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SMD型
NPN硅功率晶体管
FMMT617TA
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
■
特点
●
功耗： P
合计
=625mW
●
集电极电流：I
C
=3A
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
1.Base
2.Emitter
3.collector
■
绝对最大额定值TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流* 1
在环境温度Tamb功耗= 25 ℃ * 2
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
:T
英镑
等级
15
15
5
3
12
625
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
℃
* 1 。脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300毫秒。占空比
≤2%
* 2.最大功耗计算假定该设备被安装在陶瓷
底测量15x15x0.6mm
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
+0.1
-0.1
www.kexin.com.cn
1
SMD型
FMMT617TA
■
电气特性TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
I
C
=100μA
I
C
=10mA*
I
E
=100μA
V
CB
=10V
V
EB
=4V
V
CES
=10V
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA*
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 3A ，我
B
=50mA*
基射极饱和电压
基射极导通电压
V
BE （ SAT ）
V
BE （ OM ）
I
C
= 3A ，我
B
=50mA*
I
C
= 3A ，V
CE
=2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=2V*
I
C
=的200mA， V
CE
=2V*
静态正向电流传输比
h
FE
I
C
= 3A ，V
CE
=2V*
I
C
= 5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 12A ，V
CE
=2V*
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
I
C
= 50mA时V
CE
=10V,f=50MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
=3A
I
B
1=I
B
2=50mA
测试条件
晶体管
民
15
15
5
典型值
最大
单位
V
V
V
100
100
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8
70
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0.9
0.84
200
300
200
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415
450
320
240
80
80
120
30
120
160
40
14
100
200
1.0
1.0
nA
nA
nA
mV
mV
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V
V
MH
Z
pF
ns
ns
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
2
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SMD型
晶体管
IC
晶体管
产品speci fi cation
FMMT617TA
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
■
特点
●
功耗： P
合计
=625mW
●
集电极电流：I
C
=3A
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
1.Base
2.Emitter
3.collector
■
绝对最大额定值TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流* 1
在环境温度Tamb功耗= 25 ℃ * 2
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
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英镑
等级
15
15
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-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
℃
* 1 。脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300毫秒。占空比
≤2%
* 2.最大功耗计算假定该设备被安装在陶瓷
底测量15x15x0.6mm
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
+0.1
-0.1
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
SMD型
晶体管
IC
晶体管
晶体管
产品speci fi cation
■
电气特性TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
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I
CBO
I
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I
CES
I
C
=100μA
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=10mA*
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=4V
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=10V
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= 1A ，我
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B
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I
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CE
=2V*
I
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CE
=2V*
I
C
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静态正向电流传输比
h
FE
I
C
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CE
=2V*
I
C
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CE
=2V*
I
C
= 12A ，V
CE
=2V*
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
I
C
= 50mA时V
CE
=10V,f=50MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
=3A
I
B
1=I
B
2=50mA
测试条件
FMMT617TA
民
15
15
5
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典型值
最大
单位
V
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nA
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mV
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V
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*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
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