添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第281页 > FMS2017-001-EB
初步数据表
2.1
FMS2017QFN
2.4GHz的DPDT GaAs单频段WLAN交换机
产品特点:
3x3x0.9mm封装的pHEMT开关
适用于单频段的WLAN 802.11b / g的
应用
出色的低控制电压性能
极低的插入损耗典型值。 0.6分贝为2.5GHz
高隔离度(典型值) 。 23分贝为2.5GHz
费尔多尼克先进的GaAs PHEMT技术
功能原理图
V4
TX / RF1
V3
ANT1
RF3
ANT2
RF4
V1
RX / RF2
V2
描述与应用:
该FMS2017QFN是低损耗,单波段砷化镓天线分集开关设计为
在无线局域网中应用程序中使用。该芯片使用的是费尔多尼克FL05 0.5μm的开关制造过程
技术,提供领先的性能优势,为开关应用进行了优化。
该FMS2017QFN设计用于支持802.11b / g无线局域网模块使用。
电气连接特定的阳离子:
参数
插入损耗(全路径)
隔离(全路径)
回波损耗
P0.1dB
二次谐波电平
3次谐波电平
开关速度
(T
环境
= 25 ° C,V
CTRL
= 0V / ( 2.4V , + 3.3V ) ,Z
IN
= Z
OUT
= 50)
条件
2.5GHz的,小信号
2.5GHz的,小信号
2.5GHz的,小信号
2.5GHz的控制电压3.0V
2.4GHz的,引脚= 32dBm的, VCTRL = 2.4V
2.4GHz的,引脚= 32dBm的, VCTRL = 2.4V
VCTRL = 2.4V ,针脚= 20dBm的
典型值
0.6
23
20
>33
-65
-65
20
最大
单位
dB
dB
dB
DBM
dBc的
dBc的
nS
注意:
外部隔直流电容器所需的所有RF端口(典型值: 47pF的)
终止50Ω所有未使用的端口。
1
初步规格如有变更,恕不另行通知
费尔多尼克化合物半导体有限公司
联系方式(UK ) :电话:+44 ( 0 ) 1325 301111传真: +44 ( 0 ) 1325 306177电子邮件: sales@filcs.com
联系方式(美国):电话: +1 ( 408 ) 850 5790
传真: +1 ( 408 ) 850 5766
电子邮件: sales@filcsi.com
网址: www.filtronic.co.uk/semis
初步数据表
2.1
FMS2017QFN
绝对最大额定值:
参数
最大输入功率
控制电压
工作温度
储存温度
符号
VCTRL
豪饮者
Tstor
绝对最大
+38dBm
+5V
-40 ° C至+ 100°C
-55 ° C至+ 150°C
注意:
超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会造成永久性损坏
装置。
事实表:
开关
状态
1
2
3
4
5
6
V1
V2
V3
V4
RX
ANT1
插入损耗
隔离
隔离
隔离
隔离
插入损耗
RX
ANT2
隔离
插入损耗
隔离
隔离
插入损耗
隔离
TX
ANT2
隔离
隔离
插入损耗
隔离
隔离
插入损耗
TX
ANT1
隔离
隔离
隔离
插入损耗
插入损耗
隔离
通用测试条件:
偏置电压
端口阻抗
断胳膊终止
LOW = 0V至0.2V
高+ 2.4V至+ 3.3V
50
50
2
初步规格如有变更,恕不另行通知
费尔多尼克化合物半导体有限公司
联系方式(UK ) :电话:+44 ( 0 ) 1325 301111传真: +44 ( 0 ) 1325 306177电子邮件: sales@filcs.com
联系方式(美国):电话: +1 ( 408 ) 850 5790
传真: +1 ( 408 ) 850 5766
电子邮件: sales@filcsi.com
网址: www.filtronic.co.uk/semis
初步数据表
2.1
FMS2017QFN
在评估板(DE-嵌入式)典型测量的性能:
(测试条件V
CTRL
= 3V ,T
环境
= 25 ° C除非另有说明)
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
dB
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
0.5
FMS2017QFN DE嵌入式插入损耗
1
1.5
2
频率(GHz )
2.5
3
-15
-17.5
-20
-22.5
-25
dB
-27.5
-30
-32.5
-35
-37.5
-40
0.5
1
FMS2017QFN隔离
1.5
2
频率(GHz )
2.5
3
-10
-12.5
-15
-17.5
-20
-22.5
dB
-25
-27.5
-30
-32.5
-35
-37.5
-40
0.5
1
FMS2017QFN RETURN LOSS
1.5
2
频率(GHz )
2.5
3
3
初步规格如有变更,恕不另行通知
费尔多尼克化合物半导体有限公司
联系方式(UK ) :电话:+44 ( 0 ) 1325 301111传真: +44 ( 0 ) 1325 306177电子邮件: sales@filcs.com
联系方式(美国):电话: +1 ( 408 ) 850 5790
传真: +1 ( 408 ) 850 5766
电子邮件: sales@filcsi.com
网址: www.filtronic.co.uk/semis
初步数据表
2.1
FMS2017QFN
键盘布局:
V4
TX
RF1
V3
引脚数
1
描述
N / C
ANT1 / RF3
N / C
V1
RX / RF2
V2
N / C
ANT2 / RF4
N / C
V3
TX / RF1
V4
GND
销1
12
11
10
9
2
3
4
ANT1
RF3
2
3
4
7
5
6
ANT2
RF4
5
6
7
8
9
10
11
V1
RX
RF2
V2
12
*查看从封装的顶部
QFN 12铅3 * 3封装外形:
4
初步规格如有变更,恕不另行通知
费尔多尼克化合物半导体有限公司
联系方式(UK ) :电话:+44 ( 0 ) 1325 301111传真: +44 ( 0 ) 1325 306177电子邮件: sales@filcs.com
联系方式(美国):电话: +1 ( 408 ) 850 5790
传真: +1 ( 408 ) 850 5766
电子邮件: sales@filcsi.com
网址: www.filtronic.co.uk/semis
初步数据表
2.1
FMS2017QFN
评估板:
V4 , GND , V3
RF1/TX
BOM
LABEL
C1
C2
部件
电容100pF的, 0603
电容47pF的, 0402
首选评估板材料是0.25
毫米厚的罗杰斯RT4350 。所有RF曲目
应为50欧姆的特性
C2
C2
C2
C2
C2
C1 C1
C2
C2
C2
阻抗。
绝对位置
关键的。
RF3/ANT1
C1 C1
RF4/ANT2
表面安装的去耦合电容不
RF2/RX
V 1 ,GND V2
评估板德嵌入数据(测量) :
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
dB
FMS2017QFN CAL议会插入损耗
-15
-17.5
-20
-22.5
-25
-27.5
dB
-30
-32.5
-35
-37.5
-40
-42.5
-45
FMS2017QFN CAL议会RETURN LOSS
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
0.5
1
1.5
2
频率(GHz )
2.5
3
0.5
1
1.5
2
频率(GHz )
2.5
3
5
初步规格如有变更,恕不另行通知
费尔多尼克化合物半导体有限公司
联系方式(UK ) :电话:+44 ( 0 ) 1325 301111传真: +44 ( 0 ) 1325 306177电子邮件: sales@filcs.com
联系方式(美国):电话: +1 ( 408 ) 850 5790
传真: +1 ( 408 ) 850 5766
电子邮件: sales@filcsi.com
网址: www.filtronic.co.uk/semis
查看更多FMS2017-001-EBPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FMS2017-001-EB
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
FMS2017-001-EB
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8518
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多FMS2017-001-EB供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!