初步数据表
2.1
FMS2003QFN-1
大功率反光砷化镓SP4T开关
产品特点：
3x3x0.9mm封装的pHEMT开关
镍钯金用于完成军事和高
可靠性的应用
出色的低控制电压性能
在优良的谐波性能
GSM / DCS / PCS / EDGE的功率电平
高隔离度： >30分贝在0.9GHz
低插入损耗： 0.5分贝在0.9GHz
低控制电流
功能原理图
蚂蚁
RF1
RF2
RF3
RF4
描述与应用：
该FMS2003QFN是一个低损耗，高功率和线性单刀4掷砷化镓
天线开关设计用于在移动手持机应用程序使用。模具是使用所制造的
费尔多尼克FL05 0.5μm的开关过程中的技术，它提供了卓越的性能优化
交换机的应用程序。该FMS2003QFN是专为双/三核和四频GSM手机使用
天线开关模块和RF前端模块。它也可以在其他应用中使用
高功率和线性RF切换是必要的。
电气连接特定的阳离子：
参数
插入损耗
回波损耗
(T
环境
= 25 ° C，V
CTRL
= 0V / 2.5V ，Z
IN
= Z
OUT
= 50)
测试条件
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
0.5 - 2.5 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
1 GHz时，引脚= +35 dBm时， 100 ％占空比
2 GHz时，引脚= + 33dBm的， 100 ％占空比
1 GHz时，引脚= +35 dBm时， 100 ％占空比
2 GHz时，引脚= + 33dBm的， 100 ％占空比
10 ％至90％的射频
九成-10％射频
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
TX1 836Hz Tx2的837MHz + 21dBm RX1 880MHz -25dBm
TX1 1879.5MHz Tx2的1880.5MHz + 21dBm ， RX1 1960MHz -25dBm
+ 35dBm的RF输入@ 1GHz的
民
典型值
<0.62
<0.65
20
>30
>26
-69
-67
-69
-70
<0.15
<0.06
38
38
>65
>62
>110
最大
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
s
s
DBM
隔离
二次谐波电平
3次谐波电平
切换速度：素养， TFALL
P0.1dB
IP3
DBM
交叉调制
DBM
A
控制电流
<10
1
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2.1
FMS2003QFN-1
绝对最大额定值：
参数
最大输入功率
控制电压
工作温度
储存温度
符号
针
V CTRL
牛逼OPER
牛逼STOR
绝对最大
+38dBm
+5V
-40 ° C至+ 100°C
-55 ° C至+ 150°C
注意：
超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会造成永久性损坏
装置。
事实表：
开关
状态
(A)
V1
V2
V3
V4
蚂蚁
TO
RF1
插入
损失
隔离
蚂蚁
TO
RF2
隔离
插入
损失
隔离
蚂蚁
TO
RF1
隔离
蚂蚁
TO
RF2
隔离
高
低
低
低
(B)
低
高
低
低
隔离
插入
损失
隔离
隔离
(C)
低
低
高
低
隔离
隔离
插入
损失
(D)
低
低
低
高
隔离
隔离
通用测试条件：
偏置电压
端口阻抗
断胳膊终止
LOW = 0V至0.2V
高+ 2.5V至+ 5V
50
50
注意：
外部隔直流电容器所需的所有RF端口（典型值： 100pF的）
2
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FMS2003QFN-1
在评估板（DE-嵌入式）典型测量的性能：
（测试条件V
CTRL
= 2.5V （高） & 0V （低） ，T
环境
= 25 ° C除非另有说明）
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
dB
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
0.5
FMS2003QFN DE嵌入式插入损耗
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
3
3.5
-15
FMS2003QFN隔离
-20
关键要测量
-25
-30
--
--
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
3.5
dB
测量唉-40°C
-35
测量AY 85°C
-40
--
测量AY 25℃
-10
FMS2003QFN RETURN LOSS
-15
dB
-20
-25
-30
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
3.5
3
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FMS2003QFN-1
键盘布局：
V1
蚂蚁
V2
引脚数
1
描述
RF1
GND
RF3
V3
N / C
V4
RF4
GND
RF2
V2
ANT RF
V1
GND
销1
RF1
2
RF3
3
12
11
10
9
RF2
2
3
4
桨
8
7
RF4
5
6
7
8
9
10
11
4
5
6
V3
V4
12
桨
*查看从封装的顶部
QFN 12铅3 * 3封装外形：
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4
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FMS2003QFN-1
评估板：
BOM
LABEL
C6
C1
C5
C7
C2
C10, C11, C12,
C13
C1,C2,
C3,C4,C5
C6, C7, C8, C9
部件
电容470pF的， 0603
电容100pF的， 0402
电容47pF的， 0402
C3
C10
C8 C9
C4
首选评估板材料为0.25毫米厚
板
罗杰斯RT4350 。所有RF曲目应该是50欧姆
特性阻抗。
C11 C12 C13
评估板德嵌入数据（测量） ：
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
dB
FMS2003QFN校准板插入损耗
-15
FMS2003QFN校准板RETURN LOSS
-20
-25
dB
-30
-35
0.5
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
3
3.5
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
-40
0.5
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
3
3.5
5
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