FMS2028
SP6T砷化镓多频GSM天线开关
F
EATURES
:
提供裸片形式
非常低的Tx插入损耗
高的Tx - Rx隔离>45分贝典型。为1.8GHz
高的Tx -TX隔离>30分贝典型。为1.8GHz
出色的低控制电压性能
优良的谐波性能
初步数据表V2.1
F
UNCTIONAL
S
电气原理
:
AN牛逼
X1
V RX 1
TX 1
V TX 1
TX 2
V TX 2
X2
V RX 2
X3
V RX 3
X4
V RX 4
VM
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
FMS2028是一个低损耗，高功率单
杆6掷砷化镓天线
开关。模具是使用所制造的
费尔多尼克FL05 0.5μm的切换过程
技术，提供领先的优势
性能
优化
为
开关
应用程序。 FMS2028是专为使用
在双核，三核和四频GSM手机
天线开关和RF前端模块。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
适合于多频带
GSM / DCS / PCS / EDGE的应用
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
:
P
ARAMETER
TX插入损耗
RX插入损耗
回波损耗
隔离
（ TX -TX ）
隔离
（ TX- RX ）
隔离
（ RX- RX ）
P
0.1dB
二次谐波电平
3次谐波电平
开关速度
C
ONDITIONS
0.9 GHz的
1.8 GHz的
0.9 GHz的
1.8 GHz的
(1)
M
IN
0
0
0
0
––
26
19.5
42
37
26
20
––
-100
-100
-100
-100
––
––
0.01
0.01
T
YP
0.4
0.41
0.73
1.0
23
28.5
21
47
42
28
22
37
-80
-80
-68
-72
––
––
12
1.3
M
AX
0.55
0.6
1
1.2
––
55
45
55
55
––
––
––
-70
-70
-65
-65
0.3
1
40
4
U
尼特
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
s
s
A
A
0.5 - 2.5 GHz的
0.9 GHz的
1.8 GHz的
0.9 GHz的
1.8 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
0.9 GHz的， CW
0.9 GHz的，引脚= +35 dBm时， CW
(2)
1.8 GHz的，引脚= +33 dBm时， CW
(2)
0.9 GHz的，引脚= +35 dBm时， CW
(2)
1.8 GHz的，引脚= +33 dBm时， CW
(2)
10 ％至90％的射频和90 ％至10％的射频，引脚= 0 dBm的
50％的控制，以90％的射频和50％的控制，以90％的射频，
引脚= 0 dBm的
VCTRL = 0 / 2.7 V ，引脚= 35 dBm的0.9 GHz的
VCTRL = 0 / 2.7 V ，引脚= 0 dBm的1.8 GHz的
控制电流
注1：T
环境
= 25°C ， VCTRL = 0V / 2.7V ，Z
IN
= Z
OUT
= 50
注2 ：所测量的高次谐波的值是依赖于系统的终端阻抗的谐波
频率
1
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初步数据表V2.1
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
:
P
ARAMETER
最大输入
动力
控制
电压
操作
温度
储存温度
B
ONDPADS
C
OORDINATES
:
P
AD
R
EF
A
B
C
D
E
F
S
YMBOL
P
in
V
CTRL
T
OPER
T
STOR
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
+38dBm
+6V
-40 ° C至+ 100°C
-55 ° C至+ 150°C
P
AD
N
AME
Tx1
VRx1
VTx1
VRx2
VM
VRx3
VTx2
VRx4
Tx2
蚂蚁
Rx1
GND
Rx2
Rx3
Rx4
D
ESCRIPTION
P
IN
C
OORDINATES
(
M
)
TX1 RF输出
RX1控制
电压
TX1控制
电压
RX2控制
电压
常见的接收
控制电压
RX3控制
电压
TX2控制
电压
RX4控制
电压
TX2 RF输出
天线
RX1 RF输出
地
RX2 RF输出
RX3 RF输出
RX4 RF输出
(125.9, 121.4)
(100.2, 215.9)
(110.4, 310.5)
(90.5, 405.1)
(90.5, 499.7)
(90.5, 594.3)
(107, 688.9)
(107, 783.5)
(125.9, 878.1)
(424.9, 499.7)
(568.2, 114.8)
(747.4, 282.7)
(747.4, 380.3)
(747.4, 681.2)
(747.4, 882.1)
注：超过这些绝对的任何一个
最大额定值可能会造成永久性的
损坏设备。
P
AD
L
AYOUT
:
I
H
G
F
E
D
C
B
A
K
J
M
L
N
O
G
H
I
J
K
L
M
N
O
注：坐标是从底部引用
左手边的模具的粘结垫的中心
开盘
D
IE
S
IZE
(m)
852 x 990
D
IE
T
HICKNESS
(m)
150
M
IN
. B
OND
P
AD
P
痒
(m)
94.6
M
IN
. B
OND PAD
O
PENING
（微米×
m
)
65 x 65
T
RUTH
T
ABLE
:
VM
低
低
高
高
高
高
VRX4
低
低
低
低
低
高
VRX3
低
低
低
低
高
低
VRX2
低
低
低
高
低
低
VRX1
低
低
高
低
低
低
VTX2
低
高
低
低
低
低
VTX1
高
低
低
低
低
低
在路径
ANT-TX1
ANT-TX2
ANT-RX1
ANT-RX2
ANT-RX3
ANT-RX4
注：高： 2.7V
±
0.2V ;低： 0V
±
0.2V
2
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初步数据表V2.1
T
YPICAL
M
EASURED
P
ERFORMANCE
O
N
E
估价
B
OARD
:
注：测试条件V
CTRL
= 0V （低） & 2.7V （高） ，T
环境
= 25 ° C除非另有说明
3
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初步数据表V2.1
E
估价
B
OARD
C
OMPONENT
S
IDE
L
AYOUT
:
E
估价
B
OARD
S
电气原理
:
V1
V2
V3
V4
V5
V6
V7
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C2
C1
C1
C1
C1
C1
C1
C1
VRX1
VTX1
VRX2
VM
VRX3
VTX2
VRX4
RF1
C3
TX1
TX2
C3
RF7
FMS2028
RF2
C3
RX1
蚂蚁
C3
RF4
GND
RX2
RX3
RX4
C3
C3
C3
B
不周
M
材料板
:
L
ABEL
板
RFC
DCC
C1
C2
C3
RF3
RF5
RF6
C
OMPONENT
首选评估板材料为0.25毫米厚的罗杰斯RT4350 。所有RF曲目应该是50欧姆
性能的材料。
SMA射频连接器
DC连接器
电容47pF的， 0402
电容470pF的， 0603
电容100pF的， 0402
4
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初步数据表V2.1
P
简称
A
SSEMBLY
I
NSTRUCTIONS
:
GaAs器件是脆弱的，应该
非常小心处理。特别设计的
夹头应该尽可能使用。
管芯的背面没有金属化和
推荐的安装方法是通过使用
导电环氧树脂。环氧树脂是应
施加在附接表面上均匀
与谨慎，以避免环氧侵犯
上的管芯的顶面和理想地应
不超过一半的芯片高度。
为
自动分配Ablestick LMISR4是
推荐和手动分配
Ablestick 84-1 LMI或84-1 LMIT是
推荐使用。这些应该在被固化
在烘箱温度为150℃进行1小时
特别是预留仅供环氧固化。如果
可能的固化烘箱应进行冲洗
用干燥的氮气。
这部分有金（Au ）接合焊盘要求
使用金（99.99 ％纯度）的接合线。这是
建议直径25.4μm金线
被使用。热压球焊是优选的。
150℃和标称阶段的温度
40克的粘结力已经表明，得到
有效的结果为25μm的金属丝。超声
能量应保持在最低限度。为了这
焊接技术，舞台温度应
不高于200 ℃，粘合力升高
不应该被上面60克提高。热超声
楔焊和热压
楔焊，也可用于实现
良好的引线键合。
键应该从模头首先被制成与
然后到安装基板或封装。
的接合线的物理长度应
最小尤其是当制作RF或
接地连接。
H
ANDLING
P
RECAUTIONS
:
为避免损坏
该
器件
CARE
应该行使
中
处理。
正确
静电
放电
（ ESD ）
预防措施应在各个阶段必须遵守
储存，搬运，装配和测试。
这些装置应被视为1A类
（ 0-500 V）作为JEDEC标准中定义号
22 - A114 。在ESD控制的更多信息
措施可以发现在MIL -STD- 1686和
MIL-HDBK-263.
A
PPLICATION
N
OTES
＆放大器;
ESIGN
D
ATA
:
应用笔记和设计数据，包括S-
参数，噪声数据和大信号
机型可在费尔多尼克网站。
D
ISCLAIMERS
:
本产品不适合在任何使用
基于空间或维持生命/支持
设备。
O
RDERING
I
载文信息
:
P
艺术
N
棕土
FMS2028-000-FF
FMS2028-000-WP
FMS2028-000-EB
D
ESCRIPTION
晶片安装在膜架
死在华夫格包
（ Gel-Pak的应要求提供）
模具安装在评估板
5
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QQ：2881677436 复制
