FMMT415
FMMT417
典型特征
180
160
140
1. >4x10运营无故障
2. 10
%
操作要失败
3. 10
!
操作要失败
40
30
- (A)
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
1.
2.
3.
- (A)
120
V
+
= 250V
20
V
+
= 200V
10
I
I
0
-60 -40 -20 0
80 100 120 140 160 180
20 40 60 80 100 120 140 160 180
最大雪崩电流
V脉冲宽度
100
80
60
175°C
V
+-
=10V
220
200
脉冲宽度（ NS ）
温度（℃）
I
USB
V温度
对于指定的条件
- (V)
180
160
基地的上升时间
驱动电流= 5毫安/ NS
h
40
20
0
25°C
-55°C
V
140
120
I
*
=50mA
I
*
=100mA
I
*
=200mA
1n
10n
100n
100
A
1mA
10mA
100mA
1A
100
100p
集电极电流
集电极 - 发射极电容（F ）
h
FE
V I
C
180
175
170
I
*
=60mA
最低启动电压
作为电容的函数
160
150
- (V)
165
160
155
150
145
1
C=620pF
- (V)
I
*
=100mA
I
*
=200mA
140
C = 620pF
120
V
V
10
100
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
基极驱动的上升时间（毫安/ NS ）
温度（℃）
最低启动电压
随着驱动电流的函数
最低启动电压
作为温度的函数
3 - 105
FMMT415
FMMT417
典型特征
180
160
140
1. >4x10运营无故障
2. 10
%
操作要失败
3. 10
!
操作要失败
40
30
- (A)
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
1.
2.
3.
- (A)
120
V
+
= 250V
20
V
+
= 200V
10
I
I
0
-60 -40 -20 0
80 100 120 140 160 180
20 40 60 80 100 120 140 160 180
最大雪崩电流
V脉冲宽度
100
80
60
175°C
V
+-
=10V
220
200
脉冲宽度（ NS ）
温度（℃）
I
USB
V温度
对于指定的条件
- (V)
180
160
基地的上升时间
驱动电流= 5毫安/ NS
h
40
20
0
25°C
-55°C
V
140
120
I
*
=50mA
I
*
=100mA
I
*
=200mA
1n
10n
100n
100
A
1mA
10mA
100mA
1A
100
100p
集电极电流
集电极 - 发射极电容（F ）
h
FE
V I
C
180
175
170
I
*
=60mA
最低启动电压
作为电容的函数
160
150
- (V)
165
160
155
150
145
1
C=620pF
- (V)
I
*
=100mA
I
*
=200mA
140
C = 620pF
120
V
V
10
100
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
基极驱动的上升时间（毫安/ NS ）
温度（℃）
最低启动电压
随着驱动电流的函数
最低启动电压
作为温度的函数
3 - 105
SMD型
雪崩三极管
FMMT415
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
单位：mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
高速脉冲发生器
SOT23 NPN硅平面
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j,
T
英镑
等级
260
100
6
60
500
330
-55到+150
单位
V
V
V
A
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
目前在二次击穿
直流电流增益*
跃迁频率
集电极 - 基极电容
*脉冲测试： TP = 300 ;
0.02.
符号
Testconditons
民
260
100
6
0.1
10
0.1
0.5
0.9
15
25
25
40
8
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
ìA
V
V
A
A
V
（ BR ） CBO
I
C
= 1mA时，环境温度Tamb = -55到+150
V
（ BR ） CEO
I
C
=100ìA
V
（ BR ） EBO
I
E
=10ìA
I
CBO
I
EBO
V
CB
=80V
V
CB
= 80V ，环境温度Tamb = 100
V
EB
=4V
V
CE（
SAT ）I
C
=10mA,I
B
=1mA
V
BE （
SAT ）I
C
=10mA,I
B
=1mA
I
SB
h
FE
f
T
C
cb
V
C
= 200V ，C
CE
=620pF
V
C
= 250V ，C
CE
=620pF
I
C
=10mA,V
CE
=10V
I
C
=10mA,V
CE
=20V,f=20MHz
V
CB
= 20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
记号
记号
415
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
FMMT415
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
高速脉冲发生器
SOT23 NPN硅平面
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j,
T
英镑
等级
260
100
6
60
500
330
-55到+150
单位
V
V
V
A
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
目前在二次击穿
直流电流增益*
跃迁频率
集电极 - 基极电容
*脉冲测试： TP = 300 ;
0.02.
符号
Testconditons
民
260
100
6
0.1
10
0.1
0.5
0.9
15
25
25
40
8
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
ìA
V
V
A
A
V
（ BR ） CBO
I
C
= 1mA时，环境温度Tamb = -55到+150
V
（ BR ） CEO
I
C
=100ìA
V
（ BR ） EBO
I
E
=10ìA
I
CBO
I
EBO
V
CB
=80V
V
CB
= 80V ，环境温度Tamb = 100
V
EB
=4V
V
CE（
SAT ）I
C
=10mA,I
B
=1mA
V
BE （
SAT ）I
C
=10mA,I
B
=1mA
I
SB
h
FE
f
T
C
cb
V
C
= 200V ，C
CE
=620pF
V
C
= 250V ，C
CE
=620pF
I
C
=10mA,V
CE
=10V
I
C
=10mA,V
CE
=20V,f=20MHz
V
CB
= 20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
记号
记号
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+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
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