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首字符F的型号第445页
> FMMT458
SOT23 NPN硅平面
高压晶体管
第3期? 1995年10月
特点
* 400伏V
首席执行官
FMMT458
E
C
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
FMMT558
B
458
SOT23
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
分钟。
400
400
5
100
100
100
0.2
0.5
0.9
0.9
100
100
15
50
300
兆赫
5
135的典型
2260典型
pF
ns
ns
马克斯。
价值
400
400
5
225
1
200
500
-55到+150
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
单位
V
V
V
mA
A
mA
mW
°C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
关闭电压
静态前进
电流传输比
符号
V
( BR ) CBO
电气特性(在T
AMB
= 25°C).
条件。
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=320V
V
CE
=320V
V
EB
=4V
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA*
I
C
= 50mA时我
B
=6mA*
I
C
= 50mA时我
B
=5mA*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V*
I
C
= 1mA时, V
CE
=10V
I
C
= 50mA时V
CE
=10V*
I
C
= 100mA时V
CE
=10V*
I
C
= 10毫安,V
CE
=20V
f=20MHz
V
CB
= 20V , F = 1MHz的
I
C
= 50mA时V
CC
=100V
I
B1
= 5毫安,我
B2
=-10mA
V
CEO ( SUS )
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
跃迁频率
集电极 - 基
击穿电压
开关时间
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3 - 112
FMMT458
典型特征
1.6
1.4
I
C
/I
B
=20
I
C
/I
B
=10
T
AMB
=25°C
I
C
/I
B
=50
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=10
- (伏)
1.2
1.0
0.8
0.6
V
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10
20
V
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10
20
I
+
-
集电极电流(安培)
- (伏)
I
+
-
集电极电流(安培)
V
CE ( SAT )
V I
C
V
CE ( SAT )
V I
C
1.6
- 归一化增益
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
+100°C
+25°C
-55°C
V
CE
=10V
300
1.6
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=10
- (伏)
V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
200
100
h
0
0.001
0.01
0.1
1
10
20
0.001
0.01
0.1
1
10
20
I
+
-
集电极电流(安培)
I
+
-
集电极电流(安培)
h
FE
V I
C
1.0
V
BE ( SAT )
V I
C
单脉冲牛逼
美国东部时间在T
AMB
=25°C
1.6
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
V
CE
=10V
我 - 集电极电流(安培)
- (伏)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10
20
0.1
0.01
特区
1s
100ms
10ms
1.0ms
0.1ms
V
0.001
1
I
+
-
集电极电流(安培)
V
+-
-
集电极电压(伏特)
10
100
1000
V
BE(上)
V I
C
安全工作区
3 - 113
SMD型
高压晶体管
FMMT458
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
单位:mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
400伏V
首席执行官
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j,
T
英镑
等级
400
400
5
1
225
200
500
-55到+150
单位
V
V
V
A
mA
mA
mW
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
SMD型
FMMT458
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基极 - 发射极导通电压
符号
V
( BR ) CBO
I
C
=100ìA
V
( BR ) CEO
I
C
=10mA
V
( BR ) EBO
I
E
=100ìA
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE(
SAT )
V
CB
=320V
V
CE
=320V
V
EB
=4V
I
C
=20mA,I
B
=2mA
I
C
=50mA,I
B
=6mA
V
BE (
SAT )I
C
=50mA,I
B
=5mA
V
BE (
对)I
C
=50mA,V
CE
=10V
I
C
= 1mA时, V
CE
=10V
静态正向电流传输比
h
FE
I
C
= 50mA时V
CE
=10V*
I
C
= 100mA时V
CE
=10V*
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
吨
花花公子
I
C
=10mA,V
CE
=20V,f=20MHz
V
CB
= 20V , F = 1MHz的
I
C
= 50mA时V
CC
=100V
I
B1
= 5毫安,我
B2
=-10mA
Testconditons
晶体管
民
400
400
5
典型值
最大
单位
V
V
V
100
100
100
0.2
0.5
0.9
0.9
100
100
15
50
5
135
2260
300
nA
nA
nA
V
V
V
V
兆赫
pF
ns
ns
记号
记号
458
2
www.kexin.com.cn
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
FMMT458
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
400伏V
首席执行官
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j,
T
英镑
等级
400
400
5
1
225
200
500
-55到+150
单位
V
V
V
A
mA
mA
mW
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
FMMT458
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基极 - 发射极导通电压
符号
V
( BR ) CBO
I
C
=100ìA
V
( BR ) CEO
I
C
=10mA
V
( BR ) EBO
I
E
=100ìA
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE(
SAT )
V
CB
=320V
V
CE
=320V
V
EB
=4V
I
C
=20mA,I
B
=2mA
I
C
=50mA,I
B
=6mA
V
BE (
SAT )I
C
=50mA,I
B
=5mA
V
BE (
对)I
C
=50mA,V
CE
=10V
I
C
= 1mA时, V
CE
=10V
静态正向电流传输比
h
FE
I
C
= 50mA时V
CE
=10V*
I
C
= 100mA时V
CE
=10V*
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
吨
花花公子
I
C
=10mA,V
CE
=20V,f=20MHz
V
CB
= 20V , F = 1MHz的
I
C
= 50mA时V
CC
=100V
I
B1
= 5毫安,我
B2
=-10mA
135
2260
100
100
15
50
5
兆赫
pF
ns
ns
300
Testconditons
民
400
400
5
100
100
100
0.2
0.5
0.9
0.9
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
记号
记号
458
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
SOT23 NPN硅平面
高压晶体管
第4期 - 2002年4月
特点
* 400伏V
首席执行官
FMMT458
E
C
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
FMMT558
B
458
SOT23
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
分钟。
400
400
5
100
100
100
0.2
0.5
0.9
0.9
100
100
15
50
马克斯。
价值
400
400
5
225
1
200
500
-55到+150
单位
V
V
V
mA
A
mA
mW
°C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
电气特性(在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
关闭电压
静态前进
电流传输比
跃迁频率
输出电容
开关时间
符号
V
( BR ) CBO
V
CEO ( SUS )
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
条件。
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=320V
V
CE
=320V
V
EB
=4V
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA*
I
C
= 50mA时我
B
=6mA*
I
C
= 50mA时我
B
=5mA*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V*
I
C
= 1mA时, V
CE
=10V
I
C
= 50mA时V
CE
=10V*
I
C
= 100mA时V
CE
=10V*
I
C
= 10毫安,V
CE
=20V
f=20MHz
V
CB
= 20V , F = 1MHz的
I
C
= 50mA时V
CC
=100V
I
B1
= 5毫安,我
B2
=-10mA
300
兆赫
pF
ns
ns
5
135的典型
2260典型
*脉冲条件下进行测定。
辣妹参数数据可应要求提供此设备
TBA
FMMT458
典型特征
I
C
/I
B
=10
I
C
/I
B
=20
I
C
/I
B
=50
T
AMB
=25°C
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
1.6
1.4
I
C
/I
B
=10
1.6
V
CE ( SAT )
- (伏)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10 20
V
CE ( SAT )
- (伏)
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10 20
I
C
-
集电极电流(安培)
I
C
-
集电极电流(安培)
V
CE ( SAT )
V I
C
V
CE ( SAT )
V I
C
1.6
h
FE
- 归一化增益
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
+100°C
+25°C
-55°C
V
CE
=10V
300
1.6
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=10
V
BE ( SAT )
- (伏)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
200
100
0.01
0.1
1
10 20
0
0.001
0.01
0.1
1
10 20
I
C
-
集电极电流(安培)
I
C
-
集电极电流(安培)
h
FE
V I
C
1.0
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
V
BE ( SAT )
V I
C
在T单脉冲测试
AMB
=25°C
V
CE
=10V
1.6
1.4
I
C
- 集电极电流(安培)
V
BE
- (伏)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10 20
0.1
特区
1s
100ms
10ms
1.0ms
0.1ms
0.01
0.001
1
10
100
1000
I
C
-
集电极电流(安培)
V
CE
-
集电极电压(伏特)
V
BE(上)
V I
C
安全工作区
TBA
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FU-68PDF-V510M180B
FRF450R
FSCQ1565RTYDTU
F12TA10
FMXA-2102ST
FK18SM-10
FK18SM10
FDH5500_F085
FG600C40
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
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联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
FMMT458
-
-
-
-
终端采购配单精选
深圳市壹芯创科技有限公司
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QQ:2880707522
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QQ:2369405325
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电话:0755-82780082
联系人:杨小姐
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
FMMT458
-
-
-
-
终端采购配单精选
更多配单专家
深圳市合一方科技有限公司
QQ:
QQ:960030175
复制
电话:13480301972
联系人:陈先生
地址:福田区中航路华强北街道国利大厦2030
FMMT458
KEFAN/科范微
24+
898000
SOT-23
圣邦微代理/捷捷微代理/晶导微代理
北京首天伟业科技有限公司
QQ:
QQ:1584878981
复制
QQ:2881290686
复制
电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
FMMT458
DIODES/美台
21+
6300000
SOT-23
全新原装正品/质量有保证
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
QQ:
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