个高的
高速光电检测器晶体管。这些器件在3.3V电源电压特定网络编辑操作。
真值表
LED
On
关闭
V
O
低
高
为光电二极管的偏压一个单独的连接数量级以上常规几个数量提高了速度
光电晶体管的光电耦合器通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容。
内部噪音屏蔽提供卓越共模抑制CM的
H
= 50kV的/毫秒（典型值）和CM
L
- 的35kV / ms（典型值） 。
特点
低功耗
高速
可在单通道8引脚DIP （ FOD250L ） ， 8引脚SOIC （ FOD050L ）或双通道8引脚SOIC （ FOD053L ）
高级CMR - CM
H
= 50kV的/ μs（典型值）和CM
L
- 的35kV / μs（典型值）
保证性能随温度： 0 ° C至70℃
U.L.认可（文件＃ E90700 ）
VDE PENDING
应用
线接收器
脉冲变压器更换
高速逻辑接地隔离： LVTTL / LVCMOS
宽带耦合模拟
2004仙童半导体公司
分页： 13 1
6/14/04
LVTTL / LVCMOS 3.3V
高速晶体管
光电耦合器
单通道： FOD050L
双通道：
FOD053L
FOD250L
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度（波峰焊专用）
辐射源
DC /平均正向电流输入
正向峰值输入电流（占空比为50％ ， 1毫秒PW ）
每个通道
峰值瞬态输入电流 - （
≤
1微秒P.W. ， 300 ，PPS）
每个通道
反向输入电压
输入功率耗散（无需高达85°C降额）
探测器
平均输出电流
峰值输出电流
发射极 - 基反向电压
电源电压
输出电压
基极电流
输出功率耗散（无需高达85°C降额）
（仅FOD050L ， FOD250L ）
每个通道
每个通道
每个通道
（仅FOD050L ， FOD250L ）
I
O
（ AVG）
I
O
（ PK）
V
EBR
V
CC
V
O
I
B
P
D
8
16
5
-0.5 7
-0.5 7
5
100
mA
mA
V
V
V
mA
mW
每个通道
每个通道
每个通道
I
F
（ AVG）
I
F
（ PK）
I
F
（反式）
V
R
P
D
25
50
1.0
5
45
mA
mA
A
V
mW
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
价值
-40到+125
-40至+85
260 ，持续10秒
单位
°C
°C
°C
2004仙童半导体公司
分页： 13 2
6/14/04
LVTTL / LVCMOS 3.3V
高速晶体管
光电耦合器
单通道： FOD050L
双通道：
FOD053L
FOD250L
开关特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编，V
CC
= 3.3 V)
参数
传播延迟
时间逻辑低
传播延迟
时间逻辑高
共模
短暂
在免疫力
逻辑高
共模
短暂
在免疫力
逻辑低
**所有标准结构在T
A
= 25°C
测试条件
(R
L
= 1.9 k
, I
F
= 16 mA）的（注2） （图10）
(R
L
= 1.9 k
, I
F
= 16 mA）的（注2） （图10）
25°C
25°C
符号
T
PHL
T
PLH
设备
所有
所有
所有
|厘米
H
|
所有
5,000
50,000
—
V / μs的
民
—
—
—
—
5,000
典型**
—
—
—
—
50,000
最大单位
1.0
2.0
1.0
2.0
—
s
s
V / μs的
(I
F
= 0 mA时，V
CM
= 1,000 V
P-P
, R
L
= 4.1 k
)
（注3,4） （图11 ）笔
A
= 25°C
(I
F
= 0 mA时，V
CM
= 1,000 V
P-P
)
T
A
= 25 ℃， （注册商标
L
= 1.9 k)
（注2,4） （图11）
(I
F
= 16 mA时， V
CM
= 1,000 V
P-P
, R
L
= 4.1 k)
（注3,4） （图11 ）笔
A
= 25°C
(I
F
= 16 mA时， V
CM
= 1,000 V
P-P
) (R
L
= 1.9 k)
（注2,4） （图11）
所有
|厘米
L
|
所有
5,000
5,000
35,000
35,000
—
—
V / μs的
V / μs的
隔离特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
特征
输入输出
绝缘泄漏
当前
绝缘耐压
测试电压
阻力
（输入到输出）
电容
（输入到输出）
测试条件
（相对湿度= 45％）
(T
A
= 25 ℃， T = 5秒）
(V
我-O
= 3000 VDC ）
（注5 ）
（ F = 60赫兹，T
A
= 25°C)
（注5） （吨= 1分钟）
（注5） （Ⅴ
我-O
= 500 VDC）
（注5）中（f = 1 MHz）的
符号
设备
民
典型**
最大
单位
I
我-O
所有
—
—
1.0
A
V
ISO
FOD050L
FOD053L
FOD250L
2500
5000
10
11
—
—
—
10
12
0.2
—
—
—
—
V
RMS
pF
R
我-O
C
我-O
所有
所有
笔记
1.电流传递比是德音响定义为输出集电极电流的比率，我
O
到正向LED的输入电流，我
F
乘以100％。
2. 1.9
负载代表了1.6 mA和5.6 K 1 TTL单位负载
上拉电阻。
3. 4.1
负载代表0.36 mA和6.1k 1 LSTTL单位负载
上拉电阻。
在逻辑高电平4.共模瞬态抗扰度是最大容许（正）DV
cm
/ DT上的领先优势
共模脉冲信号V
CM
，以保证该输出将保持在逻辑高状态（也就是，V
O
>2.0 V） 。共模
在逻辑低电平瞬态抗扰度是最大耐受（负）DV
cm
/ dt值的共模的后缘
脉冲信号V
CM
，以保证该输出将保持在逻辑低状态（也就是，V
O
<0.8 V） 。
5.设备被认为是一个双端器件：引脚1，2， 3和4被短接在一起，并销5 ，图6，图7和8被短
在一起。
I
2004仙童半导体公司
第13 4
6/14/04
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L - LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
2008年8月
FOD050L ， FOD250L ：单通道
FOD053L ：双通道
LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
特点
■
低功耗
■
高速
■
可在单通道8引脚DIP （ FOD250L ）
描述
该FOD250L ， FOD050L和FOD053L光电耦合器
组成的AlGaAs的LED光学耦合到一个高
高速光电检测器晶体管。这些器件试样
网络连接编为工作在3.3V电源电压。
为光电二极管的偏压一个单独的连接
由大小超过几个数量提高了速度
常规
光电晶体管的光电耦合器通过减小基线
输入晶体管的集电极电容。
内部噪音屏蔽提供卓越共
模抑制CM的
H
= 50kV的/毫秒（典型值）和CM
L
=
的35kV / ms（典型值） 。
■
■
■
■
8引脚SOIC （ FOD050L ）或双通道8引脚SOIC
(FOD053L)
高级CMR - CM
H
= 50kV的/ μs（典型值）和
CM
L
=的35kV / μs（典型值）
保证性能随温度：
0 ° C至70℃
U.L.认可（文件＃ E90700 ）
VDE PENDING
应用
■
线接收器
■
脉冲变压器更换
■
高速逻辑接地隔离： LVTTL / LVCMOS
■
宽带耦合模拟
示意图
包装纲要
N / C 1
8 V
CC
+ 1
V
F1
8 V
CC
8
8
1
1
+ 2
V
F
_
3
7 V
B
_
2
7 V
01
6 V
O
_
3
6 V
02
8
1
8
1
V
F2
N / C 4
5 GND
+ 4
5 GND
真值表
FOD050L ， FOD250L
FOD053L
LED
On
关闭
V
O
低
高
2003仙童半导体公司
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L - LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
辐射源
I
F
（ AVG）
I
F
（ PK）
I
F
（反式）
V
R
P
D
探测器
I
O
（ AVG）
I
O
（ PK）
V
EBR
V
CC
V
O
I
B
P
D
平均输出电流
峰值输出电流
发射极 - 基反向电压
电源电压
输出电压
基极电流
储存温度
工作温度
参数
价值
-40到+125
-40至+85
260 ，持续10秒
每个通道
每个通道
每个通道
每个通道
每个通道
25
50
1.0
5
45
单位
°C
°C
°C
mA
mA
A
V
mW
无铅焊锡温度（波峰焊专用）
DC /平均正向电流输入
正向峰值输入电流
（占空比为50％ ， 1毫秒P.W。 ）
峰值瞬态输入电流
（ ≤1微秒P.W. ， 300pps ）
反向输入电压
输入功率耗散
（无需降额高达85° C）
每个通道
每个通道
只有FOD050L ， FOD250L
8
16
5
-0.5 7
-0.5 7
mA
mA
V
V
V
mA
mW
只有FOD050L ， FOD250L
每个通道
5
100
输出功率耗散
（无需降额高达85° C）
2003仙童半导体公司
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L版本1.0.2
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2
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L - LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
电气特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
B
VR
输入正向电压
输入反向
击穿电压
逻辑高电平输出。
当前
逻辑低电平电源
当前
I
F
= 16毫安，T
A
=25°C
I
F
= 16毫安
I
R
= 10A
所有
5.0
所有
1.45
1.7
1.8
V
V
参数
测试条件
设备
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
探测器
I
OH
I
CCL
I
F
= 0毫安，V
O
= V
CC
= 3.3V,
T
A
= 25°C
I
F
= 16毫安，V
O
=开，
V
CC
= 3.3V
I
F1
= I
F2
= 16毫安，
V
O
=打开，V
CC
= 3.3V
I
CCH
逻辑高电源
当前
I
F
= 0毫安，V
O
=开，
V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25°C
I
F
= 0毫安，V
O
=开，
V
CC
= 3.3V
**所有标准结构在T
A
= 25°C
所有
FOD050L
FOD250L
FOD053L
FOD050L
FOD250L
FOD053L
0.001
1
200
400
0.3
10
A
A
A
传输特性
符号
再加
CTR
V
OL
电流传输比
(1)
逻辑低输出
电压输出电压
I
F
= 16毫安，V
O
= 0.4 V,
V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25°C
I
F
= 16毫安，我
O
= 3mA电流，
V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25°C
所有
所有
15
50
0.3
%
V
参数
测试条件
设备
分钟。
TYP。 **最大。
单位
*所有标准结构在T
A
= 25°C
注意：
1.电流传递比是德音响定义为输出集电极电流的比率，我
O
到正向LED的输入电流，我
F
，次
100%.
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3
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L - LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
电气特性
（续） （T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
开关特性
(V
CC
= 3.3V)
符号
T
PHL
T
PLH
|厘米
H
|
参数
传播延迟
时间逻辑低
传播延迟
时间逻辑高
共模
瞬态抗扰度
在逻辑高
测试条件
R
L
= 1.9k
, I
F
= 16毫安
(2)
（图10）
R
L
= 1.9k
, I
F
= 16毫安
(2)
（图10）
25°C
25°C
设备
所有
所有
所有
分钟。
典型值。 **
MAX 。 UNIT
1.0
2.0
1.0
2.0
s
V / μs的
V / μs的
V / μs的
s
I
F
= 0毫安，V
CM
= 1,000V
P-P
,
R
L
= 4.1k
, T
A
= 25°C
(3,4)
（图11）
I
F
= 0毫安，V
CM
= 1,000V
P-P
,
T
A
= 25 ° C，R
L
= 1.9k
(2,4)
（图11）
I
F
= 16毫安，V
CM
= 1,000V
P-P
,
R
L
= 4.1kΩ 。牛逼
A
= 25°C
(3,4)
（图11）
I
F
= 16毫安，V
CM
= 1,000 V
P-P
,
R
L
= 1.9k
(2,4)
（图11）
5,000
5,000
50,000
50,000
35,000
|厘米
L
|
共模
瞬态抗扰度
在逻辑低电平
所有
5,000
5,000
35,000
V / μs的
隔离特性
符号
I
我-O
特征
输入输出
绝缘泄漏
当前
绝缘耐压
测试电压
阻力
（输入到输出）
电容
（输入到输出）
测试条件
相对湿度= 45％ ，
T
A
= 25 ° C，T = 5秒，
V
我-O
= 3000VDC
(5)
F = 60Hz的，T
A
= 25°C,
吨= 1分钟。
(5)
V
我-O
= 500V直流
(5)
F = 1MHz的
(5)
设备
所有
分钟。
典型值。 **
马克斯。
1.0
单位
A
V
ISO
FOD050L
FOD053L
FOD250L
所有
所有
2500
5000
10
11
10
12
0.2
V
RMS
R
我-O
C
我-O
pF
*所有标准结构在T
A
= 25°C
注意事项：
2. 1.9K
负载代表1.6毫安和5.6K 1 TTL单位负载
上拉电阻。
3. 4.1kΩ负载代表了0.36毫安和6.1kΩ的上拉电阻1 LSTTL单位负载。
在逻辑高电平4.共模瞬态抗扰度是最大容许（正）DV
cm
/ DT中处于领先地位
共模脉冲信号V边
CM
，以保证输出将保持在逻辑高状态
（即，V
O
> 2.0V ） 。在逻辑低电平共模瞬变抗扰度是最大容忍的（负面）
dV
cm
/ dt的对共模脉冲信号V的后缘
CM
，以保证该输出将保持在一个
逻辑低状态（即，V
O
< 0.8V ） 。
5.设备被认为是一个双端器件：引脚1，2， 3和4被短接在一起，并销5 ，6，7和8是
短接在一起。
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FOD050L ， FOD250L ， FOD053L版本1.0.2
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4
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L - LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
典型性能曲线
图。 1 LED正向电流与正向电压
100
1.3
图。 2电流传输比与正向电流
（ FOD050L ， FOD053L ）
电流传输比（归）
V
O
= 0.4V
V
CC
= 3.3V
归一
I
F
= 16毫安，T
A
= 25°C
1.2
I
F
- 正向电流（mA ）
10
T
A
= 85°C
1
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 0°C
T
A
= -40°C
1.1
T
A
= 70°C
T
A
= 85°C
1.0
T
A
= 0°C
T
A
= 25°C
0.1
0.9
0.8
0.01
0.7
T
A
= -40°C
0.001
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
0.6
0
5
10
15
20
25
V
F
- 正向电压（ V）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3电流传输比与输入正向电流
(FOD250L)
电流传输比（归）
1.4
1.3
1.2
图。 4电流传输比与环境温度
1.6
1.6
电流传输比（归）
V
O
= 0.4V
V
CC
= 3.3V
T
A
= 85°C
T
A
= 70°C
归一
I
F
= 16毫安，T
A
= 25°C
1.4
1.2
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
T
A
= 25°C
1.0
1.0
0.8
0.8
T
A
= 0°C
0.6
0.6
0.4
0.4
T
A
= -40°C
0.6
0.5
0
5
10
15
20
25
0.2
0.2
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0.0
I
F
- 正向电流（mA ）
T
A
=环境温度（℃）
图。 5输出电流和输出电压
12
图6.逻辑高输出电流与环境温度
10
10
I
F
= 25毫安
8
I
OH
- 逻辑高电平输出电流（ NA）
T
A
= 25°C
V
CC
= 3.3V
V
O
= V
CC
= 3.3V
I
F
= 0
I
O
- 输出电流（mA ）
1
20mA
6
15mA
4
0.1
10mA
2
5mA
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0.01
-40
-20
0
20
40
60
80
100
V
O
=输出电压（V）的
T
A
=环境温度（℃）
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5
I
C
- 集电极电流（mA ）
I
LED
= 1毫安
I
F
= 16毫安
V
O
= 0.4V
V
CC
= 3.3V
归一化到T
A
= 25°C
1.4
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
2006年10月
FOD050L ， FOD250L ：单通道
FOD053L ：双通道
LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
特点
■
低功耗
■
高速
■
可在单通道8引脚DIP （ FOD250L ）
描述
该FOD250L ， FOD050L和FOD053L光电耦合器
组成的AlGaAs的LED光学耦合到一个高
高速光电检测器晶体管。这些器件试样
网络连接编为工作在3.3V电源电压。
为光电二极管的偏压一个单独的连接
由大小超过几个数量提高了速度
常规
光电晶体管的光电耦合器通过减小基极 - 同事
输入晶体管的讲师电容。
内部噪音屏蔽提供卓越共
模抑制CM的
H
= 50kV的/毫秒（典型值）和CM
L
=
的35kV / ms（典型值） 。
■
■
■
■
8引脚SOIC （ FOD050L ）或双通道8引脚SOIC
(FOD053L)
高级CMR - CM
H
= 50kV的/ μs（典型值）和
CM
L
=的35kV / μs（典型值）
保证性能随温度：
0 ° C至70℃
U.L.认可（文件＃ E90700 ）
VDE PENDING
应用
■
线接收器
■
脉冲变压器更换
■
高速逻辑接地隔离： LVTTL / LVCMOS
■
宽带耦合模拟
概要
N / C 1
8 V
CC
+ 1
V
F1
8 V
CC
8
1
+ 2
V
F
_
3
7 V
B
_
2
7 V
01
8
8
1
1
6 V
O
_
V
3
6 V
02
F2
N / C 4
5 GND
+ 4
5 GND
FOD050L ， FOD250L
FOD053L
真值表
LED
On
关闭
V
O
低
高
2002仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L版本1.0.0
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
绝对最大额定值
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
辐射源
I
F
（ AVG）
I
F
（ PK）
I
F
（反式）
V
R
P
D
探测器
I
O
（ AVG）
I
O
（ PK）
V
EBR
V
CC
V
O
I
B
P
D
平均输出电流
峰值输出电流
储存温度
工作温度
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
价值
-40到+125
-40至+85
260 ，持续10秒
每个通道
每个通道
每个通道
每个通道
每个通道
25
50
1.0
5
45
单位
°C
°C
°C
mA
mA
A
V
mW
无铅焊锡温度（波峰焊专用）
DC /平均正向电流输入
正向峰值输入电流
（占空比为50％ ， 1毫秒P.W。 ）
峰值瞬态输入电流
(
≤
1微秒P.W. ， 300pps ）
反向输入电压
输入功率耗散
（无需降额高达85° C）
每个通道
每个通道
只有FOD050L ， FOD250L
8
16
5
-0.5 7
-0.5 7
mA
mA
V
V
V
mA
mW
发射极 - 基反向电压
电源电压
输出电压
基极电流
输出功率耗散
（无需降额高达85° C）
只有FOD050L ， FOD250L
每个通道
5
100
2
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
电气特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
B
VR
输入正向电压
输入反向
击穿电压
逻辑高电平输出。
当前
逻辑低电平电源
当前
I
F
= 16毫安，T
A
=25°C
I
F
= 16毫安
I
R
= 10A
所有
5.0
所有
1.45
1.7
1.8
V
V
参数
测试条件
设备
分钟。
典型值。 **
马克斯。
单位
探测器
I
OH
I
CCL
I
F
= 0毫安，V
O
= V
CC
= 3.3V,
T
A
= 25°C
I
F
= 16毫安，V
O
=开，
V
CC
= 3.3V
I
F1
= I
F2
= 16毫安，
V
O
=打开，V
CC
= 3.3V
I
CCH
逻辑高电源
当前
I
F
= 0毫安，V
O
=开，
V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25°C
I
F
= 0毫安，V
O
=开，
V
CC
= 3.3V
**所有标准结构在T
A
= 25°C
所有
FOD050L
FOD250L
FOD053L
FOD050L
FOD250L
FOD053L
0.001
1
200
400
0.3
10
A
A
A
传输特性
符号
再加
CTR
V
OL
电流传输比
(1)
逻辑低输出
电压输出电压
I
F
= 16毫安，V
O
= 0.4 V,
V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25°C
I
F
= 16毫安，我
O
= 3mA电流，
V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25°C
所有
所有
15
50
0.3
%
V
参数
测试条件
设备
分钟。
TYP。 **最大。
单位
**所有标准结构在T
A
= 25°C
注意：
1.电流传递比是德音响定义为输出集电极电流的比率，我
O
到正向LED的输入电流，我
F
，次
100%.
3
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L版本1.0.0
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FOD050L ， FOD250L ， FOD053L LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
开关特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定ED ，V
CC
= 3.3V.)
符号
T
PHL
T
PLH
|厘米
H
|
参数
传播延迟
时间逻辑低
传播延迟
时间逻辑高
共模
瞬态抗扰度在
逻辑高
测试条件
R
L
= 1.9k
, I
F
= 16毫安
(2)
（图10）
R
L
= 1.9k
, I
F
= 16毫安
(2)
（图10）
25°C
25°C
设备
所有
所有
所有
分钟。
典型值。 **
MAX 。 UNIT
1.0
2.0
1.0
2.0
s
V / μs的
V / μs的
s
I
F
= 0毫安，V
CM
= 1,000V
P-P
,
R
L
= 4.1k
,
T
A
= 25°C
(3,4)
（图11）
I
F
= 0毫安，V
CM
= 1,000V
P-P
,
T
A
= 25 ° C，R
L
= 1.9k
(2,4)
（图。
11)
I
F
= 16毫安，V
CM
= 1,000V
P-P
,
R
L
= 4.1kΩ 。牛逼
A
= 25°C
(3,4)
（图11）
I
F
= 16毫安，V
CM
= 1,000 V
P-P
,
R
L
= 1.9k
(2,4)
（图11）
5,000
5,000
50,000
50,000
|厘米
L
|
共模
瞬态抗扰度在
逻辑低
所有
5,000
35,000
V / μs的
5,000
35,000
V / μs的
**所有标准结构在T
A
= 25°C
隔离特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
符号
I
我-O
特征
输入输出
绝缘泄漏
当前
绝缘耐压
测试电压
阻力
（输入到输出）
电容
（输入到输出）
测试条件
相对湿度= 45％ ，
T
A
= 25 ° C，T = 5秒，
V
我-O
= 3000VDC
(5)
F = 60Hz的，T
A
= 25°C,
吨= 1分钟。
(5)
V
我-O
= 500V直流
(5)
F = 1MHz的
(5)
设备
所有
分钟。
典型值。 **
马克斯。
1.0
单位
A
V
ISO
FOD050L
FOD053L
FOD250L
所有
所有
2500
5000
10
11
10
12
0.2
V
RMS
R
我-O
C
我-O
pF
注意事项：
2. 1.9K
负载代表1.6毫安和5.6K 1 TTL单位负载
上拉电阻。
3. 4.1k
负载代表0.36毫安和6.1k 1 LSTTL单位负载
上拉电阻。
在逻辑高电平4.共模瞬态抗扰度是最大容许（正）DV
cm
/ DT中处于领先地位
共模脉冲信号V边
CM
，以保证输出将保持在逻辑高状态
（即，V
O
> 2.0V ） 。在逻辑低电平共模瞬变抗扰度是最大容忍的（负面）
dV
cm
/ dt的对共模脉冲信号V的后缘
CM
，以保证该输出将保持在一个
逻辑低状态（即，V
O
< 0.8V ） 。
5.设备被认为是一个双端器件：引脚1，2， 3和4被短接在一起，并销5 ，6，7和8是
短接在一起。
4
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
典型性能曲线
图。 1 LED正向电流与正向电压
100
1.3
V
O
= 0.4V
V
CC
= 3.3V
归一
I
F
= 16毫安，T
A
= 25°C
图。 2电流传输比与正向电流
（ FOD050L ， FOD053L ）
1.2
电流传输比（归）
10
I
F
- 正向电流（mA ）
T
A
= 85°C
1
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 0°C
T
A
= -40°C
1.1
T
A
= 70°C
T
A
= 85°C
1.0
T
A
= 25°C
0.1
0.9
T
A
= 0C°C
0.8
0.01
0.7
T
A
= -40°C
0.001
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
0.6
0
5
10
15
20
25
V
F
- 正向电压（ V）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3电流传输比与输入正向电流
(FOD250L)
1.4
1.3
图。 4电流传输比与环境温度
1.6
1.6
V
O
= 0.4V
V
CC
= 3.3V
T
A
= 85°C
T
A
= 70°C
归一
I
F
= 16毫安，T
A
= 25°C
1.4
电流传输比（归）
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
电流传输比（归）
I
F
= 16毫安
V
O
= 0.4V
V
CC
= 3.3V
归一化到T
A
= 25°C
1.4
T
A
= 25°C
1.0
1.0
0.8
0.8
T
A
= 0°C
0.6
0.6
0.4
0.4
T
A
= -40°C
0.6
0.5
0
5
10
15
20
25
0.2
0.2
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0.0
I
F
- 正向电流（mA ）
T
A
- 环境温度（ ° C）
图。 5输出电流和输出电压
12
图6.逻辑高输出电流与环境温度
10
T
A
= 25°C
V
CC
= 3.3V
V
O
= V
CC
= 3.3V
I
F
= 0
I
O
- 输出电流（mA ）
I
F
= 25毫安
8
I
OH
- 逻辑高电平输出电流（ NA）
10
1
20mA
6
15mA
4
0.1
10mA
2
5mA
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0.01
-40
-20
0
20
40
60
80
100
V
O
- 输出电压（V ）
T
A
- 环境温度（ C）
5
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
LED
= 1毫安
1.2
1.2
LVTTL / LVCMOS 3.3V
高速晶体管
光电耦合器
单通道： FOD050L
双通道：
FOD053L
包
FOD250L
概要
N / C 1
8 V
CC
+ 1
V
F1
8 V
CC
8
1
+ 2
V
F
_
3
6 V
O
7 V
B
_
2
7 V
01
_
V
3
6 V
02
F2
8
1
8
1
N / C 4
5 GND
+ 4
5 GND
FOD050L ， FOD250L
FOD053L
描述
该FOD250L ， FOD050L和FOD053L光耦合器组成的AlGaAs LED光学耦合到一个高的
高速光电检测器晶体管。这些器件在3.3V电源电压特定网络编辑操作。
真值表
LED
On
关闭
V
O
低
高
为光电二极管的偏压一个单独的连接数量级以上常规几个数量提高了速度
光电晶体管的光电耦合器通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容。
内部噪音屏蔽提供卓越共模抑制CM的
H
= 50kV的/毫秒（典型值）和CM
L
- 的35kV / ms（典型值） 。
特点
低功耗
高速
可在单通道8引脚DIP （ FOD250L ） ， 8引脚SOIC （ FOD050L ）或双通道8引脚SOIC （ FOD053L ）
高级CMR - CM
H
= 50kV的/ μs（典型值）和CM
L
- 的35kV / μs（典型值）
保证性能随温度： 0 ° C至70℃
U.L.认可（文件＃ E90700 ）
VDE PENDING
应用
线接收器
脉冲变压器更换
高速逻辑接地隔离： LVTTL / LVCMOS
宽带耦合模拟
2004仙童半导体公司
分页： 13 1
6/14/04
LVTTL / LVCMOS 3.3V
高速晶体管
光电耦合器
单通道： FOD050L
双通道：
FOD053L
FOD250L
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度（波峰焊专用）
辐射源
DC /平均正向电流输入
正向峰值输入电流（占空比为50％ ， 1毫秒PW ）
每个通道
峰值瞬态输入电流 - （
≤
1微秒P.W. ， 300 ，PPS）
每个通道
反向输入电压
输入功率耗散（无需高达85°C降额）
探测器
平均输出电流
峰值输出电流
发射极 - 基反向电压
电源电压
输出电压
基极电流
输出功率耗散（无需高达85°C降额）
（仅FOD050L ， FOD250L ）
每个通道
每个通道
每个通道
（仅FOD050L ， FOD250L ）
I
O
（ AVG）
I
O
（ PK）
V
EBR
V
CC
V
O
I
B
P
D
8
16
5
-0.5 7
-0.5 7
5
100
mA
mA
V
V
V
mA
mW
每个通道
每个通道
每个通道
I
F
（ AVG）
I
F
（ PK）
I
F
（反式）
V
R
P
D
25
50
1.0
5
45
mA
mA
A
V
mW
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
价值
-40到+125
-40至+85
260 ，持续10秒
单位
°C
°C
°C
2004仙童半导体公司
分页： 13 2
6/14/04
LVTTL / LVCMOS 3.3V
高速晶体管
光电耦合器
单通道： FOD050L
双通道：
FOD053L
FOD250L
开关特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编，V
CC
= 3.3 V)
参数
传播延迟
时间逻辑低
传播延迟
时间逻辑高
共模
短暂
在免疫力
逻辑高
共模
短暂
在免疫力
逻辑低
**所有标准结构在T
A
= 25°C
测试条件
(R
L
= 1.9 k
, I
F
= 16 mA）的（注2） （图10）
(R
L
= 1.9 k
, I
F
= 16 mA）的（注2） （图10）
25°C
25°C
符号
T
PHL
T
PLH
设备
所有
所有
所有
|厘米
H
|
所有
5,000
50,000
—
V / μs的
民
—
—
—
—
5,000
典型**
—
—
—
—
50,000
最大单位
1.0
2.0
1.0
2.0
—
s
s
V / μs的
(I
F
= 0 mA时，V
CM
= 1,000 V
P-P
, R
L
= 4.1 k
)
（注3,4） （图11 ）笔
A
= 25°C
(I
F
= 0 mA时，V
CM
= 1,000 V
P-P
)
T
A
= 25 ℃， （注册商标
L
= 1.9 k)
（注2,4） （图11）
(I
F
= 16 mA时， V
CM
= 1,000 V
P-P
, R
L
= 4.1 k)
（注3,4） （图11 ）笔
A
= 25°C
(I
F
= 16 mA时， V
CM
= 1,000 V
P-P
) (R
L
= 1.9 k)
（注2,4） （图11）
所有
|厘米
L
|
所有
5,000
5,000
35,000
35,000
—
—
V / μs的
V / μs的
隔离特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
特征
输入输出
绝缘泄漏
当前
绝缘耐压
测试电压
阻力
（输入到输出）
电容
（输入到输出）
测试条件
（相对湿度= 45％）
(T
A
= 25 ℃， T = 5秒）
(V
我-O
= 3000 VDC ）
（注5 ）
（ F = 60赫兹，T
A
= 25°C)
（注5） （吨= 1分钟）
（注5） （Ⅴ
我-O
= 500 VDC）
（注5）中（f = 1 MHz）的
符号
设备
民
典型**
最大
单位
I
我-O
所有
—
—
1.0
A
V
ISO
FOD050L
FOD053L
FOD250L
2500
5000
10
11
—
—
—
10
12
0.2
—
—
—
—
V
RMS
pF
R
我-O
C
我-O
所有
所有
笔记
1.电流传递比是德音响定义为输出集电极电流的比率，我
O
到正向LED的输入电流，我
F
乘以100％。
2. 1.9
负载代表了1.6 mA和5.6 K 1 TTL单位负载
上拉电阻。
3. 4.1
负载代表0.36 mA和6.1k 1 LSTTL单位负载
上拉电阻。
在逻辑高电平4.共模瞬态抗扰度是最大容许（正）DV
cm
/ DT上的领先优势
共模脉冲信号V
CM
，以保证该输出将保持在逻辑高状态（也就是，V
O
>2.0 V） 。共模
在逻辑低电平瞬态抗扰度是最大耐受（负）DV
cm
/ dt值的共模的后缘
脉冲信号V
CM
，以保证该输出将保持在逻辑低状态（也就是，V
O
<0.8 V） 。
5.设备被认为是一个双端器件：引脚1，2， 3和4被短接在一起，并销5 ，图6，图7和8被短
在一起。
I
2004仙童半导体公司
第13 4
6/14/04
QQ：2880707522 复制
