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SMD型
中功率晶体管
FMMT489
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
IC
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
导通电阻非常低的等效
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
特点
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j,
T
英镑
等级
50
30
5
4
1
200
500
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
基极 - 发射极电压*
符号
V
（ BR ） CBO
I
C
=100ìA
V
（ BR ） CEO
I
C
=10mA
V
（ BR ） EBO
I
E
=100ìA
I
CBO
I
EBO
V
CB
=30V
V
EB
=4V
0.3
Testconditons
民
50
30
5
100
100
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
1.0
100
100
60
20
150
10
兆赫
pF
300
V
V
CE（
SAT ）I
C
=1A,I
B
=100mA
V
BE （
SAT ）I
C
=1A,I
B
=100mA
V
BE（上）
I
C
=1A,V
CE
=2V
I
C
=1mA,V
CE
=2V
静态正向电流传输比*
h
FE
I
C
=1A,V
CE
=2V
I
C
=2A,V
CE
=2V
I
C
=4A,V
CE
=2V
电流增益带宽积
输出电容
*脉冲测试： TP
300 ;
0.02.
f
T
C
敖包
I
C
=50mA,V
CE
=10V,f=100MHz
V
CB
=10V,f=1MHz
记号
记号
489
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
SOT23 NPN硅平面
中功率晶体管
ISSUE3 - 1995年10月
7
特点
*导通电阻非常低的等效;
R
CE （ SAT ）
175mΩ在1A
FMMT489
E
C
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
FMMT589
489
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
击穿电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
关闭电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
集电极 - 基
击穿电压
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
100
100
60
20
150
10
分钟。
50
30
5
100
100
100
0.3
0.6
1.1
1.0
300
兆赫
pF
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
马克斯。
价值
50
30
5
1
4
200
500
-55到+150
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
条件。
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=30V
V
CES
=30V
V
EB
=4V
I
C
= 1A ，我
B
=100mA*
I
C
= 2A ，我
B
=200mA*
I
C
= 1A ，我
B
=100mA*
I
C
= 1A ，V
CE
=2V*
I
C
= 1mA时， V
CE
=2V*
I
C
= 1A ，V
CE
=2V*
I
C
= 2A ，V
CE
=2V*
I
C
= 4A ，V
CE
=2V*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
对于典型特征图看FMMT449数据表
3 - 114
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
FMMT489
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
导通电阻非常低的等效
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
特点
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j,
T
英镑
等级
50
30
5
4
1
200
500
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
基极 - 发射极电压*
符号
V
（ BR ） CBO
I
C
=100ìA
V
（ BR ） CEO
I
C
=10mA
V
（ BR ） EBO
I
E
=100ìA
I
CBO
I
EBO
V
CB
=30V
V
EB
=4V
0.3
Testconditons
民
50
30
5
100
100
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
1.0
100
100
60
20
150
10
兆赫
pF
300
V
V
CE（
SAT ）I
C
=1A,I
B
=100mA
V
BE （
SAT ）I
C
=1A,I
B
=100mA
V
BE（上）
I
C
=1A,V
CE
=2V
I
C
=1mA,V
CE
=2V
静态正向电流传输比*
h
FE
I
C
=1A,V
CE
=2V
I
C
=2A,V
CE
=2V
I
C
=4A,V
CE
=2V
电流增益带宽积
输出电容
*脉冲测试： TP
300 ;
0.02.
f
T
C
敖包
I
C
=50mA,V
CE
=10V,f=100MHz
V
CB
=10V,f=1MHz
记号
记号
489
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
SOT23 NPN硅平面
中功率晶体管
ISSUE3 - 1995年10月
7
特点
*导通电阻非常低的等效;
R
CE （ SAT ）
175mΩ在1A
FMMT489
E
C
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
FMMT589
489
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
击穿电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
关闭电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
集电极 - 基
击穿电压
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
100
100
60
20
150
10
分钟。
50
30
5
100
100
100
0.3
0.6
1.1
1.0
300
兆赫
pF
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
马克斯。
价值
50
30
5
1
4
200
500
-55到+150
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
条件。
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=30V
V
CES
=30V
V
EB
=4V
I
C
= 1A ，我
B
=100mA*
I
C
= 2A ，我
B
=200mA*
I
C
= 1A ，我
B
=100mA*
I
C
= 1A ，V
CE
=2V*
I
C
= 1mA时， V
CE
=2V*
I
C
= 1A ，V
CE
=2V*
I
C
= 2A ，V
CE
=2V*
I
C
= 4A ，V
CE
=2V*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
对于典型特征图看FMMT449数据表
3 - 114
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FDS6900AS_NL
FM28V100-TG
FSYE430R3
FDG6316
FAN2564UC12X
FRS-R-75
FBR244D00302CS-CSA
FDU-2-2R000M
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    联系人：杨小姐
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    FMMT489
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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SOT23
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SOT-23
授权分销 现货热卖
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联系人：朱
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FMMT489
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SOT23
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联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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SHIKUES/時科
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上海原装现货库存，欢迎咨询合作
上海熠富电子科技有限公司
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SHIKUES/時科
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SOT23
原装现货上海库存，欢迎咨询
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联系人：何小姐
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
FMMT489
時科
18+
90000
SOT23
全新原装正品/质量有保证
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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电话：0755-22669259 83214703
联系人：李先生，夏小姐
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