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FMMT413
SOT23 NPN硅平面晶体管雪崩
摘要
V
（ BR ） CES
= 150V, V
（ BR ） CEO
= 50V ，我
USB
= 25A
描述
该FMMT413是优化的NPN硅平面双极型晶体管
雪崩模式操作。严密的过程控制和低电感
包装结合，产生大电流脉冲快速边沿，理想
激光二极管驱动。
特点
雪崩模式操作
50A峰值电流雪崩
低电感封装
C
B
应用
激光LED驱动器
快边生成
高速脉冲发生器
E
E
订购信息
设备
FMMT413TD
FMMT413TA
带尺寸
（英寸）
7
7
胶带宽度
(mm)
8
8
单位数量
REEL
500
3,000
C
B
引脚 - 顶视图
器件标识
413
第3期 - 2006年3月
捷特科PLC 2006
1
www.zetex.com
FMMT413
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流（ 25ns的脉冲宽度）
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CM
I
C
P
D
T
j
, T
英镑
极限
150
50
6
50
100
330
-55到+150
单位
V
V
V
A
mA
mW
°C
热阻
参数
结到环境
符号
R
JA
极限
378
单位
° C / W
第3期 - 2006年3月
捷特科PLC 2006
2
www.zetex.com
FMMT413
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
BV
CBO
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
分钟。
150
150
50
6
100
100
150
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
nA
nA
mV
I
C
= 100 A
I
C
= 10毫安
I
E
= 100 A
V
CB
= 120V
V
EB
= 4V
I
C
= 10毫安，
I
B
= 1毫安
I
C
= 10毫安，
I
B
= 1毫安
V
C
= 110V ，C
CE
=4.7nF
(*)
V
C
= 130V ，C
CE
=4.7nF
(*)
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 10V
2.5
150
2
nH
兆赫
pF
标准SOT23
LEADS
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V,
F = 20MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0,
F = 1MHz的
条件
集电极 - 发射极饱和V
CE （ SAT ）
电压
基射极饱和
电压
目前在二
击穿（脉冲）
V
BE （ SAT ）
I
USB
22
25
静态正向电流
传输比
集电极 - 发射极
电感
跃迁频率
输出电容
h
FE
L
ce
f
T
C
敖包
50
800
mV
A
A
注意事项：
（ * ）测得拥有12NH的近似环路电感的电路。
第3期 - 2006年3月
捷特科PLC 2006
3
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FMMT413
典型特征
我（ USB ） - 雪崩电流（ A）
50
C
CE
=2x4.7nF
40
30
T
AMB
=25°C
I
B
=5mA/ns
p.r.f.=10kHz
C
CE
=4.7nF
C
CE
=2.2nF
C
CE
=1.0nF
20
10
0
0
50
100
150
200
250
V
S
- 电源电压（ V）
第3期 - 2006年3月
捷特科PLC 2006
4
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FMMT413
有意留为空白
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SOT23 NPN硅平面晶体管雪崩
摘要
V
（ BR ） CES
= 150V, V
（ BR ） CEO
= 50V ，我
USB
= 25A
描述
该FMMT413是优化的NPN硅平面双极型晶体管
雪崩模式操作。严密的过程控制和低电感
包装结合，产生大电流脉冲快速边沿，理想
激光二极管驱动。
特点
雪崩模式操作
50A峰值电流雪崩
低电感封装
C
B
应用
激光LED驱动器
快边生成
高速脉冲发生器
E
E
订购信息
设备
FMMT413TD
FMMT413TA
带尺寸
（英寸）
7
7
胶带宽度
(mm)
8
8
单位数量
REEL
500
3,000
C
B
引脚 - 顶视图
器件标识
413
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1
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FMMT413
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流（ 25ns的脉冲宽度）
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CM
I
C
P
D
T
j
, T
英镑
极限
150
50
6
50
100
330
-55到+150
单位
V
V
V
A
mA
mW
°C
热阻
参数
结到环境
符号
R
JA
极限
378
单位
° C / W
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电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
BV
CBO
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
分钟。
150
150
50
6
100
100
150
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
nA
nA
mV
I
C
= 100 A
I
C
= 10毫安
I
E
= 100 A
V
CB
= 120V
V
EB
= 4V
I
C
= 10毫安，
I
B
= 1毫安
I
C
= 10毫安，
I
B
= 1毫安
V
C
= 110V ，C
CE
=4.7nF
(*)
V
C
= 130V ，C
CE
=4.7nF
(*)
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 10V
2.5
150
2
nH
兆赫
pF
标准SOT23
LEADS
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V,
F = 20MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0,
F = 1MHz的
条件
集电极 - 发射极饱和V
CE （ SAT ）
电压
基射极饱和
电压
目前在二
击穿（脉冲）
V
BE （ SAT ）
I
USB
22
25
静态正向电流
传输比
集电极 - 发射极
电感
跃迁频率
输出电容
h
FE
L
ce
f
T
C
敖包
50
800
mV
A
A
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（ * ）测得拥有12NH的近似环路电感的电路。
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典型特征
我（ USB ） - 雪崩电流（ A）
50
C
CE
=2x4.7nF
40
30
T
AMB
=25°C
I
B
=5mA/ns
p.r.f.=10kHz
C
CE
=4.7nF
C
CE
=2.2nF
C
CE
=1.0nF
20
10
0
0
50
100
150
200
250
V
S
- 电源电压（ V）
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