FOD050L ， FOD250L ， FOD053L - LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
2008年8月
FOD050L ， FOD250L ：单通道
FOD053L ：双通道
LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
特点
■
低功耗
■
高速
■
可在单通道8引脚DIP （ FOD250L ）
描述
该FOD250L ， FOD050L和FOD053L光电耦合器
组成的AlGaAs的LED光学耦合到一个高
高速光电检测器晶体管。这些器件试样
网络连接编为工作在3.3V电源电压。
为光电二极管的偏压一个单独的连接
由大小超过几个数量提高了速度
常规
光电晶体管的光电耦合器通过减小基线
输入晶体管的集电极电容。
内部噪音屏蔽提供卓越共
模抑制CM的
H
= 50kV的/毫秒（典型值）和CM
L
=
的35kV / ms（典型值） 。
■
■
■
■
8引脚SOIC （ FOD050L ）或双通道8引脚SOIC
(FOD053L)
高级CMR - CM
H
= 50kV的/ μs（典型值）和
CM
L
=的35kV / μs（典型值）
保证性能随温度：
0 ° C至70℃
U.L.认可（文件＃ E90700 ）
VDE PENDING
应用
■
线接收器
■
脉冲变压器更换
■
高速逻辑接地隔离： LVTTL / LVCMOS
■
宽带耦合模拟
示意图
包装纲要
N / C 1
8 V
CC
+ 1
V
F1
8 V
CC
8
8
1
1
+ 2
V
F
_
3
7 V
B
_
2
7 V
01
6 V
O
_
3
6 V
02
8
1
8
1
V
F2
N / C 4
5 GND
+ 4
5 GND
真值表
FOD050L ， FOD250L
FOD053L
LED
On
关闭
V
O
低
高
2003仙童半导体公司
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L - LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
辐射源
I
F
（ AVG）
I
F
（ PK）
I
F
（反式）
V
R
P
D
探测器
I
O
（ AVG）
I
O
（ PK）
V
EBR
V
CC
V
O
I
B
P
D
平均输出电流
峰值输出电流
发射极 - 基反向电压
电源电压
输出电压
基极电流
储存温度
工作温度
参数
价值
-40到+125
-40至+85
260 ，持续10秒
每个通道
每个通道
每个通道
每个通道
每个通道
25
50
1.0
5
45
单位
°C
°C
°C
mA
mA
A
V
mW
无铅焊锡温度（波峰焊专用）
DC /平均正向电流输入
正向峰值输入电流
（占空比为50％ ， 1毫秒P.W。 ）
峰值瞬态输入电流
（ ≤1微秒P.W. ， 300pps ）
反向输入电压
输入功率耗散
（无需降额高达85° C）
每个通道
每个通道
只有FOD050L ， FOD250L
8
16
5
-0.5 7
-0.5 7
mA
mA
V
V
V
mA
mW
只有FOD050L ， FOD250L
每个通道
5
100
输出功率耗散
（无需降额高达85° C）
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2
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L - LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
电气特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
B
VR
输入正向电压
输入反向
击穿电压
逻辑高电平输出。
当前
逻辑低电平电源
当前
I
F
= 16毫安，T
A
=25°C
I
F
= 16毫安
I
R
= 10A
所有
5.0
所有
1.45
1.7
1.8
V
V
参数
测试条件
设备
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
探测器
I
OH
I
CCL
I
F
= 0毫安，V
O
= V
CC
= 3.3V,
T
A
= 25°C
I
F
= 16毫安，V
O
=开，
V
CC
= 3.3V
I
F1
= I
F2
= 16毫安，
V
O
=打开，V
CC
= 3.3V
I
CCH
逻辑高电源
当前
I
F
= 0毫安，V
O
=开，
V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25°C
I
F
= 0毫安，V
O
=开，
V
CC
= 3.3V
**所有标准结构在T
A
= 25°C
所有
FOD050L
FOD250L
FOD053L
FOD050L
FOD250L
FOD053L
0.001
1
200
400
0.3
10
A
A
A
传输特性
符号
再加
CTR
V
OL
电流传输比
(1)
逻辑低输出
电压输出电压
I
F
= 16毫安，V
O
= 0.4 V,
V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25°C
I
F
= 16毫安，我
O
= 3mA电流，
V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25°C
所有
所有
15
50
0.3
%
V
参数
测试条件
设备
分钟。
TYP。 **最大。
单位
*所有标准结构在T
A
= 25°C
注意：
1.电流传递比是德音响定义为输出集电极电流的比率，我
O
到正向LED的输入电流，我
F
，次
100%.
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电气特性
（续） （T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
开关特性
(V
CC
= 3.3V)
符号
T
PHL
T
PLH
|厘米
H
|
参数
传播延迟
时间逻辑低
传播延迟
时间逻辑高
共模
瞬态抗扰度
在逻辑高
测试条件
R
L
= 1.9k
, I
F
= 16毫安
(2)
（图10）
R
L
= 1.9k
, I
F
= 16毫安
(2)
（图10）
25°C
25°C
设备
所有
所有
所有
分钟。
典型值。 **
MAX 。 UNIT
1.0
2.0
1.0
2.0
s
V / μs的
V / μs的
V / μs的
s
I
F
= 0毫安，V
CM
= 1,000V
P-P
,
R
L
= 4.1k
, T
A
= 25°C
(3,4)
（图11）
I
F
= 0毫安，V
CM
= 1,000V
P-P
,
T
A
= 25 ° C，R
L
= 1.9k
(2,4)
（图11）
I
F
= 16毫安，V
CM
= 1,000V
P-P
,
R
L
= 4.1kΩ 。牛逼
A
= 25°C
(3,4)
（图11）
I
F
= 16毫安，V
CM
= 1,000 V
P-P
,
R
L
= 1.9k
(2,4)
（图11）
5,000
5,000
50,000
50,000
35,000
|厘米
L
|
共模
瞬态抗扰度
在逻辑低电平
所有
5,000
5,000
35,000
V / μs的
隔离特性
符号
I
我-O
特征
输入输出
绝缘泄漏
当前
绝缘耐压
测试电压
阻力
（输入到输出）
电容
（输入到输出）
测试条件
相对湿度= 45％ ，
T
A
= 25 ° C，T = 5秒，
V
我-O
= 3000VDC
(5)
F = 60Hz的，T
A
= 25°C,
吨= 1分钟。
(5)
V
我-O
= 500V直流
(5)
F = 1MHz的
(5)
设备
所有
分钟。
典型值。 **
马克斯。
1.0
单位
A
V
ISO
FOD050L
FOD053L
FOD250L
所有
所有
2500
5000
10
11
10
12
0.2
V
RMS
R
我-O
C
我-O
pF
*所有标准结构在T
A
= 25°C
注意事项：
2. 1.9K
负载代表1.6毫安和5.6K 1 TTL单位负载
上拉电阻。
3. 4.1kΩ负载代表了0.36毫安和6.1kΩ的上拉电阻1 LSTTL单位负载。
在逻辑高电平4.共模瞬态抗扰度是最大容许（正）DV
cm
/ DT中处于领先地位
共模脉冲信号V边
CM
，以保证输出将保持在逻辑高状态
（即，V
O
> 2.0V ） 。在逻辑低电平共模瞬变抗扰度是最大容忍的（负面）
dV
cm
/ dt的对共模脉冲信号V的后缘
CM
，以保证该输出将保持在一个
逻辑低状态（即，V
O
< 0.8V ） 。
5.设备被认为是一个双端器件：引脚1，2， 3和4被短接在一起，并销5 ，6，7和8是
短接在一起。
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4
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L - LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
典型性能曲线
图。 1 LED正向电流与正向电压
100
1.3
图。 2电流传输比与正向电流
（ FOD050L ， FOD053L ）
电流传输比（归）
V
O
= 0.4V
V
CC
= 3.3V
归一
I
F
= 16毫安，T
A
= 25°C
1.2
I
F
- 正向电流（mA ）
10
T
A
= 85°C
1
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 0°C
T
A
= -40°C
1.1
T
A
= 70°C
T
A
= 85°C
1.0
T
A
= 0°C
T
A
= 25°C
0.1
0.9
0.8
0.01
0.7
T
A
= -40°C
0.001
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
0.6
0
5
10
15
20
25
V
F
- 正向电压（ V）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3电流传输比与输入正向电流
(FOD250L)
电流传输比（归）
1.4
1.3
1.2
图。 4电流传输比与环境温度
1.6
1.6
电流传输比（归）
V
O
= 0.4V
V
CC
= 3.3V
T
A
= 85°C
T
A
= 70°C
归一
I
F
= 16毫安，T
A
= 25°C
1.4
1.2
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
T
A
= 25°C
1.0
1.0
0.8
0.8
T
A
= 0°C
0.6
0.6
0.4
0.4
T
A
= -40°C
0.6
0.5
0
5
10
15
20
25
0.2
0.2
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0.0
I
F
- 正向电流（mA ）
T
A
=环境温度（℃）
图。 5输出电流和输出电压
12
图6.逻辑高输出电流与环境温度
10
10
I
F
= 25毫安
8
I
OH
- 逻辑高电平输出电流（ NA）
T
A
= 25°C
V
CC
= 3.3V
V
O
= V
CC
= 3.3V
I
F
= 0
I
O
- 输出电流（mA ）
1
20mA
6
15mA
4
0.1
10mA
2
5mA
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0.01
-40
-20
0
20
40
60
80
100
V
O
=输出电压（V）的
T
A
=环境温度（℃）
2003仙童半导体公司
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L版本1.0.2
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5
I
C
- 集电极电流（mA ）
I
LED
= 1毫安
I
F
= 16毫安
V
O
= 0.4V
V
CC
= 3.3V
归一化到T
A
= 25°C
1.4
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
2006年10月
FOD050L ， FOD250L ：单通道
FOD053L ：双通道
LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
特点
■
低功耗
■
高速
■
可在单通道8引脚DIP （ FOD250L ）
描述
该FOD250L ， FOD050L和FOD053L光电耦合器
组成的AlGaAs的LED光学耦合到一个高
高速光电检测器晶体管。这些器件试样
网络连接编为工作在3.3V电源电压。
为光电二极管的偏压一个单独的连接
由大小超过几个数量提高了速度
常规
光电晶体管的光电耦合器通过减小基极 - 同事
输入晶体管的讲师电容。
内部噪音屏蔽提供卓越共
模抑制CM的
H
= 50kV的/毫秒（典型值）和CM
L
=
的35kV / ms（典型值） 。
■
■
■
■
8引脚SOIC （ FOD050L ）或双通道8引脚SOIC
(FOD053L)
高级CMR - CM
H
= 50kV的/ μs（典型值）和
CM
L
=的35kV / μs（典型值）
保证性能随温度：
0 ° C至70℃
U.L.认可（文件＃ E90700 ）
VDE PENDING
应用
■
线接收器
■
脉冲变压器更换
■
高速逻辑接地隔离： LVTTL / LVCMOS
■
宽带耦合模拟
概要
N / C 1
8 V
CC
+ 1
V
F1
8 V
CC
8
1
+ 2
V
F
_
3
7 V
B
_
2
7 V
01
8
8
1
1
6 V
O
_
V
3
6 V
02
F2
N / C 4
5 GND
+ 4
5 GND
FOD050L ， FOD250L
FOD053L
真值表
LED
On
关闭
V
O
低
高
2002仙童半导体公司
1
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FOD050L ， FOD250L ， FOD053L版本1.0.0
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
绝对最大额定值
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
辐射源
I
F
（ AVG）
I
F
（ PK）
I
F
（反式）
V
R
P
D
探测器
I
O
（ AVG）
I
O
（ PK）
V
EBR
V
CC
V
O
I
B
P
D
平均输出电流
峰值输出电流
储存温度
工作温度
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
价值
-40到+125
-40至+85
260 ，持续10秒
每个通道
每个通道
每个通道
每个通道
每个通道
25
50
1.0
5
45
单位
°C
°C
°C
mA
mA
A
V
mW
无铅焊锡温度（波峰焊专用）
DC /平均正向电流输入
正向峰值输入电流
（占空比为50％ ， 1毫秒P.W。 ）
峰值瞬态输入电流
(
≤
1微秒P.W. ， 300pps ）
反向输入电压
输入功率耗散
（无需降额高达85° C）
每个通道
每个通道
只有FOD050L ， FOD250L
8
16
5
-0.5 7
-0.5 7
mA
mA
V
V
V
mA
mW
发射极 - 基反向电压
电源电压
输出电压
基极电流
输出功率耗散
（无需降额高达85° C）
只有FOD050L ， FOD250L
每个通道
5
100
2
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L版本1.0.0
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FOD050L ， FOD250L ， FOD053L LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
电气特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
B
VR
输入正向电压
输入反向
击穿电压
逻辑高电平输出。
当前
逻辑低电平电源
当前
I
F
= 16毫安，T
A
=25°C
I
F
= 16毫安
I
R
= 10A
所有
5.0
所有
1.45
1.7
1.8
V
V
参数
测试条件
设备
分钟。
典型值。 **
马克斯。
单位
探测器
I
OH
I
CCL
I
F
= 0毫安，V
O
= V
CC
= 3.3V,
T
A
= 25°C
I
F
= 16毫安，V
O
=开，
V
CC
= 3.3V
I
F1
= I
F2
= 16毫安，
V
O
=打开，V
CC
= 3.3V
I
CCH
逻辑高电源
当前
I
F
= 0毫安，V
O
=开，
V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25°C
I
F
= 0毫安，V
O
=开，
V
CC
= 3.3V
**所有标准结构在T
A
= 25°C
所有
FOD050L
FOD250L
FOD053L
FOD050L
FOD250L
FOD053L
0.001
1
200
400
0.3
10
A
A
A
传输特性
符号
再加
CTR
V
OL
电流传输比
(1)
逻辑低输出
电压输出电压
I
F
= 16毫安，V
O
= 0.4 V,
V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25°C
I
F
= 16毫安，我
O
= 3mA电流，
V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25°C
所有
所有
15
50
0.3
%
V
参数
测试条件
设备
分钟。
TYP。 **最大。
单位
**所有标准结构在T
A
= 25°C
注意：
1.电流传递比是德音响定义为输出集电极电流的比率，我
O
到正向LED的输入电流，我
F
，次
100%.
3
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
开关特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定ED ，V
CC
= 3.3V.)
符号
T
PHL
T
PLH
|厘米
H
|
参数
传播延迟
时间逻辑低
传播延迟
时间逻辑高
共模
瞬态抗扰度在
逻辑高
测试条件
R
L
= 1.9k
, I
F
= 16毫安
(2)
（图10）
R
L
= 1.9k
, I
F
= 16毫安
(2)
（图10）
25°C
25°C
设备
所有
所有
所有
分钟。
典型值。 **
MAX 。 UNIT
1.0
2.0
1.0
2.0
s
V / μs的
V / μs的
s
I
F
= 0毫安，V
CM
= 1,000V
P-P
,
R
L
= 4.1k
,
T
A
= 25°C
(3,4)
（图11）
I
F
= 0毫安，V
CM
= 1,000V
P-P
,
T
A
= 25 ° C，R
L
= 1.9k
(2,4)
（图。
11)
I
F
= 16毫安，V
CM
= 1,000V
P-P
,
R
L
= 4.1kΩ 。牛逼
A
= 25°C
(3,4)
（图11）
I
F
= 16毫安，V
CM
= 1,000 V
P-P
,
R
L
= 1.9k
(2,4)
（图11）
5,000
5,000
50,000
50,000
|厘米
L
|
共模
瞬态抗扰度在
逻辑低
所有
5,000
35,000
V / μs的
5,000
35,000
V / μs的
**所有标准结构在T
A
= 25°C
隔离特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
符号
I
我-O
特征
输入输出
绝缘泄漏
当前
绝缘耐压
测试电压
阻力
（输入到输出）
电容
（输入到输出）
测试条件
相对湿度= 45％ ，
T
A
= 25 ° C，T = 5秒，
V
我-O
= 3000VDC
(5)
F = 60Hz的，T
A
= 25°C,
吨= 1分钟。
(5)
V
我-O
= 500V直流
(5)
F = 1MHz的
(5)
设备
所有
分钟。
典型值。 **
马克斯。
1.0
单位
A
V
ISO
FOD050L
FOD053L
FOD250L
所有
所有
2500
5000
10
11
10
12
0.2
V
RMS
R
我-O
C
我-O
pF
注意事项：
2. 1.9K
负载代表1.6毫安和5.6K 1 TTL单位负载
上拉电阻。
3. 4.1k
负载代表0.36毫安和6.1k 1 LSTTL单位负载
上拉电阻。
在逻辑高电平4.共模瞬态抗扰度是最大容许（正）DV
cm
/ DT中处于领先地位
共模脉冲信号V边
CM
，以保证输出将保持在逻辑高状态
（即，V
O
> 2.0V ） 。在逻辑低电平共模瞬变抗扰度是最大容忍的（负面）
dV
cm
/ dt的对共模脉冲信号V的后缘
CM
，以保证该输出将保持在一个
逻辑低状态（即，V
O
< 0.8V ） 。
5.设备被认为是一个双端器件：引脚1，2， 3和4被短接在一起，并销5 ，6，7和8是
短接在一起。
4
FOD050L ， FOD250L ， FOD053L版本1.0.0
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FOD050L ， FOD250L ， FOD053L LVTTL / LVCMOS 3.3V高速晶体管光电耦合器
典型性能曲线
图。 1 LED正向电流与正向电压
100
1.3
V
O
= 0.4V
V
CC
= 3.3V
归一
I
F
= 16毫安，T
A
= 25°C
图。 2电流传输比与正向电流
（ FOD050L ， FOD053L ）
1.2
电流传输比（归）
10
I
F
- 正向电流（mA ）
T
A
= 85°C
1
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 0°C
T
A
= -40°C
1.1
T
A
= 70°C
T
A
= 85°C
1.0
T
A
= 25°C
0.1
0.9
T
A
= 0C°C
0.8
0.01
0.7
T
A
= -40°C
0.001
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
0.6
0
5
10
15
20
25
V
F
- 正向电压（ V）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3电流传输比与输入正向电流
(FOD250L)
1.4
1.3
图。 4电流传输比与环境温度
1.6
1.6
V
O
= 0.4V
V
CC
= 3.3V
T
A
= 85°C
T
A
= 70°C
归一
I
F
= 16毫安，T
A
= 25°C
1.4
电流传输比（归）
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
电流传输比（归）
I
F
= 16毫安
V
O
= 0.4V
V
CC
= 3.3V
归一化到T
A
= 25°C
1.4
T
A
= 25°C
1.0
1.0
0.8
0.8
T
A
= 0°C
0.6
0.6
0.4
0.4
T
A
= -40°C
0.6
0.5
0
5
10
15
20
25
0.2
0.2
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0.0
I
F
- 正向电流（mA ）
T
A
- 环境温度（ ° C）
图。 5输出电流和输出电压
12
图6.逻辑高输出电流与环境温度
10
T
A
= 25°C
V
CC
= 3.3V
V
O
= V
CC
= 3.3V
I
F
= 0
I
O
- 输出电流（mA ）
I
F
= 25毫安
8
I
OH
- 逻辑高电平输出电流（ NA）
10
1
20mA
6
15mA
4
0.1
10mA
2
5mA
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0.01
-40
-20
0
20
40
60
80
100
V
O
- 输出电压（V ）
T
A
- 环境温度（ C）
5
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I
C
- 集电极电流（毫安）
I
LED
= 1毫安
1.2
1.2
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