FMS2029
DC- 20 GH
Z
MMIC SPST
ON
-R
EFLECTIVE
S
WITCH
F
EATURES
:
提供裸片形式
两个端口不反光
低插入损耗2.2分贝在20 GHz的典型
非常高的隔离50分贝在20 GHz的典型
出色的低控制电压性能
初步数据表V2.1
F
UNCTIONAL
S
电气原理
:
RFIN
RFOUT
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FMS2029是一种损，高隔离
宽带单刀单掷镓
设计用于宽带使用砷化镓开关
通信，
仪器仪表
和
电子战的应用。它提供非
反射特性的两个端口。模具
使用费尔多尼克FL05 0.5微米的制造
开关的工艺技术，提供领先的
对于开关边缘的性能优化
应用程序。
V1
V2
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
宽带通信
s
仪器仪表
电子战
（ ECM ， ESM ）
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
（基于晶圆上测量） ：
P
ARAMETER
插入损耗
插入损耗
插入损耗
隔离
隔离
隔离
输入回波损耗（状态）
输出回波损耗（状态）
输出回波损耗（关闭状态）
P1dB
C
ONDITIONS
（ DC - 10 ） GHz时，小信号
（ 10-15 ） GHz的小信号
（ 15-20 ） GHz的小信号
（ DC - 10 ） GHz时，小信号
（ 10-15 ） GHz的小信号
（ 15-20 ） GHz的小信号
（ DC - 20 ） GHz的小信号
（ DC - 20 ） GHz的小信号
（ DC - 20 ） GHz的小信号
-5V控制
M
IN
T
YP
1.4
1.6
2.2
70
57
50
20
20
12
26
M
AX
U
尼特
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
DBM
注：t
环境
= 25°C ， VCTRL = 0V / -5V ，Z
IN
= Z
OUT
= 50
1
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
电子邮件：
sales@filcs.com
电话：+44 （ 0 ） 1325 301111
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FMS2029
初步数据表V2.1
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS ：
P
ARAMETER
最大输入功率
工作温度
储存温度
T
RUTH
T
ABLE
:
C
ONTROL
L
INE
V1
-5V
0V
S
YMBOL
针
豪饮者
Tstor
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
+38dBm
-40 ° C至+ 100°C
-55 ° C至+ 150°C
RF P
ATH
RF
IN
- 射频
O
在（低损耗）
关性（Isolation ）
V2
0V
-5V
注：超过这些绝对的任何一个
最大额定值可能会造成永久性的
损坏设备。
注： -5V
±
0.2V; 0V
±
0.2V
P
AD
L
AYOUT
:
P
AD
N
AME
RFIN
D
ESCRIPTION
RFIN
RFOUT
V1
V2
P
IN
C
OORDINATES
(m)
141,587
1789,587
901,161
1101,161
RFI
V1 V2
RFO
RFO
V1
V2
注：坐标是从底部引用
左手边的模具的粘结垫的中心
开盘
D
IE
S
IZE
(m)
1910 x 1110
D
IE
T
HICKNESS
(m)
100
M
IN
. B
OND
P
AD
P
痒
(m)
150
M
IN
. B
OND PAD
O
PENING
（微米×
m
)
116 x 116
2
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初步数据表V2.1
T
YPICAL
M
EASURED
P
ERFORMANCE
O
N
W
AFER
:
注：测试条件V
CTRL
= -5V （低） & 0V （高） ，T
环境
= 25 ° C除非另有说明
插入损耗（dB ）
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
1
6
11
频率（GHz ）
16
20
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
1
6
隔离度（dB ）
11
频率（GHz ）
16
20
输入回波损耗（dB ）
0
-10
-20
-30
-40
1
6
11
频率（GHz ）
16
20
导通状态
关闭状态
输出回波损耗（dB ）
0
-10
-20
-30
-40
1
6
11
频率（GHz ）
16
20
导通状态
关闭状态
3
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初步数据表V2.1
P
简称
A
SSEMBLY
I
NSTRUCTIONS
:
GaAs器件是脆弱的，应该
非常小心处理。特别设计的
夹头应该尽可能使用。
管芯的背面是金属化和
推荐的安装方法是通过使用
焊锡或导电环氧树脂。如果是环氧树脂
选择，则它应该被施加到
附着表面均匀和有节制地来
避免在顶端环氧树脂的侵蚀
面的模具的，理想情况下应不超过
一半芯片的高度。对于自动分配
Ablestick LMISR4建议和
手动分配Ablestick 84-1 LMI或84-1
LMIT建议。这些应
固化在150 ℃的温度下在1小时内
烤箱特别预留环氧树脂固化
只。如果可能的话固化烘箱应
用干燥的氮气。
这部分有金（Au ）接合焊盘要求
使用金（99.99 ％纯度）的接合线。这是
建议直径25.4μm金线
被使用。热超声球焊是
首选。标称阶段的温度
150℃和40克的粘结力一直
如图给予有效的结果为25μm的金属丝。
超声波能量应保持在最低限度。
对于这种键合技术，舞台温度
不应高于200 ℃，键凸
力不应该被上面60克提高。
热超声
楔子
合
和
热压楔焊也可以
用来实现良好丝焊。
键应该从模头首先被制成与
然后到安装基板或封装。
的接合线的物理长度应
最小尤其是当制作RF或
接地连接。
H
ANDLING
P
RECAUTIONS
:
为了避免损坏器件护理应
在处理过程中行使。
正确
静电放电（ ESD ）注意事项
应于存储的所有阶段都可以观察到，
搬运，组装和测试。
这些
设备应被视为1A类（ 0-500
V）在JEDEC标准号定义22-
A114 。在ESD控制的更多信息
措施可以发现在MIL -STD- 1686和
MIL-HDBK-263.
A
PPLICATION
N
OTES
＆放大器;
ESIGN
D
ATA
:
应用笔记和设计数据，包括S-
参数可用;请联系
费尔多尼克化合物半导体有限公司
D
ISCLAIMERS
:
本产品不适合在任何使用
基于空间或维持生命/支持
设备。
O
RDERING
I
载文信息
:
P
艺术
N
棕土
FMS2029-000
D
ESCRIPTION
死在华夫格包
（ Gel-Pak的应要求提供）
4
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