【SOT23封装PNP硅平面中功率晶体管第3期？ 1996年1月特点*50 ，在我收获C=100mAF】,IC型号FMMTA56,FMMTA56 PDF资料,FMMTA56经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第348页 > FMMTA56

SOT23封装PNP硅平面

中功率晶体管

第3期？ 1996年1月

特点

*

50 ，在我收获

C

=100mA

FMMTA55 - 2H

FMMTA56 - 2G

FMMTA55R - NB

FMMTA56R - MB

7

FMMTA55

FMMTA56

C

B

E

PARTMARKING详细信息 -

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度

范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

-60

-60

-80

-80

-4

-500

330

-55到+150

SOT23

FMMTA55 FMMTA56

单位

V

V

V

mA

mW

°C

电气特性（在T

AMB

= 25°C).

FMMTA55

参数

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

截止电流

集电极 - 基

截止电流

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CES

I

CBO

50

50

-0.25

-1.2

100

100

分钟。

-60

-4

-0.1

FMMTA56

MAX 。 UNIT

V

V

-0.1

-0.1

50

50

-0.25

-1.2

V

V

兆赫

A

A

MAX 。 MIN 。

-80

-4

条件。

I

C

= -1mA ，我

B

=0*

I

E

=-100

A，I

C

=0

V

CE

=-60V

V

CB

= -80V ，我

E

=0

V

CB

= -60V ，我

E

=0

I

C

= -10mA ，V

CE

=1V*

I

C

= -100mA ，V

CE

=1V*

I

C

=-100mA,

I

B

=-10mA*

I

C

= -100mA ，V

CE

=-1V*

I

C

= -10mA ，V

CE

=-2V

f=100MHz

-0.1

静态前进

h

FE

电流传输比

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

导通电压

过渡

频率

V

CE （ SAT ）

V

BE（上）

f

T

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

3 - 177

SOT23封装PNP硅平面

中功率晶体管

第4期 - 2001年3月

特点

*

50 ，在我收获

C

=100mA

FMMTA56

E

C

B

PARTMARKING详细信息 -

FMMTA56 - 2G

FMMTA56R - MB

SOT23

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度

范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

FMMTA56

-80

-80

-4

-500

330

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

电气特性（在T

AMB

= 25°C).

FMMTA56

参数

集电极 - 发射极击穿

电压

发射极 - 基极击穿

电压

集电极 - 发射极截止

当前

集电极 - 基极截止电流

静态正向电流传输

比

集电极 - 发射极饱和

电压

基射

导通电压

过渡

频率

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CES

I

CBO

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

BE（上）

f

T

100

50

50

-0.25

-1.2

V

V

兆赫

分钟。

-80

-4

-0.1

-0.1

马克斯。

单位

V

V

条件。

I

C

= -1mA ，我

B

=0*

I

E

=-100

A，I

C

=0

V

CE

=-60V

V

CB

= -80V ，我

E

=0

V

CB

= -60V ，我

E

=0

I

C

= -10mA ，V

CE

=1V*

I

C

= -100mA ，V

CE

=1V*

I

C

= -100mA ，我

B

=-10mA*

I

C

= -100mA ，V

CE

=-1V*

I

C

= -10mA ，V

CE

=-2V

f=100MHz

A

A

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

TBA

SOT23封装PNP硅平面

中功率晶体管

第4期 - 2001年3月

特点

*

50 ，在我收获

C

=100mA

FMMTA56

E

C

B

PARTMARKING详细信息 -

FMMTA56 - 2G

FMMTA56R - MB

SOT23

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度

范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

FMMTA56

-80

-80

-4

-500

330

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

电气特性（在T

AMB

= 25°C).

FMMTA56

参数

集电极 - 发射极击穿

电压

发射极 - 基极击穿

电压

集电极 - 发射极截止

当前

集电极 - 基极截止电流

静态正向电流传输

比

集电极 - 发射极饱和

电压

基射

导通电压

过渡

频率

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CES

I

CBO

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

BE（上）

f

T

100

50

50

-0.25

-1.2

V

V

兆赫

分钟。

-80

-4

-0.1

-0.1

马克斯。

单位

V

V

条件。

I

C

= -1mA ，我

B

=0*

I

E

=-100

A，I

C

=0

V

CE

=-60V

V

CB

= -80V ，我

E

=0

V

CB

= -60V ，我

E

=0

I

C

= -10mA ，V

CE

=1V*

I

C

= -100mA ，V

CE

=1V*

I

C

= -100mA ，我

B

=-10mA*

I

C

= -100mA ，V

CE

=-1V*

I

C

= -10mA ，V

CE

=-2V

f=100MHz

A

A

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

TBA

SOT23封装PNP硅平面

中功率晶体管

第4期 - 2001年3月

特点

*

50 ，在我收获

C

=100mA

FMMTA56

E

C

B

PARTMARKING详细信息 -

FMMTA56 - 2G

FMMTA56R - MB

SOT23

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度

范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

FMMTA56

-80

-80

-4

-500

330

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

电气特性（在T

AMB

= 25°C).

FMMTA56

参数

集电极 - 发射极击穿

电压

发射极 - 基极击穿

电压

集电极 - 发射极截止

当前

集电极 - 基极截止电流

静态正向电流传输

比

集电极 - 发射极饱和

电压

基射

导通电压

过渡

频率

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CES

I

CBO

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

BE（上）

f

T

100

50

50

-0.25

-1.2

V

V

兆赫

分钟。

-80

-4

-0.1

-0.1

马克斯。

单位

V

V

条件。

I

C

= -1mA ，我

B

=0*

I

E

=-100

A，I

C

=0

V

CE

=-60V

V

CB

= -80V ，我

E

=0

V

CB

= -60V ，我

E

=0

I

C

= -10mA ，V

CE

=1V*

I

C

= -100mA ，V

CE

=1V*

I

C

= -100mA ，我

B

=-10mA*

I

C

= -100mA ，V

CE

=-1V*

I

C

= -10mA ，V

CE

=-2V

f=100MHz

A

A

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

TBA

查看更多FMMTA56PDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

FMMTA56

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

FMMTA56

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市恒达亿科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：3004390991 复制

点击这里给我发消息

QQ：3004390992 复制

点击这里给我发消息

QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189

联系人：夏先生朱小姐

地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）

FMMTA56

ZETEX

25+

4500

SOP8

全新原装现货特价销售！

上海熠富电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：565106636 复制

点击这里给我发消息

QQ：414322027 复制

电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847

联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

FMMTA56

ZETEX

2024

20918

SOT-23

上海原装现货库存，欢迎咨询合作

北京首天伟业科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1584878981 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

FMMTA56

ZETEX

14+

56000

DIP

全新原装正品/质量有保证

北京人上科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

FMMTA56

√ 欧美㊣品

▲10/11+

10359

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

北京显周科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

FMMTA56

√ 欧美㊣品

▲10/11+

8942

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

标准国际（香港）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2433532182 复制

电话：755-83206150/83258002/83223169

联系人：蔡小姐

地址：新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

FMMTA56

ZETEX

05+

12000

晶体管

公司现货!只做原装!

查询更多FMMTA56供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！