【SMD型小信号晶体管FMMT2484SOT-23+0.12.9-0.1+0.10.4-0.1晶体管I】,IC型号FMMT2484,FMMT2484 PDF资料,FMMT2484经销商,ic,电子元器件-51电子网

SMD型

小信号晶体管

FMMT2484

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

晶体管

IC

单位：mm

特点

+0.1

2.4

-0.1

+0.1

1.3

-0.1

60伏V

首席执行官。

1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

2

0.55

0.4

3

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

功耗

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

P

合计

T

j,

T

英镑

等级

60

6

200

50

330

-55到+150

单位

V

mA

mW

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压*

基极 - 发射极电压*

直流电流增益*

输出电容

输入电容

符号

Testconditons

民

60

6

10

0.35

0.95

100

500

6

3

pF

dB

典型值

最大

单位

V

nA

ìA

nA

V

（ BR ） CBO

I

C

=10ìA,I

E

=0

V

（ BR ） CEO

I

C

=10mA,I

B

=0

V

（ BR ） EBO

I

E

=10ìA,I

C

=0

I

CBO

I

EBO

V

CB

=45V,I

E

=0

V

CB

=45V,Tam

B

=150

V

EB

=5V,I

C

=0

V

CE（

SAT ）I

C

=1A,I

B

=100ìA

V

BE

h

FE

C

敖包

C

IBO

I

C

=1A,V

CE

=5V

I

C

=10ìA,V

CE

=5V

V

CB

=5V,f=140KHz

V

BE

=0.5V,f=140KHz

I

C

= 200μA ，V

CE

= 5V ，R

g

=2k

F = 1kHz时， F = 200Hz的

I

C

= 200μA ，V

CE

= 5V ，R

g

=2k

F =为30Hz到15KHz的在-3dB点

输出电容

NF

*脉冲测试： TP

300ìs ;

0.02.

记号

4G

0-0.1

www.kexin.com.cn

1

SOT23 NPN硅平面

小信号晶体管

第2期？ MARCH 94

特点

* 60伏V

首席执行官

7

FMMT2484

E

C

PARTMARKING详细信息？ 4G

B

SOT23

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

马克斯。

单位

V

10

0.35

0.95

30

100

20

175

200

250

500

A

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

价值

60

6

200

50

330

-55到+150

单位

V

mA

mW

°C

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

集电极截止电流

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE

h

FE

分钟。

60

6

条件。

I

C

=10

A，I

E

=0

I

C

= 10毫安，我

B

=0*

I

E

=10

A，I

C

=0

V

CB

= 45V ，我

E

=0

V

CB

= 45V ，我

E

=0, T

AMB

=150°C

VBE=5V

I

C

= 1mA时，我

B

=100

A*

I

C

= 1mA时， V

CE

=5V*

I

C

=1

A，V

CE

=5V*

I

C

=10

A，V

CE

=5V*

I

C

=10

A，V

CE

= 5V ，T

AMB

=55°C

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C

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C

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CE

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I

C

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CE

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V

CB

= 5V ，我

E

= 0中，f = 140KHz

V

BE

= 0.5V ，我

E

= 0中，f = 140KHz

I

C

=200

A，V

CE

= 5V ，R

g

=2k

F = 1kHz时， F = 200Hz的

I

C

=200

A，V

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= 5V ，R

g

=2k

F =为30Hz到15KHz的在-3dB点

nA

发射极截止电流

集电极 - 发射极

饱和电压

基射极电压

静态前进

电流传输

比

nA

V

输出电容

输入电容

噪声系数

C

敖包

C

IBO

N

800

6

3

pF

dB

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

SOT23 NPN硅平面

小信号晶体管

第2期？ MARCH 94

特点

* 60伏V

首席执行官

7

FMMT2484

E

C

PARTMARKING详细信息？ 4G

B

SOT23

符号

V

CBO

V

首席执行官

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EBO

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CM

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单位

V

10

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100

20

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A

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

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60

6

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AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

集电极 - 基

击穿电压

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击穿电压

发射极 - 基

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V

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V

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C

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I

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=5V*

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=1

A，V

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饱和电压

基射极电压

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电流传输

比

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V

输出电容

输入电容

噪声系数

C

敖包

C

IBO

N

800

6

3

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dB

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

SOT23 NPN硅平面

小信号晶体管

第2期？ MARCH 94

特点

* 60伏V

首席执行官

7

FMMT2484

E

C

PARTMARKING详细信息？ 4G

B

SOT23

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

马克斯。

单位

V

10

0.35

0.95

30

100

20

175

200

250

500

A

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

价值

60

6

200

50

330

-55到+150

单位

V

mA

mW

°C

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

集电极截止电流

符号

V

（ BR ） CBO

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C

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CB

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AMB

=150°C

VBE=5V

I

C

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I

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nA

发射极截止电流

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饱和电压

基射极电压

静态前进

电流传输

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V

输出电容

输入电容

噪声系数

C

敖包

C

IBO

N

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6

3

pF

dB

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

产品speci fi cation

FMMT2484

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

特点

+0.1

2.4

-0.1

+0.1

1.3

-0.1

60伏V

首席执行官。

1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

2

0.55

0.4

3

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

功耗

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

P

合计

T

j,

T

英镑

等级

60

6

200

50

330

-55到+150

单位

V

mA

mW

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压*

基极 - 发射极电压*

直流电流增益*

输出电容

输入电容

符号

Testconditons

民

60

6

10

0.35

0.95

100

500

6

3

pF

dB

典型值

最大

单位

V

nA

ìA

nA

V

（ BR ） CBO

I

C

=10ìA,I

E

=0

V

（ BR ） CEO

I

C

=10mA,I

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V

（ BR ） EBO

I

E

=10ìA,I

C

=0

I

CBO

I

EBO

V

CB

=45V,I

E

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V

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B

=150

V

EB

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SAT ）I

C

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V

BE

h

FE

C

敖包

C

IBO

I

C

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CE

=5V

I

C

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CE

=5V

V

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=5V,f=140KHz

V

BE

=0.5V,f=140KHz

I

C

= 200μA ，V

CE

= 5V ，R

g

=2k

F = 1kHz时， F = 200Hz的

I

C

= 200μA ，V

CE

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g

=2k

F =为30Hz到15KHz的在-3dB点

输出电容

NF

*脉冲测试： TP

300ìs ;

0.02.

记号

4G

0-0.1

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