FMS2024
DC- 20 GH
Z
MMIC SPDT
EFLECTIVE
S
WITCH
F
EATURES
低插入损耗1.4分贝20 GHz的
高隔离37分贝20 GHz的
所有的反光设计
出色的低控制电压性能
提供裸片形式
RFIN
产品数据手册V3.0
F
UNCTIONAL
S
电气原理
V2
V1
RFO1
V11
V22
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该FMS2024是低损耗高隔离
宽带单极双掷镓
砷化开关，设计上的FL05为0.5μm
从费尔多尼克切换过程。
该工艺技术提供了领先优势
针对开关应用的性能进行了优化。
该FMS2024被用于宽带开发
通信，
仪器仪表
和
电子战市场。
V33
V44
V3
V4
RFO2
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
宽带通信
测试仪表
光学纤维
电子对抗（ ECM ， ESM ）
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
（小信号，除非另有说明）
P
ARAMETER
C
ONDITIONS
DC
5 GHz的
10 GHz的
15 GHZ
20 GHz的
DC - 20 GHz的
DC - 20 GHz的
DC - 20 GHz的
2 GHz的
10 GHz的
20 GHz的
20 ％至80％的射频
80 ％至20％的射频
50 ％的直流至80％的射频
50 ％的直流至20％的射频
M
IN
-1
-1.25
-1.6
-1.6
-1.8
–
–
–
23
22
22
–
–
–
–
T
YP
-0.7
-0.85
-1.1
-1.2
-1.35
-37
-14
-15
26
24
24
20
40
30
50
M
AX
–
–
–
–
–
-34
-11
-11
–
–
–
–
–
–
–
U
尼特
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
插入损耗
隔离
输入回波损耗
输出回波损耗
P1dB
开关速度
ns
注1：T
环境
= 25°C ， VCTRL = 0V / -5V ，Z
IN
= Z
OUT
= 50.
注2 ：亚10ns的10％至90 ％和90％至10％的转换速度可以通过改变操作来实现
从0V / -5V电压VCTRL至+ 1V / -5V 。
1
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
电子邮件： sales@filcs.com
电话：+44 （ 0 ） 1325 301111
网址：
www.filtronic.com
FMS2024
产品数据手册V3.0
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
P
ARAMETER
最大输入功率
控制电压
工作温度
储存温度
S
YMBOL
针
VCTRL
豪饮者
Tstor
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
+38dBm
+1/-10V
-40 ° C至+ 100°C
-55 ° C至+ 150°C
P
AD
N
AME
RFIN
RFO1
RFO2
D
ESCRIPTION
P
IN
C
OORDINATES
(m)
RFIN
RFOUT1
RFOUT2
V1
V2
V3
V4
V11
V22
V33
V44
116,1055
1408,1929
1408,181
645, 1929
395, 1929
395, 181
645, 181
1753,1608
1753,1408
1753,702
1753,502
注：超过这些绝对的任何一个
最大额定值可能会造成永久性的
损坏设备。
V1
V2
V3
P
AD
L
AYOUT
V4
V11
V22
V33
V44
注：坐标是从底部引用
左手边的模具的粘结垫的中心
开盘
D
IE
S
IZE
(m)
1910 x 2110
D
IE
T
HICKNESS
(m)
100
M
IN
. B
OND
P
AD
P
痒
(m)
150
M
IN
. B
OND PAD
O
PENING
（微米×
m
)
116 x 116
T
RUTH
T
ABLE
C
ONTROL线路
V1
OR
V11
-5V
0V
0V
RF
路径
V4
OR
V44
0V
-5V
0V
V2
OR
V22
0V
-5V
-5V
V3
OR
V33
-5V
0V
-5V
RFIN-RFO1
On
关闭
关闭
RFIN-RFO2
关闭
On
关闭
注1 ： -5V
±
0.2V; 0V
±
0.2V
注2 ： V11 ， V22 ， V33和V44是替代控制线为V1 ， V2 ，分别为V3和V4
2
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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FMS2024
产品数据手册V3.0
T
YPICAL
M
EASURED
P
ERFORMANCE
O
N
W
AFER
:
注：测试条件V
CTRL
= -5V （低） & 0V （高） ，T
环境
= 25 ° C除非另有说明
插入损耗
0.00
-0.20
-0.40
S21 （ dB）的
-0.60
-0.80
-1.00
-1.20
-1.40
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
S21 （ dB）的
0.00
-10.00
-20.00
-30.00
-40.00
-50.00
-60.00
-70.00
-80.00
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
隔离
输入回波损耗
0.00
-5.00
S11（ dB）的
S22 （ dB）的
0.00
-5.00
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
输出回波损耗
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
3
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产品数据手册V3.0
T
YPICAL
M
EASURED
P
ERFORMANCE
O
N
W
AFER OVER
T
emperature
:
注：测试条件V
CTRL
= -5V （低） & 0V （高）
T
环境
= 25°C
T
冷
= -40°C
T
热
= +85°C
插入损耗
0.10
-0.10
-0.30
S21 （ dB）的
0.00
-10.00
-20.00
-30.00
-40.00
-50.00
-60.00
-70.00
-80.00
隔离
S21 （ dB）的
-0.50
-0.70
-0.90
-1.10
-1.30
-1.50
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
输入回波损耗
0.00
-5.00
S11（ dB）的
输出回波损耗
0.00
-5.00
-10.00
S22 （ dB）的
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
4
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FMS2024
产品数据手册V3.0
P
简称
A
SSEMBLY
I
NSTRUCTIONS
:
GaAs器件是脆弱的，应该
非常小心处理。特别设计的
夹头应该尽可能使用。
管芯的背面是金属化和
推荐的安装方法是通过使用
焊锡或导电环氧树脂。如果是环氧树脂
选择，则它应该被施加到
附着表面均匀和有节制地来
避免在顶端环氧树脂的侵蚀
面的模具的，理想情况下应不超过
一半芯片的高度。对于自动分配
Ablestick LMISR4建议和
手动分配Ablestick 84-1 LMI或84-1
LMIT建议。这些应
固化在150 ℃的温度下在1小时内
烤箱特别预留环氧树脂固化
只。如果可能的话固化烘箱应
用干燥的氮气。
这部分有金（Au ）接合焊盘要求
使用金（99.99 ％纯度）的接合线。这是
建议直径25.4μm金线
被使用。热超声球焊是
首选。标称阶段的温度
150℃和40克的粘结力一直
如图给予有效的结果为25μm的金属丝。
超声波能量应保持在最低限度。
对于这种键合技术，舞台温度
不应高于200 ℃，键凸
力不应该被上面60克提高。
热超声
楔子
合
和
热压楔焊也可以
用来实现良好丝焊。
键应该从模头首先被制成与
然后到安装基板或封装。
的接合线的物理长度应
最小尤其是当制作RF或
接地连接。
H
ANDLING
P
RECAUTIONS
:
为了避免损坏器件护理应
在处理过程中行使。
正确
静电放电（ ESD ）注意事项
应于存储的所有阶段都可以观察到，
搬运，组装和测试。
这些
设备应被视为1A类（ 250-
500 V ），如JEDEC标准号定义22-
A114 。在ESD控制的更多信息
措施可以发现在MIL -STD- 1686和
MIL-HDBK-263.
A
PPLICATION
N
OTES
＆放大器;
ESIGN
D
ATA
:
应用笔记和设计数据，包括S-
参数可根据要求提供。
D
ISCLAIMERS
:
本产品不适合在任何使用
基于空间或维持生命/支持
设备。
O
RDERING
I
载文信息
:
P
艺术
N
棕土
FMS2024-000
D
ESCRIPTION
死在华夫格包
（ Gel-Pak的应要求提供）
5
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FMS2024
DC- 20 GH
Z
MMIC SPDT
EFLECTIVE
S
WITCH
F
EATURES
:
提供裸片形式
低插入损耗1.6分贝在20GHz的典型
非常高的隔离37分贝在20GHz的典型
出色的低控制电压性能
RFIN
初步数据表V2.2
F
UNCTIONAL
S
电气原理
:
V2
V1
RFO1
V11
V22
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FMS2024是低损耗高隔离
宽带单刀单掷镓
设计用于宽带使用砷化镓开关
通信仪器仪表及电子
战争中的应用。在模具制造
使用费尔多尼克FL05 0.5μm的切换过程
技术
那
报价
领导
EDGE
针对开关应用的性能进行了优化。
V33
V44
V3
V4
RFO2
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
宽带通信
仪器仪表
电子对抗（ ECM ， ESM ）
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
（基于晶圆上测量）
:
P
ARAMETER
插入损耗
插入损耗
插入损耗
隔离
隔离
隔离
回波损耗
开关速度
P1dB
C
ONDITIONS
（ DC - 10 ） GHz时，小信号
（ 10-15 ） GHz的小信号
（ 15-20 ） GHz的小信号
（ DC - 10 ） GHz时，小信号
（ 10-15 ） GHz的小信号
（ 15-20 ） GHz的小信号
（ DC - 20 ） GHz的小信号
50 ％对照，以10％/ 90％的射频
-5V控制
M
IN
T
YP
1.2
1.35
1.55
48
42
37
15
10
26
M
AX
U
尼特
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
DBM
注：t
环境
= 25°C ， VCTRL = 0V / -5V ，Z
IN
= Z
OUT
= 50
1
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FMS2024
初步数据表V2.2
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS ：
P
ARAMETER
最大输入功率
控制电压
工作温度
储存温度
S
YMBOL
针
VCTRL
豪饮者
Tstor
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
+38dBm
+ XV
-40 ° C至+ 100°C
-55 ° C至+ 150°C
注：超过这些绝对的任何一个
最大额定值可能会造成永久性的
损坏设备。
P
AD
L
AYOUT
:
P
AD
N
AME
RFIN
RFO1
RFO2
V1
V2
V3
V4
V11
V22
V33
V44
D
ESCRIPTION
RFIN
RFOUT1
RFOUT2
V1
V2
V3
V4
V11
V22
V33
V44
P
IN
C
OORDINATES
(m)
116,1055
1408,1929
1408,181
645, 1929
395, 1929
395, 181
645, 181
1753,1608
1753,1408
1753,702
1753,502
注：坐标是从底部引用
左手边的模具的粘结垫的中心
开盘
D
IE
S
IZE
(m)
1910 x 2110
D
IE
T
HICKNESS
(m)
100
M
IN
. B
OND
P
AD
P
痒
(m)
150
M
IN
. B
OND PAD
O
PENING
（微米×
m
)
116 x 116
T
RUTH
T
ABLE
:
C
ONTROL线路
V1
OR
V11
-5V
0V
0V
RF
路径
V4
OR
V44
0V
-5V
0V
V2
OR
V22
0V
-5V
-5V
V3
OR
V33
-5V
0V
-5V
RFIN-RFO1
On
关闭
关闭
RFIN-RFO2
关闭
On
关闭
注： -5V
±
0.2V; 0V
±
0.2V
注： V11 ， V22 ， V33和V44是替代控制线为V1 ， V2 ， V3和V4分别
2
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初步数据表V2.2
T
YPICAL
M
EASURED
P
ERFORMANCE
O
N
W
AFER
:
注：测试条件V
CTRL
= -5V （低） & 0V （高） ，T
环境
= 25 ° C除非另有说明
插入损耗（dB ）
0
-0.5
-1
-1.5
-2
1
6
11
频率（GHz ）
16
20
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
1
6
隔离度（dB ）
11
频率（GHz ）
16
20
输入回波损耗（dB ）
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
1
6
11
频率（GHz ）
16
20
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
1
输出回波损耗（dB ）
6
11
频率（GHz ）
16
20
3
2.5
损耗（dB）
10 GHz的
20 GHz的
2
1.5
1
0.5
0
15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26
输入电网（分贝M）
3
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FMS2024
初步数据表V2.2
P
简称
A
SSEMBLY
I
NSTRUCTIONS
:
GaAs器件是脆弱的，应该
非常小心处理。特别设计的
夹头应该尽可能使用。
管芯的背面是金属化和
推荐的安装方法是通过使用
焊锡或导电环氧树脂。如果是环氧树脂
选择，则它应该被施加到
附着表面均匀和有节制地来
避免在顶端环氧树脂的侵蚀
面的模具的，理想情况下应不超过
一半芯片的高度。对于自动分配
Ablestick LMISR4建议和
手动分配Ablestick 84-1 LMI或84-1
LMIT建议。这些应
固化在150 ℃的温度下在1小时内
烤箱特别预留环氧树脂固化
只。如果可能的话固化烘箱应
用干燥的氮气。
这部分有金（Au ）接合焊盘要求
使用金（99.99 ％纯度）的接合线。这是
建议直径25.4μm金线
被使用。热超声球焊是
首选。标称阶段的温度
150℃和40克的粘结力一直
如图给予有效的结果为25μm的金属丝。
超声波能量应保持在最低限度。
对于这种键合技术，舞台温度
不应高于200 ℃，键凸
力不应该被上面60克提高。
热超声
楔子
合
和
热压楔焊也可以
用来实现良好丝焊。
键应该从模头首先被制成与
然后到安装基板或封装。
的接合线的物理长度应
最小尤其是当制作RF或
接地连接。
H
ANDLING
P
RECAUTIONS
:
为了避免损坏器件护理应
在处理过程中行使。
正确
静电放电（ ESD ）注意事项
应于存储的所有阶段都可以观察到，
搬运，组装和测试。
这些
设备应被视为1A类（ 0-500
V）在JEDEC标准号定义22-
A114 。在ESD控制的更多信息
措施可以发现在MIL -STD- 1686和
MIL-HDBK-263.
A
PPLICATION
N
OTES
＆放大器;
ESIGN
D
ATA
:
应用笔记和设计数据，包括S-
参数可用;请联系
费尔多尼克化合物半导体有限公司
D
ISCLAIMERS
:
本产品不适合在任何使用
基于空间或维持生命/支持
设备。
O
RDERING
I
载文信息
:
P
艺术
N
棕土
FMS2024-000
D
ESCRIPTION
死在华夫格包
（ Gel-Pak的应要求提供）
4
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QQ：2881677436 复制
