低输入电流
逻辑门光电耦合器
FOD2200
描述
该FOD2200是光学耦合逻辑门相结合的AlGaAs LED
并集成高增益光检测器。该检测器具有三态
输出级，并与滞后的检测阈值。这三个国家
输出省去了一个上拉电阻和允许的直接驱动
数据总线。滞后提供了差模噪声抑制能力和
消除了输出信号震颤的潜力。
该FOD2200的电气和开关特性都保证
在0 ℃至85 ℃， V中的温度范围
CC
4.5伏至20范围内
伏。我低
F
宽V
CC
范围允许与TTL ， LSTTL兼容，并
CMOS逻辑电路和结果在较低的功耗相比于其它高
高速光耦合器。逻辑信号与一个最大propaga-发送
300纳秒化延迟。该FOD2200是隔离的高速逻辑电路
接口，缓冲的输入和输出线，并实施孤立线
接收器在高噪声环境。
8
1
8
1
8
1
特点
1千伏/μs的最小共模
拒绝
兼容LSTTL ，TTL和CMOS
逻辑
宽V
CC
范围（ 4.5 20V）
2.5万桶温度范围内保证
低输入电流（1.6 mA）的
三态输出（无拉电阻
必需）
保证在0 ° C至85°C的性能
=迟滞
安全认证待定 - UL， CSA ， VDE
V
ISO
= 5kVRMS
应用
高速逻辑系统隔离
电脑外设接口
微处理器系统接口
消除接地环路
脉冲变压器更换
隔离巴斯驱动
高速线路接收器
NC 1
阳极2
阴极3
NC 4
8 V
CC
7 V
O
6 V
E
5 GND
盾
概要
I
CC
8
I
F
+
V
F
–
2
I
E
3
盾
6
5
I
O
7
V
CC
V
O
V
E
GND
真值表（正逻辑）
LED
On
关闭
On
关闭
启用
H
H
L
L
产量
Z
Z
H
L
2004仙童半导体公司
第14页1
7/7/04
低输入电流
逻辑门光电耦合器
FOD2200
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度（ 1.6毫米座位下方
平面）
辐射源
峰值瞬态输入电流（
≤
1μs的PW ， 300 ，PPS）
平均正向电流输入
反向输入电压
输出功率耗散
（无需降额高达85° C）
探测器
电源电压
平均输出电流
三态使能电压
输出电压
输出功率耗散
（无需降额高达85° C）
V
CC
I
O
V
E
V
O
P
D
0-20
25
-0.5到20
-0.5到20
150
V
mA
V
V
mW
I
F（ PK ）
I
F
V
R
P
D
1.0
10
5.0
45
A
mA
V
mW
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
价值
-40到+125
-40至+85
260 ，持续10秒
单位
°C
°C
°C
推荐工作条件
参数
正向输入电流
正向输入电流
电源电压，输出
开启电压，低级别
开启电压，高级别
工作温度
扇出（ TTL负载）
符号
I
F（上）
I
F（关闭）
V
CC
V
EL
V
EH
T
A
N
4.5
0
2.0
0
民
1.6*
最大
5
0.1
20
0.8
20
+85
4
单位
mA
mA
V
V
V
°C
*最初的切换阈值是1.6毫安或更少。因此建议2.2毫安可以用于允许至少20 ％的点击率劣化
保护带。
2004仙童半导体公司
第14页2
7/7/04
低输入电流
逻辑门光电耦合器
FOD2200
电气特性
(T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 4.5V至20V ，我
F（上）
= 1.6毫安至5mA
V
EH
= 2V至20V ，V
EL
= 0V至0.8V ，我
F（关闭）
= 0 mA至0.1毫安除非另有规定编）见注1 。
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
输入反向击穿电压
输入电容
输入二极管温度COEF网络cient
探测器
高水平的电源电流
低电平电源电流
低电平使电流
高级别使电流
高级别启用电压
低电平使能电压
测试条件
符号
民
典型**
1.40
5.0
60
-1.4
3.5
4.0
4.4
5.2
-0.1
4.5
6.0
6.0
7.5
-0.32
20
100
250
0.8
最大
1.75
1.7
单位
V
V
pF
毫伏/°C的
(I
F
= 5 mA）的
V
F
T
A
=25°C
(I
R
= 10 A)
B
VR
（引脚2 & 3 ）（V
F
= 0中，f = 1 MHz）的
C
IN
(I
F
= 5 mA）的
VF /
TA
(I
F
= 5 mA）的V
CC
= 5.5V
(I
O
=打开，V
E
=无关）V
CC
= 20V
(I
F
= 0 ) V
CC
= 5.5V
(I
O
=打开，V
E
=无关）V
CC
= 20V
V
E
= 0.4 V
V
E
= 2.7 V
V
E
= 5.5 V
V
E
= 20 V
I
CCH
I
CCL
I
EL
I
EH
0.005
V
EH
V
EL
2.0
mA
mA
mA
A
V
V
开关特性
(T
A
= 0 ° C至+ 85 ° C，I
F（上）
= 1.6毫安至5mA我
F（关闭）
= 00.1毫安，
V
CC
= 4.5 20V ，除非另有规定编）
AC特性
传播延迟时间
到输出高电平
传播延迟时间
到输出低电平
测试条件符号
（注2,4）
（图1），随着峰值电容
（注3,4）
（图1），随着峰值电容
（注5）（图1）
（注6）（图1）的
T
PLH
T
PHL
t
r
t
f
t
PZH
t
PZL
T
PHZ
T
PLZ
|厘米
H
|
1000
民
典型**
120
180
80
25
40
50
95
80
最大
300
300
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V / μs的
输出上升时间（ 10-90 ％ ）
输出下降时间（ 90-10 ％ ）
使传播延迟时间
（图2）
到输出高电平
使传播延迟时间
（图2）
到输出低电平
关闭传播延迟时间从输出高电平
（图2）
关闭传播延迟时间从输出低电平
（图2）
共模
(T
A
=25°C)
瞬态抗扰度
(I
F
= 1.6毫安， V
OH
（分钟） = 2.0 V） | V
CM
| = 50 V
（在输出高电平）
V
CC
= 5V （注7）（图3）的
共模
(T
A
=25°C)
瞬态抗扰度
(I
F
= 0 mA时，V
OL
（最大值） = 0.8 V） | V
CM
| = 50 V
V
CC
= 5V （注8）（图3）的
（在输出低电平）
在T **典型值
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V ，我
F（上）
= 3毫安除非另有规定ED 。
2004仙童半导体公司
|厘米
L
|
1000
V / μs的
第14页3
7/7/04
低输入电流
逻辑门光电耦合器
FOD2200
传输特性
(T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 4.5V至20V ，我
F（上）
= 1.6毫安至5mA
V
EH
= 2V至20V ，V
EL
= 0V至0.8V ，我
F（关闭）
= 0mA至0.1毫安除非另有规定编）见注1 。
DC特性
输出漏电流（V
OUT
＆ GT ; V
CC
)
低电平输出电压
输入阈值电流
逻辑高输出电压
测试条件符号
(V
CC
= 4.5 V) V
O
= 5.5V
(I
F
= 5 mA）的V
O
= 20V
(V
CC
= 4.5 V，I
F
= 0 mA时）
(V
E
= 0.4 V，I
OL
= 6.4毫安） （注2 ）
(V
CC
= 4.5 V, V
O
= 0.5 V,
V
E
= 0.4 V，I
OL
= 6.4毫安）
I
OH
= -2.6毫安
V
O
= 0.4 V, V
EN
= 2 V，I
F
= 5毫安
高阻态输出电流
V
O
= 2.4 V, V
EN
= 2 V，I
F
= 5毫安
V
O
= 5.5 V, V
EN
= 2 V，I
F
= 5毫安
V
O
= 20 V, V
EN
= 2 V，I
F
= 5毫安
逻辑低短路输出电流
注10
逻辑高电平短路输出电流
注10
输入电流迟滞
V
O
= V
CC
= 5.5 V，I
F
= 0毫安
V
O
= V
CC
= 20 V，I
F
= 0毫安
V
CC
= 5.5 V，I
F
= 5毫安， V
O
= GND
V
CC
= 20 V，I
F
= 5毫安， V
O
= GND
V
CC
= 4.5 V
I
OSL
I
职业安全与卫生
I
HYS
25
40
-10
-25
0.03
I
OZH
I
OHH
V
OL
I
FT
V
OH
I
OZL
2.4
V
CC
-1.8
-20
20
100
500
民
典型**
2.0
2.5
0.33
最大
100
500
0.5
1.6
单位
A
V
mA
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
隔离特性
(T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C除非另有规定编）
特征
耐压绝缘测试电压
电阻（输入到输出）
电容（输入输出）
测试条件
(R
H
< 50％ ，T
A
= 25°C)
T = 1分（注9 ）
(V
我-O
= 500 VDC） （注9 ）
(V
我-O
= 0V中，f = 1兆赫）（注9）
符号
V
ISO
R
我-O
C
我-O
民
5000
10
12
0.6
典型**
最大
单位
V
RMS
pF
在T **典型值
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V ，我
F（上）
= 3毫安除非另有说明。
2004仙童半导体公司
第14页4
7/7/04
低输入电流
逻辑门光电耦合器
FOD2200
笔记
1. V
CC
供应到每个光隔离器必须通过一个0.1μF的电容或更大的旁路。这可以是一种陶瓷或固体
钽电容器具有良好的高频特性，并应连接尽可能接近到包V
CC
以及GND的每个设备的。
2. t
PLH
- 传播延迟是从50 ％的水平上测量的低输入电流脉冲的到高的跳变
在低输出电压脉冲的高转换电平为1.3V 。
3. t
PHL
- 传播延迟是从50 ％的水平上测量高到所述输入电流脉冲的1.3V低的跳变
在高输出电压脉冲的低电平变化程度。
4.当省略了峰化电容器，传播延迟时间可通过100ns的增加。
5. t
r
- 上升时间是从10 ％开始，到90 ％的水平就低，以输出脉冲的高电平跳变。
6. t
f
- 下降时间是从90 ％开始，到10％的水平上的高到输出脉冲的低电平过渡。
7. CM
H
- 秋共模电压，以确保输出的最大容许速度将保持在高状态（也就是
V
OUT
＆ GT ; 2.0 V） 。
8. CM
L
- 共模电压，以确保输出的上升，最大可耐受的速度将保持在低状态（也就是
V
OUT
< 0.8V） 。
9.设备认为是一个双端器件：引脚1,2,3和4短接在一起，并且引脚5,6,7和8短接在一起。
输出短路时间10时长不得超过10毫秒。
2004仙童半导体公司
第14页5
7/7/04
低输入电流
逻辑门光电耦合器
FOD2200
描述
该FOD2200是光学耦合逻辑门相结合的AlGaAs LED
并集成高增益光检测器。该检测器具有三态
输出级，并与滞后的检测阈值。这三个国家
输出省去了一个上拉电阻和允许的直接驱动
数据总线。滞后提供了差模噪声抑制能力和
消除了输出信号震颤的潜力。
该FOD2200的电气和开关特性都保证
在0 ℃至85 ℃， V中的温度范围
CC
4.5伏至20范围内
伏。我低
F
宽V
CC
范围允许与TTL ， LSTTL兼容，并
CMOS逻辑电路和结果在较低的功耗相比于其它高
高速光耦合器。逻辑信号与一个最大propaga-发送
300纳秒化延迟。该FOD2200是隔离的高速逻辑电路
接口，缓冲的输入和输出线，并实施孤立线
接收器在高噪声环境。
8
1
8
1
8
1
特点
1千伏/μs的最小共模
拒绝
兼容LSTTL ，TTL和CMOS
逻辑
宽V
CC
范围（ 4.5 20V）
2.5万桶温度范围内保证
低输入电流（1.6 mA）的
三态输出（无拉电阻
必需）
保证在0 ° C至85°C的性能
=迟滞
安全认证待定 - UL， CSA ， VDE
V
ISO
= 5kVRMS
应用
高速逻辑系统隔离
电脑外设接口
微处理器系统接口
消除接地环路
脉冲变压器更换
隔离巴斯驱动
高速线路接收器
NC 1
阳极2
阴极3
NC 4
8 V
CC
7 V
O
6 V
E
5 GND
盾
概要
I
CC
8
I
F
+
V
F
–
2
I
E
3
盾
6
5
I
O
7
V
CC
V
O
V
E
GND
真值表（正逻辑）
LED
On
关闭
On
关闭
启用
H
H
L
L
产量
Z
Z
H
L
2004仙童半导体公司
第14页1
7/7/04
低输入电流
逻辑门光电耦合器
FOD2200
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度（ 1.6毫米座位下方
平面）
辐射源
峰值瞬态输入电流（
≤
1μs的PW ， 300 ，PPS）
平均正向电流输入
反向输入电压
输出功率耗散
（无需降额高达85° C）
探测器
电源电压
平均输出电流
三态使能电压
输出电压
输出功率耗散
（无需降额高达85° C）
V
CC
I
O
V
E
V
O
P
D
0-20
25
-0.5到20
-0.5到20
150
V
mA
V
V
mW
I
F（ PK ）
I
F
V
R
P
D
1.0
10
5.0
45
A
mA
V
mW
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
价值
-40到+125
-40至+85
260 ，持续10秒
单位
°C
°C
°C
推荐工作条件
参数
正向输入电流
正向输入电流
电源电压，输出
开启电压，低级别
开启电压，高级别
工作温度
扇出（ TTL负载）
符号
I
F（上）
I
F（关闭）
V
CC
V
EL
V
EH
T
A
N
4.5
0
2.0
0
民
1.6*
最大
5
0.1
20
0.8
20
+85
4
单位
mA
mA
V
V
V
°C
*最初的切换阈值是1.6毫安或更少。因此建议2.2毫安可以用于允许至少20 ％的点击率劣化
保护带。
2004仙童半导体公司
第14页2
7/7/04
低输入电流
逻辑门光电耦合器
FOD2200
电气特性
(T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 4.5V至20V ，我
F（上）
= 1.6毫安至5mA
V
EH
= 2V至20V ，V
EL
= 0V至0.8V ，我
F（关闭）
= 0 mA至0.1毫安除非另有规定编）见注1 。
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
输入反向击穿电压
输入电容
输入二极管温度COEF网络cient
探测器
高水平的电源电流
低电平电源电流
低电平使电流
高级别使电流
高级别启用电压
低电平使能电压
测试条件
符号
民
典型**
1.40
5.0
60
-1.4
3.5
4.0
4.4
5.2
-0.1
4.5
6.0
6.0
7.5
-0.32
20
100
250
0.8
最大
1.75
1.7
单位
V
V
pF
毫伏/°C的
(I
F
= 5 mA）的
V
F
T
A
=25°C
(I
R
= 10 A)
B
VR
（引脚2 & 3 ）（V
F
= 0中，f = 1 MHz）的
C
IN
(I
F
= 5 mA）的
VF /
TA
(I
F
= 5 mA）的V
CC
= 5.5V
(I
O
=打开，V
E
=无关）V
CC
= 20V
(I
F
= 0 ) V
CC
= 5.5V
(I
O
=打开，V
E
=无关）V
CC
= 20V
V
E
= 0.4 V
V
E
= 2.7 V
V
E
= 5.5 V
V
E
= 20 V
I
CCH
I
CCL
I
EL
I
EH
0.005
V
EH
V
EL
2.0
mA
mA
mA
A
V
V
开关特性
(T
A
= 0 ° C至+ 85 ° C，I
F（上）
= 1.6毫安至5mA我
F（关闭）
= 00.1毫安，
V
CC
= 4.5 20V ，除非另有规定编）
AC特性
传播延迟时间
到输出高电平
传播延迟时间
到输出低电平
测试条件符号
（注2,4）
（图1），随着峰值电容
（注3,4）
（图1），随着峰值电容
（注5）（图1）
（注6）（图1）的
T
PLH
T
PHL
t
r
t
f
t
PZH
t
PZL
T
PHZ
T
PLZ
|厘米
H
|
1000
民
典型**
120
180
80
25
40
50
95
80
最大
300
300
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V / μs的
输出上升时间（ 10-90 ％ ）
输出下降时间（ 90-10 ％ ）
使传播延迟时间
（图2）
到输出高电平
使传播延迟时间
（图2）
到输出低电平
关闭传播延迟时间从输出高电平
（图2）
关闭传播延迟时间从输出低电平
（图2）
共模
(T
A
=25°C)
瞬态抗扰度
(I
F
= 1.6毫安， V
OH
（分钟） = 2.0 V） | V
CM
| = 50 V
（在输出高电平）
V
CC
= 5V （注7）（图3）的
共模
(T
A
=25°C)
瞬态抗扰度
(I
F
= 0 mA时，V
OL
（最大值） = 0.8 V） | V
CM
| = 50 V
V
CC
= 5V （注8）（图3）的
（在输出低电平）
在T **典型值
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V ，我
F（上）
= 3毫安除非另有规定ED 。
2004仙童半导体公司
|厘米
L
|
1000
V / μs的
第14页3
7/7/04
低输入电流
逻辑门光电耦合器
FOD2200
传输特性
(T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 4.5V至20V ，我
F（上）
= 1.6毫安至5mA
V
EH
= 2V至20V ，V
EL
= 0V至0.8V ，我
F（关闭）
= 0mA至0.1毫安除非另有规定编）见注1 。
DC特性
输出漏电流（V
OUT
＆ GT ; V
CC
)
低电平输出电压
输入阈值电流
逻辑高输出电压
测试条件符号
(V
CC
= 4.5 V) V
O
= 5.5V
(I
F
= 5 mA）的V
O
= 20V
(V
CC
= 4.5 V，I
F
= 0 mA时）
(V
E
= 0.4 V，I
OL
= 6.4毫安） （注2 ）
(V
CC
= 4.5 V, V
O
= 0.5 V,
V
E
= 0.4 V，I
OL
= 6.4毫安）
I
OH
= -2.6毫安
V
O
= 0.4 V, V
EN
= 2 V，I
F
= 5毫安
高阻态输出电流
V
O
= 2.4 V, V
EN
= 2 V，I
F
= 5毫安
V
O
= 5.5 V, V
EN
= 2 V，I
F
= 5毫安
V
O
= 20 V, V
EN
= 2 V，I
F
= 5毫安
逻辑低短路输出电流
注10
逻辑高电平短路输出电流
注10
输入电流迟滞
V
O
= V
CC
= 5.5 V，I
F
= 0毫安
V
O
= V
CC
= 20 V，I
F
= 0毫安
V
CC
= 5.5 V，I
F
= 5毫安， V
O
= GND
V
CC
= 20 V，I
F
= 5毫安， V
O
= GND
V
CC
= 4.5 V
I
OSL
I
职业安全与卫生
I
HYS
25
40
-10
-25
0.03
I
OZH
I
OHH
V
OL
I
FT
V
OH
I
OZL
2.4
V
CC
-1.8
-20
20
100
500
民
典型**
2.0
2.5
0.33
最大
100
500
0.5
1.6
单位
A
V
mA
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
隔离特性
(T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C除非另有规定编）
特征
耐压绝缘测试电压
电阻（输入到输出）
电容（输入输出）
测试条件
(R
H
< 50％ ，T
A
= 25°C)
T = 1分（注9 ）
(V
我-O
= 500 VDC） （注9 ）
(V
我-O
= 0V中，f = 1兆赫）（注9）
符号
V
ISO
R
我-O
C
我-O
民
5000
10
12
0.6
典型**
最大
单位
V
RMS
pF
在T **典型值
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V ，我
F（上）
= 3毫安除非另有说明。
2004仙童半导体公司
第14页4
7/7/04
低输入电流
逻辑门光电耦合器
FOD2200
笔记
1. V
CC
供应到每个光隔离器必须通过一个0.1μF的电容或更大的旁路。这可以是一种陶瓷或固体
钽电容器具有良好的高频特性，并应连接尽可能接近到包V
CC
以及GND的每个设备的。
2. t
PLH
- 传播延迟是从50 ％的水平上测量的低输入电流脉冲的到高的跳变
在低输出电压脉冲的高转换电平为1.3V 。
3. t
PHL
- 传播延迟是从50 ％的水平上测量高到所述输入电流脉冲的1.3V低的跳变
在高输出电压脉冲的低电平变化程度。
4.当省略了峰化电容器，传播延迟时间可通过100ns的增加。
5. t
r
- 上升时间是从10 ％开始，到90 ％的水平就低，以输出脉冲的高电平跳变。
6. t
f
- 下降时间是从90 ％开始，到10％的水平上的高到输出脉冲的低电平过渡。
7. CM
H
- 秋共模电压，以确保输出的最大容许速度将保持在高状态（也就是
V
OUT
＆ GT ; 2.0 V） 。
8. CM
L
- 共模电压，以确保输出的上升，最大可耐受的速度将保持在低状态（也就是
V
OUT
< 0.8V） 。
9.设备认为是一个双端器件：引脚1,2,3和4短接在一起，并且引脚5,6,7和8短接在一起。
输出短路时间10时长不得超过10毫秒。
2004仙童半导体公司
第14页5
7/7/04
FOD2200 - 低输入电流逻辑门光电耦合器
2008年8月
FOD2200
低输入电流逻辑门光电耦合器
特点
■
千伏/μs的最小共模抑制
■
兼容LSTTL ，TTL和CMOS逻辑
■
宽V
CC
范围（ 4.5V至20V ）
■
2.5Mbd保证在温度
■
低输入电流（ 1.6毫安）
■
三态输出（无需上拉电阻）
■
保证性能，从0 ° C至85°C
■
迟滞
■
安全认证正在申请 - UL ， CSA ， VDE
■
V
ISO
= 5kVRMS
描述
该FOD2200是光学耦合逻辑门，它
结合的AlGaAs发光二极管和一个集成的高增益
光电探测器。该检测器具有三态输出
舞台和具有滞后的检测阈值。该
三态输出，无需上拉电阻
器，并允许数据总线的直接驱动。该hyster-
ESIS提供差模噪声抑制能力和
消除了输出信号震颤的潜力。
的电气和开关特性
FOD2200都保证在温度范围
0℃至85 ℃，并为V
CC
范围4.5V至20V的。我低
F
和
宽V
CC
范围允许与TTL ， LSTTL兼容，并
的CMOS在低功耗逻辑和结果
相比于其他高速光耦合器。逻辑
信号与一个最大传播发送
延迟为300ns的。该FOD2200是隔离高有用
高速逻辑接口，输入和输出缓冲
线，以及在高执行隔离线路接收器
噪声环境。
应用
■
高速逻辑系统隔离
■
电脑外设接口
■
微处理器系统接口
■
消除接地环路
■
脉冲变压器更换
■
隔离总线驱动器
■
高速线路接收器
真值表
（正逻辑）
LED
On
关闭
On
关闭
启用
H
H
L
L
产量
Z
Z
H
L
功能框图及电路图
I
CC
NC 1
阳极2
阴极3
NC 4
8 V
CC
7 V
O
6 V
E
5 GND
包装纲要
V
CC
8
1
8
I
F
+
V
F
–
2
I
E
3
盾
6
5
I
O
7
V
O
V
E
GND
8
1
8
1
盾
2004仙童半导体公司
FOD2200版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
FOD2200 - 低输入电流逻辑门光电耦合器
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
辐射源
I
F（ PK ）
I
F
V
R
P
D
探测器
V
CC
I
O
V
E
V
O
P
D
电源电压
平均输出电流
储存温度
工作温度
参数
价值
-40到+125
-40至+85
260 ，持续10秒
1.0
10
5.0
45
0-20
25
-0.5到20
-0.5到20
150
单位
°C
°C
°C
A
mA
V
mW
V
mA
V
V
mW
无铅焊锡温度（ 1.6毫米低于飞机座位）
峰值瞬态输入电流（
≤
1μs的PW ， 300pps ）
平均正向电流输入
反向输入电压
输出功率耗散（无需高达85°C降额）
三态使能电压
输出电压
输出功率耗散（无需高达85°C降额）
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件是特定网络版，以确保最佳性能达到数据表特定网络阳离子。飞兆半导体不
建议超过或设计，以绝对最大额定值。
符号
I
F（上）
I
F（关闭）
V
CC
V
EL
V
EH
T
A
N
参数
正向输入电流
正向输入电流
电源电压，输出
开启电压，低级别
开启电压，高级别
工作温度
扇出（ TTL负载）
分钟。
1.6*
4.5
0
2.0
0
马克斯。
5
0.1
20
0.8
20
+85
4
单位
mA
mA
V
V
V
°C
*最初的切换阈值是1.6毫安或更少。所以建议2.2毫安可以用于允许至少20％的
CTR退化保护带。
2004仙童半导体公司
FOD2200版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
2
FOD2200 - 低输入电流逻辑门光电耦合器
电气特性
（续）
传输特性
(T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 4.5V至20V ，我
F（上）
= 1.6毫安至5mA V
EH
= 2V至20V ，
V
EL
= 0V至0.8V ，我
F（关闭）
= 0mA至0.1毫安除非另有规定编）
(1)
符号
I
OHH
V
OL
I
FT
V
OH
I
OZL
I
OZH
DC特性
输出漏电流
(V
OUT
＆ GT ; V
CC
)
低电平输出电压
输入阈值电流
逻辑高输出电压
高阻抗状态
输出电流
高阻抗状态
输出电流
测试条件
V
CC
= 4.5V ，我
F
= 5毫安
V
O
= 5.5V
V
O
= 20V
V
CC
= 4.5 V，I
F
= 0毫安，V
E
= 0.4 V,
I
OL
= 6.4毫安
(2)
V
CC
= 4.5V, V
O
= 0.5V, V
E
= 0.4V,
I
OL
= 6.4毫安
I
OH
= -2.6mA
V
O
= 0.4V, V
EN
= 2V ，我
F
= 5毫安
V
O
= 2.4 V, V
EN
= 2 V，I
F
= 5毫安
V
O
= 5.5 V, V
EN
= 2 V，I
F
= 5毫安
V
O
= 20 V, V
EN
= 2 V，I
F
= 5毫安
V
O
= V
CC
= 5.5V ，我
F
= 0毫安
V
O
= V
CC
= 20V ，我
F
= 0毫安
V
CC
= 5.5V ，我
F
= 5毫安，V
O
= GND
V
CC
= 20V ，我
F
= 5毫安，V
O
= GND
V
CC
= 4.5V
分钟。
TYP 。 *
2.0
2.5
0.33
马克斯。
100
500
0.5
1.6
单位
A
V
mA
V
2.4
V
CC
– 1.8
-20
20
100
500
A
A
I
OSL
I
职业安全与卫生
I
HYS
逻辑低短路
输出电流
(10)
逻辑高短路
输出电流
(10)
输入电流迟滞
25
40
-10
-25
0.03
mA
mA
mA
隔离特性
(T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，除非另有规定编）
符号
V
ISO
R
我-O
C
我-O
特征
耐压绝缘测试电压
电阻（输入到输出）
电容（输入输出）
测试条件
R
H
< 50％ ，T
A
= 25 ℃， t为1分钟。
(9)
V
我-O
= 500 VDC
(9)
V
我-O
= 0V ， F = 1MHz的
(9)
分钟。
5000
TYP 。 *
10
12
0.6
马克斯。
单位
V
RMS
pF
*在T典型值
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V ，我
F（上）
= 3毫安除非另有说明。
注意事项：
1. V
CC
供应到每个光隔离器必须通过一个0.1μF的电容或更大的旁路。这可以是一种陶瓷
或固体钽电容器具有良好的高频特性，并应连接尽可能接近
到包V
CC
以及GND的每个设备的。
2. t
PLH
- 传播延迟是从50 ％的水平上测量的低输入电流脉冲的高电平转换
上的低的1.3V电平的输出电压脉冲的高电平的过渡。
3. t
PHL
- 传播延迟是从50 ％的水平上测量高到输入电流脉冲的低电平跃迁
上的高输出电压脉冲的低电平跃迁的1.3V电平。
4.当省略了峰化电容器，传播延迟时间可通过100ns的增加。
5. t
r
- 上升时间是从10 ％开始，到90 ％的水平就低，以输出脉冲的高电平跳变。
6. t
f
- 下降时间是从90 ％开始，到10％的水平上的高到输出脉冲的低电平过渡。
7. CM
H
- 秋共模电压，以确保输出的最大容许速度将保持在高
状态（即，V
OUT
> 2.0V ） 。
8. CM
L
- 共模电压，以确保输出的上升，最大可容忍率将保持在低
状态（即，V
OUT
< 0.8V ） 。
9.设备认为是一个双端器件：引脚1 ，2，3和4短接在一起，并且销5 ，6，7和8短接在一起。
输出短路时间10时长不得超过10毫秒。
2004仙童半导体公司
FOD2200版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
