FM24C256为256 kbit 2线总线接口的串行EEPROM，带有写保护
初步
1999年8月
FM24C256
256 Kbit的2线总线接口
串行EEPROM，带有写保护
概述
该FM24C256 / C256L / C256LZ设备256千位CMOS
非易失性电可擦除存储器。这些器件提供了
设计师不同的低电压和低功耗选项。他们
符合在扩展I的所有要求
2
C 2 - wire协议。
此外，它们被设计为最小化器件的引脚数和
简化PC板布局的要求。
整个存储器阵列可以被禁用（写保护）通过
将WP引脚连接到V
CC
.
功能性地址线允许多达8个设备在同一
总线，最多总共2兆比特的地址空间。
在我
2
I2C通信协议采用时钟（SCL ）和数据
I / O （ SDA）线到主控之间的同步时钟数据
（例如微处理器）和从EEPROM器件（多个） 。
仙童的EEPROM的设计和测试应用程序
要求高耐用性，高可靠性和低功率变
消费。
特点
I
扩展工作电压
- C256 ： 4.5V - 5.5V
- C256L ： 2.7V - 5.5V
- C256LZ ： 2.7V - 5.5V
I
低功耗CMOS
- 1毫安典型工作电流
- C256 / C256L ： 10μA待机电流典型
- C256LZ ：小于1μA待机电流
I
2线I
2
C接口
I
64字节页写模式
I
对6ms的字节/页的最大写周期时间
I
40年数据保留
I
耐力： 100,000个数据的变化
I
硬件写保护对整个阵列
I
施密特触发器输入的噪声抑制
I
静电放电保护> 4000V
I
8引脚DIP和8引脚SO （ 150万美元）软件包
框图
VCC
WP
SDA
开始
停止
逻辑
控制
逻辑
从机地址
寄存器&
比较
负载
A2
A1
A0
字
地址
计数器
INC。
E2PROM
ARRAY
写
封锁
启动循环
H.V. GENERATION
时序&CONTROL
SCL
XDEC
读/写
YDEC
CK
DIN
数据寄存器
DOUT
DS800023-1
1999仙童半导体公司
FM24C256转速。 A.2
1
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FM24C256为256 kbit 2线总线接口的串行EEPROM，带有写保护
接线图
双列直插式封装（ N）
与8引脚SO封装（ M8 ）
A0
A1
A2
VSS
1
8
VCC
WP
SCL
SDA
DS800023-2
2
FM24C256
7
FM24C256L
3
FM24C256LZ
6
4
5
顶视图
见包装数N08E和M08A
引脚名称
A0, A1, A2
V
SS
SDA
SCL
WP
V
CC
器件地址输入
地
数据I / O
时钟输入
写保护
电源
订购信息
FM
24
C
XX
F
LZ
E
XX
包
TEMP 。 RANGE
信
N
M8
无
V
E
空白
L
LZ
空白
F
256
C
接口
24
FM
描述
8引脚DIP
8引脚SO8
0至70℃
-40至+ 125°C
-40至+ 85°C
4.5V至5.5V
2.7V至5.5V
2.7V至5.5V，
<1μA待机电流
100KHz
400KHz
256K具有写保护
CMOS
IIC - 2线
仙童非易失性
内存
工作电压范围
SCL时钟频率
密度
2
FM24C256转速。 A.2
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FM24C256为256 kbit 2线总线接口的串行EEPROM，带有写保护
绝对最大额定值
保存环境温度
所有的输入或输出电压
相对于地面
焊接温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
6.5V至-0.3V
+300°C
4000V分钟。
工作条件
工作环境温度
FM24C256
FM24C256E
FM24C256V
正电源。
FM24C256
FM24C256L
FM24C256LZ
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
4.5V至5.5V
2.7V至5.5V
2.7V至5.5V
标准的V
CC
（ 4.5V至5.5V ）直流电气特性
符号
I
CCA
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
参数
有源电源电流
待机电流
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
测试条件
民
f
SCL
= 100千赫
f
SCL
= 400千赫
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
–0.3
V
CC
x 0.7
I
OL
= 2.1毫安
范围
典型值
0.5
10
0.1
0.1
单位
最大
1.0
50
1
1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 0.5
0.4
mA
A
A
A
V
V
V
低V
CC
（ 2.7V至5.5V ）直流电气特性
符号
I
CCA
I
SB
（注1 ）
参数
有源电源电流
待机电流对于L
待机电流为LZ
测试条件
民
f
SCL
= 100千赫
f
SCL
= 400千赫
V
IN
= GND或V
CC
= 4.5V - 5.5V
V
IN
= GND或V
CC
= 2.7V - 4.5V
V
IN
= GND或V
CC
= 4.5V - 5.5V
V
IN
= GND或V
CC
= 2.7V - 4.5V
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
–0.3
V
CC
x 0.7
I
OL
= 2.1毫安
范围
典型值
0.5
10
1
10
0.1
0.1
0.1
单位
最大
1.0
50
10
50
1
1
1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 0.5
0.4
mA
A
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
A
A
V
V
V
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= 5V
符号
C
I / O
C
IN
TEST
输入/输出电容（ SDA ）
输入电容（ A0，A1 ，A2 ，SCL）
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
8
6
单位
pF
pF
注1 ：
典型值是在t
A
= 25 ° C和标称电源电压（ 5V ） 。
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FM24C256转速。 A.2
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