【SOT23封装PNP硅平面中功率晶体管第3期？ 1996年1月特点* 150伏V首席执行官* 1安培】,IC型号FMMT555,FMMT555 PDF资料,FMMT555经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13751165337

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第277页 > FMMT555

SOT23封装PNP硅平面

中功率晶体管

第3期？ 1996年1月

特点

* 150伏V

首席执行官

* 1安培连续电流

互补式 -

PARTMARKING详细信息 -

FMMT455

555

FMMT555

E

C

B

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

基极电流

在T功耗

AMB

= 25°C

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

I

B

P

合计

T

j:

T

英镑

价值

-160

-150

-5

-2

-1

-200

500

SOT23

单位

V

V

V

A

A

mA

mW

°C

-55到+150

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基射

导通电压

静态正向电流

传输比

跃迁频率

输出电容

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

f

T

C

敖包

50

50

100

10

分钟。

-160

-150

-5

-0.1

-10

-0.1

-0.3

-1

-1

300

兆赫

pF

最大

单位

V

V

V

A

A

A

条件。

I

C

=-100

A

I

C

=-10mA*

I

E

=-100

A

V

CB

=-140V

V

CB

= -140V ，T

AMB

=100°C

V

EB

=-4V

I

C

= -100mA ，我

B

=-10mA*

I

C

= -100mA ，我

B

=-10mA*

I

C

= -100mA ，V

CE

=-10V*

I

C

= -10mA ，V

CE

=-10V*

I

C

= -300mA ，V

CE

=-10V*

I

C

= -50mA ，V

CE

=-10V

f=100MHz

V

CB

= -10V ， F = 1MHz的

V

V

V

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

辣妹参数数据可应要求提供此设备

3 - 131

FMMT555

典型特征

ZTX5 5 4/5 5 -2

-0.8

I

C

/I

B

=10

-0.6

tr

ns

500

ts

s

5

ts

tf

ns

1000

I

B1

=I

B2

=I

C

/10

- （伏）

开关时间

400

4

800

-0.4

300

3

tf

600

td

ns

-0.2

200

2

td

400

100

V

100

1

tr

-0.1

-1

200

50

0

-0.0001

-0.001

-0.01

-0.1

-1

0

0

-0.01

0

0

I

C

-

集电极电流（安培）

I

C

-

集电极电流（安培）

V

CE （ SAT ）

V I

C

转换速度

100

-1.4

- 归一化增益（％）

80

V

CE

=-10V

-1.2

I

C

/I

B

=10

60

- （伏）

V

-1.0

40

-0.8

20

-0.6

h

0

-0.0001

-0.001

-0.01

-0.1

1

-0.0001

-0.001

-0.01

-0.1

-1

I

C

-

集电极电流（安培）

I

C

-

集电极电流（安培）

h

FE

V I

C

10

1

0.1

0.01

0.001

0.1V

V

BE （ SAT ）

V I

C

在环境温度Tamb单脉冲测试= 25°C

-1.4

-1.2

V

CE

=-10V

- （伏）

-1.0

V

-0.8

DC

1s

100ms

10ms

1ms

100

s

-0.6

-0.0001

-0.001

-0.01

-0.1

-1

1V

10V

100V

1000V

I

C

-

集电极电流（安培）

V

CE

- 集电极发射极电压（V ）

V

BE（上）

V I

C

安全工作区

3 - 132

SOT23封装PNP硅平面

中功率晶体管

问题

4

–

2003年8月

特点

* 150伏V

首席执行官

* 1安培连续电流

互补式 -

PARTMARKING详细信息 -

FMMT455

FMMT555

C

E

B

555

SOT23

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

I

B

P

合计

T

j:

T

英镑

价值

-160

-150

-5

-2

-1

-200

500

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

mA

mW

°C

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

基极电流

在T功耗

AMB

= 25°C

工作和存储温度范围

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基射

导通电压

静态正向电流

传输比

跃迁频率

输出电容

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

f

T

C

敖包

50

50

100

10

分钟。

-160

-150

-5

-0.1

-10

-0.1

-0.3

-1

-1

最大

单位

V

V

V

A

A

A

条件。

I

C

=-100 A

I

C

=-10mA*

I

E

=-100 A

V

CB

=-140V

V

CB

= -140V ，T

AMB

=100°C

V

EB

=-4V

I

C

= -100mA ，我

B

=-10mA*

I

C

= -100mA ，我

B

=-10mA*

I

C

= -100mA ，V

CE

=-10V*

I

C

= -10mA ，V

CE

=-10V*

I

C

= -300mA ，V

CE

=-10V*

兆赫

pF

I

C

= -50mA ，V

CE

=-10V

f=100MHz

V

CB

= -10V ， F = 1MHz的

V

V

V

300

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300秒。占空比2 ％

辣妹参数数据可应要求提供此设备

3 - 131

FMMT555

典型特征

ZTX

554/55-2

I

B1

=I

B2

=I

C

/10

tf

ns

1000

800

-0.8

I

C

/I

B

=10

tr

ns

500

ts

s

5

4

3

2

td

100

1

0

-0.01

tr

-0.1

-1

200

0

50

0

tf

ts

V

CE （ SAT ）

- （伏）

-0.6

开关时间

400

300

200

-0.4

TD 600

ns

400 100

-0.2

0

-0.0001

-0.001

-0.01

-0.1

-1

0

I

C

-

集电极电流（安培）

I

C

-

集电极电流（安培）

V

CE （ SAT ）

V I

C

转换速度

100

-1.4

h

FE

- 归一化增益（％）

80

-1.2

I

C

/I

B

=10

60

40

V

BE （ SAT ）

- （伏）

V

CE

=-10V

-1.0

-0.8

20

0

-0.6

-0.0001

-0.001

-0.01

-0.1

1

-0.0001

-0.001

-0.01

-0.1

-1

I

C

-

集电极电流（安培）

I

C

-

集电极电流（安培）

h

FE

V I

C

V

BE （ SAT ）

V I

C

在环境温度Tamb单脉冲测试= 25°C

-1.4

10

-1.2

I

C

-collector电流（A ）

V

CE

=-10V

1

V

BE

- （伏）

-1.0

0.1

-0.8

-0.6

-0.0001

-0.001

-0.01

-0.1

-1

0.001

0.1V

1V

I

C

-

集电极电流（安培）

V

CE

- 集电极发射极电压（V ）

V

BE（上）

V I

C

安全工作区

3 - 132

0.01

DC

1s

100ms

10ms

1ms

100 s

10V

100V

1000V

SMD型

中功率晶体管

FMMT555

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

晶体管

单位：mm

+0.1

2.4

-0.1

150伏V

首席执行官

1安培连续电流

1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

+0.1

1.3

-0.1

特点

2

0.55

0.4

3

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

0.97

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

基极电流

功耗

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

I

B

P

合计

T

j,

T

英镑

等级

-160

-150

-5

-2

-1

-200

500

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

mA

mW

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压*

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压*

基射极饱和电压*

基射极导通电压*

静态正向电流传输比

跃迁频率

输出电容

*脉冲测试： TP = 300 ;

0.02.

符号

V

（ BR ） CBO

I

C

=-100ìA

V

（ BR ） CEO

I

C

=-10mA

V

（ BR ） EBO

I

E

=-100ìA

I

CBO

I

EBO

V

CB

=-140V

V

CB

= -140V ，TA = 100

V

EB

=-4V

Testconditons

民

-160

-150

-5

-0.1

-10

-0.1

-0.3

-1

-1

50

50

100

10

兆赫

pF

300

典型值

最大

单位

V

V

V

ìA

ìA

ìA

V

V

V

V

CE（

SAT ）I

C

= -100mA ，我

B

=-10mA

V

BE （

SAT ）I

C

= -100mA ，我

B

=-10mA

V

BE（上）

I

C

=-100mA,V

CE

=-10V

h

FE

f

T

C

敖包

I

C

= -10mA ，V

CE

=-10V

I

C

= -300mA ，V

CE

=-10V

I

C

=-50mA,V

CE

=-10V,f=100MHz

V

CB

=-10V,f=1MHz

记号

记号

555

+0.1

0.38

-0.1

0-0.1

www.kexin.com.cn

1

SMD型

晶体管

IC

晶体管

产品speci fi cation

FMMT555

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

+0.1

2.4

-0.1

150伏V

首席执行官

1安培连续电流

1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

+0.1

1.3

-0.1

特点

2

0.55

0.4

3

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

0.97

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

基极电流

功耗

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

I

B

P

合计

T

j,

T

英镑

等级

-160

-150

-5

-2

-1

-200

500

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

mA

mW

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压*

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压*

基射极饱和电压*

基射极导通电压*

静态正向电流传输比

跃迁频率

输出电容

*脉冲测试： TP = 300 ;

0.02.

符号

V

（ BR ） CBO

I

C

=-100ìA

V

（ BR ） CEO

I

C

=-10mA

V

（ BR ） EBO

I

E

=-100ìA

I

CBO

I

EBO

V

CB

=-140V

V

CB

= -140V ，TA = 100

V

EB

=-4V

Testconditons

民

-160

-150

-5

-0.1

-10

-0.1

-0.3

-1

-1

50

50

100

10

兆赫

pF

300

典型值

最大

单位

V

V

V

ìA

ìA

ìA

V

V

V

V

CE（

SAT ）I

C

= -100mA ，我

B

=-10mA

V

BE （

SAT ）I

C

= -100mA ，我

B

=-10mA

V

BE（上）

I

C

=-100mA,V

CE

=-10V

h

FE

f

T

C

敖包

I

C

= -10mA ，V

CE

=-10V

I

C

= -300mA ，V

CE

=-10V

I

C

=-50mA,V

CE

=-10V,f=100MHz

V

CB

=-10V,f=1MHz

记号

记号

555

+0.1

0.38

-0.1

0-0.1

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 1

查看更多FMMT555PDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

FMMT555

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

FMMT555

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市银芯龙科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1184826453 复制

电话：13510131896

联系人：欧阳

地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514

FMMT555

ZETEX

15+

8800

SOT23

原装正品，现在供应

北京首天伟业科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1584878981 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

FMMT555

ZETEX

21+

45000

SOT-23

全新原装正品/质量有保证

深圳市华创欧科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：3065848471 复制

点击这里给我发消息

QQ：1391615788 复制

点击这里给我发消息

QQ：2319599090 复制

电话：0755-23945755 83248872

联系人：朱先生

地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

FMMT555

ZETEX

22+

26400

SOT23

原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0755-23945755 QQ:3065848471

北京人上科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

FMMT555

√ 欧美㊣品

▲10/11+

9372

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

深圳市华美锐科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2850388359 复制

点击这里给我发消息

QQ：2850388357 复制

电话：0755-83035161

联系人：肖先生

地址：福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司）

FMMT555

36

原装正品！价格优势！

北京显周科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

FMMT555

√ 欧美㊣品

▲10/11+

8040

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

查询更多FMMT555供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！