HIP6017
TM
数据表
1999年4月
FN4496.1
先进的PWM和力量线性双
控制
该HIP6017提供了电源控制和保护
在高性能微处理器的三个输出电压
和计算机应用。该IC集成了PWM
控制器，一个线性调节器和线性调节器以及
监控和保护功能集成到一个单一的28引脚
SOIC封装。 PWM控制器调节
微处理器核心电压与同步整流器版
降压转换器。线性控制器调节功率为
GTL总线和线性调节器提供功率的
时钟驱动电路。
该HIP6017包括Intel兼容， TTL 5输入
数字 - 模拟转换器（DAC ） ，调整上述芯的PWM
从2.1V输出电压
DC
到3.5V
DC
在0.1V递增
从1.8V
DC
到2.05V
DC
在0.05V步骤。精度
参考与电压模式控制提供
±1%
STATIC
调节。线性稳压器采用内部旁路装置
提供2.5V
±2.5%.
线性控制器驱动
外部N沟道MOSFET ，提供1.5V
±2.5%.
的HIP6017监视所有的输出电压。单一
当其核心是内部电源良好信号发出
±10%
of
该DAC设置和其他级别高于自己的理解
电压电平。其他内置过电压保护
核心输出使用较低的MOSFET ，以防止输出
电压超过DAC设置的115 ％ 。 PWM的过
当前功能监视输出电流通过
横跨上MOSFET的 - [R的电压降
DS （ ON）
，从而
省去了一个电流检测电阻器。
特点
提供3调节电压
- 微处理器为核心，时钟和电源GTL
驱动N沟道MOSFET
可从+ 3.3V ， + 5V和+ 12V的输入
简单的单环PWM控制设计
- 电压模式控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0 ％至100％的占空比
出色的输出电压调节
- 核心PWM输出：
±1%
过温
- 其它输出：
±2.5%
过温
TTL兼容5位数字到模拟输出核心
电压选择
- 范围广。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.8V
DC
到3.5V
DC
- 0.1V的步骤。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.1V
DC
到3.5V
DC
- 0.05V步骤。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.8V
DC
到2.05V
DC
电源良好输出电压监视器
微处理器内核电压保护，防止短路
MOSFET
过电压和过电流故障监视
- 不需要额外的电流传感元件，
采用MOSFET的
DS （ ON）
小尺寸转换器
- 恒定频率工作
- 200kHz的自由运行的振荡器;从编程
50kHz至1MHz的多
引脚
HIP6017 （ SOIC ）
顶视图
NC 1
NC 2
VID4 3
VID3 4
VID2 5
VID1 6
VID0 7
PGOOD 8
9 GND2
V33 10
NC 11
SS 12
FAULT / RT 13
FB2 14
28 VCC
27 UGATE1
26 PHASE1
25 LGATE1
24 PGND
23 OCSET1
22 VSEN1
21 FB1
20 COMP1
19 FB3
18 Gate3
17 GND
16 VOUT2
15 VIN2
应用
全主板电源调节电脑
低电压分布式电源
订购信息
产品型号
HIP6017CB
HIP6017EVAL1
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
0到70
评估板
包
28 Ld的SOIC
PKG 。号
M28.3
210
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002.版权所有
HIP6017
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+15V
PGOOD ， RT ，故障和栅极电压。 。 GND - 0.3V至V
CC
+ 0.3V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V至7V
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
工作条件
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±10%
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至125
o
C
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
60
2
铜） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
50
SOIC封装（含3
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
参数
VCC电源电流
标称电源
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
推荐工作条件，除非另有说明。参阅图1，图2和图3
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
UGATE1 ， DRIVE3 ， LGATE1和VOUT4开放
-
10
-
mA
V
OCSET
= 4.5V
V
OCSET
= 4.5V
8.6
8.2
2.45
-
-
-
-
2.55
500
1.25
10.4
10.2
2.65
-
-
V
V
V
mV
V
瑞星VIN2欠压阈值
VIN2欠压滞环
瑞星V
OCSET1
门槛
振荡器
自由运行频率
全变差
斜坡幅度
参考和DAC
DAC （ VID0 - VID4 ）输入低电压
DAC （ VID0 - VID4 ）输入高电压
DACOUT电压精度
基准电压（引脚FB2和FB3 ）
线性稳压器
规
根据电压等级
欠压滞后
过电流保护
过电流保护在启动过程
线性控制器
规
根据电压等级
欠压滞后
输出驱动电流
PWM控制器误差放大器
DC增益
增益带宽积
增益带宽积
I
DRIVE3
VIN2 - V
DRIVE3
> 0.6V
FB3
UV
VSEN3 = DRIVE3 ， 0 <我
DRIVE3
＆ LT ; 20毫安
FB3上升
FB2
UV
10毫安<我
VOUT2
＆ LT ; 150毫安
瑞星FB2
V
OSC
RT = OPEN
6kΩ < RT与GND之间< 200kΩ的
RT = OPEN
185
-15
-
200
-
1.9
215
+15
-
千赫
%
V
P-P
-
2.0
-1.0
1.240
-
-
-
1.265
0.8
-
+1.0
1.290
V
V
%
V
-2.5
-
-
180
560
-
75
6
230
700
+2.5
87
-
-
-
%
%
%
mA
mA
-2.5
-
-
20
-
75
6
40
+2.5
87
-
-
%
%
%
mA
-
-
88
15
-
-
dB
兆赫
213
HIP6017
电气规格
参数
压摆率
PWM控制器，栅极驱动器
上驱动源
上驱动水槽
降低驱动源
较低的驱动器水槽
保护
V
OUT1
过电压跳闸
故障电流采购
OCSET1电流源
软启动电流
芯片关断软启动阈值
电源良好
V
OUT1
阈值上限
V
OUT1
欠压（下阈值）
V
OUT1
迟滞（ VSEN1 / DACOUT ）
PGOOD电压低
V
PGOOD
VSEN1上升
VSEN1上升
上限/下限阈值
I
PGOOD
= -4mA
108
92
-
-
-
-
2
-
110
94
-
0.5
%
%
%
V
I
OVP
I
OCSET
I
SS
VSEN1上升
V
FAULT / RT
= 10V
V
OCSET
= 4.5V
DC
112
10
170
-
-
115
14
200
11
-
118
-
230
-
1.0
%
mA
A
A
V
I
UGATE
R
UGATE
I
LGATE
R
LGATE
VCC = 12V ，V
UGATE1
= 6V
V
UGATE1-PHASE1
= 1V
VCC = 12V ，V
LGATE1
= 1V
V
LGATE1
= 1V
-
-
-
-
1
1.7
1
1.4
-
3.5
-
3.0
A
A
推荐工作条件，除非另有说明。参阅图1，图2和图3
（续）
符号
SR
COMP = 10pF的
测试条件
民
-
典型值
6
最大
-
单位
V / μs的
典型性能曲线
100
C
UGATE1
= C
LGATE1
= C
门
V
VCC
= 12V, V
IN
= 5V
80
1000
电阻值（kΩ ）
R
T
上拉
TO + 12V
I
CC
（MA ）
C
门
= 4800pF
60
C
门
= 3600pF
40
C
门
= 1500pF
100
10
R
T
下拉到V
SS
20
C
门
= 660pF
0
10
100
开关频率（kHz ）
1000
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
开关频率（kHz ）
图4.
T
电阻与频率
图5.偏置电源电流与频率
功能引脚说明
VSEN1 （引脚22 ）
该引脚被连接到PWM转换器的输出电压。
在PGOOD和OVP比较器电路使用该信号
报表输出电压状态和过电压保护。
电阻（R
DS （ ON）
）设定变频器过流（ OC ）之旅
根据下面的方程指向：
I
OCSET
xR
OCSET
I
PEAK
= ------------------------------------------------
-
r
DS
(
ON
)
OCSET1 （引脚23 ）
连接一个电阻（R
OCSET
）从这个引脚的漏
各上MOSFET。
OCSET
，内部200μA
电流源（我
OCSET
），以及上部MOSFET导通
过电流脱扣循环软启动功能。维持
过电流为2软启动间隔将关闭集成电路。
此外， OCSET1为反相故障的输出
信号（故障） 。如果故障情况会导致故障高走，
OCSET1将同时拉到地，虽然在
内部MOS器件（典型
DS （ ON）
= 100).
214
HIP6017
TM
数据表
1999年4月
FN4496.1
先进的PWM和力量线性双
控制
该HIP6017提供了电源控制和保护
在高性能微处理器的三个输出电压
和计算机应用。该IC集成了PWM
控制器，一个线性调节器和线性调节器以及
监控和保护功能集成到一个单一的28引脚
SOIC封装。 PWM控制器调节
微处理器核心电压与同步整流器版
降压转换器。线性控制器调节功率为
GTL总线和线性调节器提供功率的
时钟驱动电路。
该HIP6017包括Intel兼容， TTL 5输入
数字 - 模拟转换器（DAC ） ，调整上述芯的PWM
从2.1V输出电压
DC
到3.5V
DC
在0.1V递增
从1.8V
DC
到2.05V
DC
在0.05V步骤。精度
参考与电压模式控制提供
±1%
STATIC
调节。线性稳压器采用内部旁路装置
提供2.5V
±2.5%.
线性控制器驱动
外部N沟道MOSFET ，提供1.5V
±2.5%.
的HIP6017监视所有的输出电压。单一
当其核心是内部电源良好信号发出
±10%
of
该DAC设置和其他级别高于自己的理解
电压电平。其他内置过电压保护
核心输出使用较低的MOSFET ，以防止输出
电压超过DAC设置的115 ％ 。 PWM的过
当前功能监视输出电流通过
横跨上MOSFET的 - [R的电压降
DS （ ON）
，从而
省去了一个电流检测电阻器。
特点
提供3调节电压
- 微处理器为核心，时钟和电源GTL
驱动N沟道MOSFET
可从+ 3.3V ， + 5V和+ 12V的输入
简单的单环PWM控制设计
- 电压模式控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0 ％至100％的占空比
出色的输出电压调节
- 核心PWM输出：
±1%
过温
- 其它输出：
±2.5%
过温
TTL兼容5位数字到模拟输出核心
电压选择
- 范围广。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.8V
DC
到3.5V
DC
- 0.1V的步骤。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.1V
DC
到3.5V
DC
- 0.05V步骤。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.8V
DC
到2.05V
DC
电源良好输出电压监视器
微处理器内核电压保护，防止短路
MOSFET
过电压和过电流故障监视
- 不需要额外的电流传感元件，
采用MOSFET的
DS （ ON）
小尺寸转换器
- 恒定频率工作
- 200kHz的自由运行的振荡器;从编程
50kHz至1MHz的多
引脚
HIP6017 （ SOIC ）
顶视图
NC 1
NC 2
VID4 3
VID3 4
VID2 5
VID1 6
VID0 7
PGOOD 8
9 GND2
V33 10
NC 11
SS 12
FAULT / RT 13
FB2 14
28 VCC
27 UGATE1
26 PHASE1
25 LGATE1
24 PGND
23 OCSET1
22 VSEN1
21 FB1
20 COMP1
19 FB3
18 Gate3
17 GND
16 VOUT2
15 VIN2
应用
全主板电源调节电脑
低电压分布式电源
订购信息
产品型号
HIP6017CB
HIP6017EVAL1
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
0到70
评估板
包
28 Ld的SOIC
PKG 。号
M28.3
210
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002.版权所有
HIP6017
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+15V
PGOOD ， RT ，故障和栅极电压。 。 GND - 0.3V至V
CC
+ 0.3V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V至7V
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
工作条件
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±10%
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至125
o
C
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
60
2
铜） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
50
SOIC封装（含3
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
参数
VCC电源电流
标称电源
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
推荐工作条件，除非另有说明。参阅图1，图2和图3
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
UGATE1 ， DRIVE3 ， LGATE1和VOUT4开放
-
10
-
mA
V
OCSET
= 4.5V
V
OCSET
= 4.5V
8.6
8.2
2.45
-
-
-
-
2.55
500
1.25
10.4
10.2
2.65
-
-
V
V
V
mV
V
瑞星VIN2欠压阈值
VIN2欠压滞环
瑞星V
OCSET1
门槛
振荡器
自由运行频率
全变差
斜坡幅度
参考和DAC
DAC （ VID0 - VID4 ）输入低电压
DAC （ VID0 - VID4 ）输入高电压
DACOUT电压精度
基准电压（引脚FB2和FB3 ）
线性稳压器
规
根据电压等级
欠压滞后
过电流保护
过电流保护在启动过程
线性控制器
规
根据电压等级
欠压滞后
输出驱动电流
PWM控制器误差放大器
DC增益
增益带宽积
增益带宽积
I
DRIVE3
VIN2 - V
DRIVE3
> 0.6V
FB3
UV
VSEN3 = DRIVE3 ， 0 <我
DRIVE3
＆ LT ; 20毫安
FB3上升
FB2
UV
10毫安<我
VOUT2
＆ LT ; 150毫安
瑞星FB2
V
OSC
RT = OPEN
6kΩ < RT与GND之间< 200kΩ的
RT = OPEN
185
-15
-
200
-
1.9
215
+15
-
千赫
%
V
P-P
-
2.0
-1.0
1.240
-
-
-
1.265
0.8
-
+1.0
1.290
V
V
%
V
-2.5
-
-
180
560
-
75
6
230
700
+2.5
87
-
-
-
%
%
%
mA
mA
-2.5
-
-
20
-
75
6
40
+2.5
87
-
-
%
%
%
mA
-
-
88
15
-
-
dB
兆赫
213
HIP6017
电气规格
参数
压摆率
PWM控制器，栅极驱动器
上驱动源
上驱动水槽
降低驱动源
较低的驱动器水槽
保护
V
OUT1
过电压跳闸
故障电流采购
OCSET1电流源
软启动电流
芯片关断软启动阈值
电源良好
V
OUT1
阈值上限
V
OUT1
欠压（下阈值）
V
OUT1
迟滞（ VSEN1 / DACOUT ）
PGOOD电压低
V
PGOOD
VSEN1上升
VSEN1上升
上限/下限阈值
I
PGOOD
= -4mA
108
92
-
-
-
-
2
-
110
94
-
0.5
%
%
%
V
I
OVP
I
OCSET
I
SS
VSEN1上升
V
FAULT / RT
= 10V
V
OCSET
= 4.5V
DC
112
10
170
-
-
115
14
200
11
-
118
-
230
-
1.0
%
mA
A
A
V
I
UGATE
R
UGATE
I
LGATE
R
LGATE
VCC = 12V ，V
UGATE1
= 6V
V
UGATE1-PHASE1
= 1V
VCC = 12V ，V
LGATE1
= 1V
V
LGATE1
= 1V
-
-
-
-
1
1.7
1
1.4
-
3.5
-
3.0
A
A
推荐工作条件，除非另有说明。参阅图1，图2和图3
（续）
符号
SR
COMP = 10pF的
测试条件
民
-
典型值
6
最大
-
单位
V / μs的
典型性能曲线
100
C
UGATE1
= C
LGATE1
= C
门
V
VCC
= 12V, V
IN
= 5V
80
1000
电阻值（kΩ ）
R
T
上拉
TO + 12V
I
CC
（MA ）
C
门
= 4800pF
60
C
门
= 3600pF
40
C
门
= 1500pF
100
10
R
T
下拉到V
SS
20
C
门
= 660pF
0
10
100
开关频率（kHz ）
1000
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
开关频率（kHz ）
图4.
T
电阻与频率
图5.偏置电源电流与频率
功能引脚说明
VSEN1 （引脚22 ）
该引脚被连接到PWM转换器的输出电压。
在PGOOD和OVP比较器电路使用该信号
报表输出电压状态和过电压保护。
电阻（R
DS （ ON）
）设定变频器过流（ OC ）之旅
根据下面的方程指向：
I
OCSET
xR
OCSET
I
PEAK
= ------------------------------------------------
-
r
DS
(
ON
)
OCSET1 （引脚23 ）
连接一个电阻（R
OCSET
）从这个引脚的漏
各上MOSFET。
OCSET
，内部200μA
电流源（我
OCSET
），以及上部MOSFET导通
过电流脱扣循环软启动功能。维持
过电流为2软启动间隔将关闭集成电路。
此外， OCSET1为反相故障的输出
信号（故障） 。如果故障情况会导致故障高走，
OCSET1将同时拉到地，虽然在
内部MOS器件（典型
DS （ ON）
= 100).
214
QQ：2881677436 复制
