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SOT23 NPN硅平面

高速开关晶体管

第3期？ 1995年8月

应用

这些设备适合于高速，低电流使用

切换应用程序

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FMMT2369

- 1J

FMMT2369R

- 9R

FMMTA2369A - P5

FMMTA2369AR - 9A

FMMT2369

FMMT2369A

C

B

SOT23

E

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

参数

符号

符号

V

CBO

V

CES

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

价值

40

40

15

4.5

200

330

-55到+150

单位

V

V

V

V

mA

mW

°C

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

集电极 - 基

V

（ BR ） CBO

击穿电压

集电极 - 发射极

V

（ BR ） CEO

击穿电压V

（ BR ） CES

发射极 - 基

V

（ BR ） EBO

击穿电压

集电极截止

I

CBO

当前

集电极 - 发射极

V

CE （ SAT ）

饱和电压

基射

V

BE （ SAT ）

饱和电压

h

FE

静态前进

电流传输

比

输出电容C

敖包

开启时间

t

on

打开-O FF时间

贮存时间

t

关闭

t

s

FMMT2369 FMMT2369A单位条件。

分钟。马克斯。分钟。马克斯。

40

40

V

I

C

=10

A，I

E

=0

15

40

4.5

400

0.25

0.7

40

20

20

4

12

18

13

0.85

120

0.7

40

20

4

12

18

13

pF

ns

ns

ns

15

40

4.5

25

0.20

0.85

120

V

V

V

nA

V

V

I

C

= 10毫安，我

B

=0*

I

C

=10

A，V

BE

=0

I

E

=10

A，I

C

=0

V

CB

= 20V ，我

E

=0

I

C

= 10毫安，我

B

=1mA*

I

C

= 10毫安，我

B

=1mA*

I

C

= 10毫安，V

CE

=1V*

I

C

= 10毫安，V

CE

= 1V ，T

AMB

=-55°C*

I

C

= 100mA时V

CE

=1V*

I

C

= 100mA时V

CE

=2V*

V

CB

= 5V ，我

E

= 0中，f = 140KHz

V

CC

=3V, V

BE （OFF）的

= 1.5V我

C

=10mA,

I

B1

= 3毫安（见T

ON

电路）

V

CC

= 3V ，我

C

= 10毫安，我

B1

=3mA

I

B2

= 1.5毫安（见T

关闭

电路）

I

C

=I

B1

= I

B2

=10mA

（请参阅存储测试电路）

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

辣妹参数数据可应要求提供此设备

FMMT2369

FMMT2369A

t

ON

电路

t1

+10.6V

3V

270

0

-1.5V

< 1ns的

3K3

CS < 4PF *

脉冲宽度（T

1

)=300ns

占空比= 2 ％

t

关闭

电路

t1

+10.75V

3V

270

0

3K3

-4.15V

< 1ns的

CS < 4PF *

脉冲宽度（T

1

)=300ns

占空比= 2 ％

存储测试电路

t1

+6V

10V

980

0

-4V

< 1ns的

500

CS < 3pF的*

脉冲宽度（T

1

)=300ns

占空比= 2 ％

*测试夹具和连接器共有并联电容

3-69

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